Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero Calculadora

✖A densidade de dopagem da parede lateral refere-se à concentração de átomos dopantes ao longo das paredes laterais da estrutura do transistor.ⓘ Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais [N_A(sw)]			+10% -10%
✖A concentração de dopagem do doador refere-se à concentração de átomos doadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.ⓘ Concentração de Doping do Doador [N_D]			+10% -10%
✖Potencial integrado de junções de parede lateral refere-se à junção formada ao longo das superfícies verticais ou da parede lateral da estrutura do transistor.ⓘ Potencial integrado de junções de paredes laterais [Φ_osw]			+10% -10%

✖O potencial de junção da parede lateral de polarização zero é o potencial embutido na junção da parede lateral de certas estruturas de transistor.ⓘ Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero [C_j0sw]

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Fórmula

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Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero

Fórmula

`"C"_{"j0sw"} = sqrt(("[Permitivity-silicon]"*"[Charge-e]")/2*(("N"_{"A(sw)"}*"N"_{"D"})/("N"_{"A(sw)"}+"N"_{"D"}))*1/"Φ"_{"osw"})`

Exemplo

`"1E^-7F"=sqrt(("[Permitivity-silicon]"*"[Charge-e]")/2*(("0.35electrons/m³"*"3.01electrons/cm³")/("0.35electrons/m³"+"3.01electrons/cm³"))*1/"0.000032V")`

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Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Potencial de junção da parede lateral com polarização zero = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais*Concentração de Doping do Doador)/(Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais+Concentração de Doping do Doador))*1/Potencial integrado de junções de paredes laterais)
C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funções, 4 Variáveis

Constantes Usadas

[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Potencial de junção da parede lateral com polarização zero - (Medido em Farad) - O potencial de junção da parede lateral de polarização zero é o potencial embutido na junção da parede lateral de certas estruturas de transistor.
Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A densidade de dopagem da parede lateral refere-se à concentração de átomos dopantes ao longo das paredes laterais da estrutura do transistor.
Concentração de Doping do Doador - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do doador refere-se à concentração de átomos doadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
Potencial integrado de junções de paredes laterais - (Medido em Volt) - Potencial integrado de junções de parede lateral refere-se à junção formada ao longo das superfícies verticais ou da parede lateral da estrutura do transistor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais: 0.35 Elétrons por metro cúbico --> 0.35 Elétrons por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Concentração de Doping do Doador: 3.01 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 3010000 Elétrons por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Potencial integrado de junções de paredes laterais: 3.2E-05 Volt --> 3.2E-05 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw) --> sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((0.35*3010000)/(0.35+3010000))*1/3.2E-05)

Avaliando ... ...

C_j0sw = 1.01249324812588E-07

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.01249324812588E-07 Farad --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

1.01249324812588E-07 ≈ 1E-7 Farad <-- Potencial de junção da parede lateral com polarização zero

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

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Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero

Vai Potencial de junção da parede lateral com polarização zero = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais*Concentração de Doping do Doador)/(Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais+Concentração de Doping do Doador))*1/Potencial integrado de junções de paredes laterais)

Capacitância de junção de polarização zero

Vai Capacitância de junção de polarização zero = sqrt((Permissividade do Silício*[Charge-e])/2*((Concentração de Dopagem do Aceitante*Concentração de Doping do Doador)/(Concentração de Dopagem do Aceitante+Concentração de Doping do Doador))*1/Potencial de junção integrado)

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