Energia total armazenada no ressonador Calculadora

✖A permissividade do meio é uma quantidade física que descreve quanto campo elétrico pode passar pelo meio.ⓘ Permissividade do Meio [ε_m]			+10% -10%
✖A intensidade do campo elétrico é definida como a força experimentada por uma carga de teste positiva unitária colocada naquele ponto.ⓘ Intensidade do Campo Elétrico [E]			+10% -10%
✖O Volume do Ressonador refere-se ao espaço físico dentro da câmara ressonante. Esta câmara foi projetada para amplificar e ressoar ondas sonoras, produzindo um tom ou frequência específica.ⓘ Volume do ressonador [V_r]			+10% -10%

✖A energia total armazenada no ressonador refere-se à soma de todas as formas de energia contidas no sistema ressonante. É qualquer sistema físico ou matemático que exibe ressonância.ⓘ Energia total armazenada no ressonador [W_e]

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Fórmula

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Energia total armazenada no ressonador

Fórmula

`"W"_{"e"} = int(("ε"_{"m"}/2*"E"^2)*x,x,0,"V"_{"r"})`

Exemplo

`"0.000537J"=int(("0.0532μF/m"/2*("8.97V/m")^2)*x,x,0,"22.4m³")`

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Energia total armazenada no ressonador Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Energia total armazenada no ressonador = int((Permissividade do Meio/2*Intensidade do Campo Elétrico^2)*x,x,0,Volume do ressonador)
W_e = int((ε_m/2*E^2)*x,x,0,V_r)
Esta fórmula usa 1 Funções, 4 Variáveis

Funções usadas

int - A integral definida pode ser usada para calcular a área líquida sinalizada, que é a área acima do eixo x menos a área abaixo do eixo x., int(expr, arg, from, to)

Variáveis Usadas

Energia total armazenada no ressonador - (Medido em Joule) - A energia total armazenada no ressonador refere-se à soma de todas as formas de energia contidas no sistema ressonante. É qualquer sistema físico ou matemático que exibe ressonância.
Permissividade do Meio - (Medido em Farad por Metro) - A permissividade do meio é uma quantidade física que descreve quanto campo elétrico pode passar pelo meio.
Intensidade do Campo Elétrico - (Medido em Volt por Metro) - A intensidade do campo elétrico é definida como a força experimentada por uma carga de teste positiva unitária colocada naquele ponto.
Volume do ressonador - (Medido em Metro cúbico) - O Volume do Ressonador refere-se ao espaço físico dentro da câmara ressonante. Esta câmara foi projetada para amplificar e ressoar ondas sonoras, produzindo um tom ou frequência específica.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Permissividade do Meio: 0.0532 Microfarad por Metro --> 5.32E-08 Farad por Metro (Verifique a conversão aqui)
Intensidade do Campo Elétrico: 8.97 Volt por Metro --> 8.97 Volt por Metro Nenhuma conversão necessária
Volume do ressonador: 22.4 Metro cúbico --> 22.4 Metro cúbico Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

W_e = int((ε_m/2*E^2)*x,x,0,V_r) --> int((5.32E-08/2*8.97^2)*x,x,0,22.4)

Avaliando ... ...

W_e = 0.0005369484137472

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0005369484137472 Joule --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.0005369484137472 ≈ 0.000537 Joule <-- Energia total armazenada no ressonador

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

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Tensão de microondas em Buncher Gap

Vai Tensão de microondas no Buncher Gap = (Amplitude do sinal/(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Tempo médio de trânsito))*(cos(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Inserindo hora)-cos(Frequência Angular Ressonante+(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Distância da lacuna de Buncher)/Velocidade do elétron))

Potência de saída de RF

Vai Potência de saída de RF = Potência de entrada RF*exp(-2*Constante de atenuação de RF*Comprimento do circuito RF)+int((Energia RF gerada/Comprimento do circuito RF)*exp(-2*Constante de atenuação de RF*(Comprimento do circuito RF-x)),x,0,Comprimento do circuito RF)

Tensão do repelente

Vai Tensão do repelente = sqrt((8*Frequência angular^2*Comprimento do espaço de deriva^2*Tensão de feixe pequeno)/((2*pi*Número de oscilação)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Tensão de feixe pequeno

Esgotamento total para sistema WDM

Vai Esgotamento total para um sistema WDM = sum(x,2,Número de canais,Coeficiente de Ganho Raman*Potência do canal*Comprimento efetivo/Área Efetiva)

Perda média de potência no ressonador

Vai Perda média de potência no ressonador = (Resistência superficial do ressonador/2)*(int(((Valor de pico de intensidade magnética tangencial)^2)*x,x,0,Raio do ressonador))

Frequência de Plasma

Vai Frequência Plasmática = sqrt(([Charge-e]*Densidade de carga eletrônica DC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))

Energia total armazenada no ressonador

Vai Energia total armazenada no ressonador = int((Permissividade do Meio/2*Intensidade do Campo Elétrico^2)*x,x,0,Volume do ressonador)

Profundidade da Pele

Vai Profundidade da pele = sqrt(Resistividade/(pi*Permeabilidade relativa*Frequência))

Densidade total da corrente do feixe de elétrons

Vai Densidade total da corrente do feixe de elétrons = -Densidade de corrente do feixe CC+Perturbação instantânea da corrente do feixe de RF

Frequência portadora na linha espectral

Vai Frequência da portadora = Frequência da Linha Espectral-Número de amostras*Frequência de repetição

Velocidade total do elétron

Vai Velocidade total do elétron = Velocidade do elétron DC+Perturbação instantânea da velocidade do elétron

Densidade total de carga

Vai Densidade total de carga = -Densidade de carga eletrônica DC+Densidade de carga RF instantânea

Frequência Plasmática Reduzida

Vai Frequência Plasmática Reduzida = Frequência Plasmática*Fator de redução de carga espacial

Energia obtida da fonte de alimentação CC

Vai Fonte de alimentação CC = Energia gerada no circuito anódico/Eficiência Eletrônica

Potência Gerada no Circuito Ânodo

Vai Energia gerada no circuito anódico = Fonte de alimentação CC*Eficiência Eletrônica

Ganho máximo de tensão na ressonância

Vai Ganho máximo de tensão na ressonância = Transcondutância/Condutância

Potência de pico de pulso de microondas retangular

Vai Potência de pico de pulso = Potencia média/Ciclo de trabalho

Perda de retorno

Vai Perda de retorno = -20*log10(Coeficiente de reflexão)

Alimentação CA fornecida pela tensão do feixe

Vai Fonte de alimentação CA = (Tensão*Atual)/2

Energia DC fornecida pela tensão do feixe

Vai Fonte de alimentação CC = Tensão*Atual

Energia total armazenada no ressonador Fórmula

Energia total armazenada no ressonador = int((Permissividade do Meio/2*Intensidade do Campo Elétrico^2)*x,x,0,Volume do ressonador)
W_e = int((ε_m/2*E^2)*x,x,0,V_r)

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