Диффузионная емкость слабого сигнала BJT Калькулятор

✖Значение константы устройства определяется один раз, и на него можно ссылаться много раз в программе.ⓘ Константа устройства [𝛕_F]			+10% -10%
✖Коллекторный ток представляет собой усиленный выходной ток биполярного транзистора.ⓘ Коллекторный ток [I_c]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, необходимое для создания проводящего пути между выводами истока и стока.ⓘ Пороговое напряжение [V_th]			+10% -10%

✖Емкость эмиттер-база - это емкость между эмиттером и базой.ⓘ Диффузионная емкость слабого сигнала BJT [C_eb]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Диффузионная емкость слабого сигнала BJT

Формула

`"C"_{"eb"} = "𝛕"_{"F"}*("I"_{"c"}/"V"_{"th"})`

Пример

`"1818.182μF"="2s"*("5mA"/"5.50V")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать БЮТ формула PDF PDF Image

Диффузионная емкость слабого сигнала BJT Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Емкость эмиттер-база = Константа устройства*(Коллекторный ток/Пороговое напряжение)
C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th)
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Емкость эмиттер-база - (Измеряется в фарада) - Емкость эмиттер-база - это емкость между эмиттером и базой.
Константа устройства - (Измеряется в Второй) - Значение константы устройства определяется один раз, и на него можно ссылаться много раз в программе.
Коллекторный ток - (Измеряется в Ампер) - Коллекторный ток представляет собой усиленный выходной ток биполярного транзистора.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, необходимое для создания проводящего пути между выводами истока и стока.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Константа устройства: 2 Второй --> 2 Второй Конверсия не требуется
Коллекторный ток: 5 Миллиампер --> 0.005 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
Пороговое напряжение: 5.5 вольт --> 5.5 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th) --> 2*(0.005/5.5)

Оценка ... ...

C_eb = 0.00181818181818182

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.00181818181818182 фарада -->1818.18181818182 Микрофарад (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1818.18181818182 ≈ 1818.182 Микрофарад <-- Емкость эмиттер-база

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » БЮТ » Аналоговая электроника » Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель » Диффузионная емкость слабого сигнала BJT

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 10+ Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Калькуляторы

Емкость перехода коллектор-база

Идти Емкость перехода коллектор-база = Емкость перехода коллектор-база при нулевом напряжении/(1+(Напряжение обратного смещения/Встроенное напряжение))^Коэффициент оценки

Концентрация электронов, инжектированных из эмиттера в базу

Идти Концентрация электронной инжекции от эмиттера к базе = Тепловая равновесная концентрация*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Частота перехода BJT

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база))

Пропускная способность Unity-Gain BJT

Идти Единство усиления пропускной способности = крутизна/(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база)

Диффузионная емкость слабого сигнала BJT

Идти Емкость эмиттер-база = Константа устройства*(Коллекторный ток/Пороговое напряжение)

Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда

Идти Тепловая равновесная концентрация = ((Внутренняя плотность несущей)^2)/Легирующая концентрация основания

Сохраненный электронный заряд в базе BJT

Идти Сохраненный электронный заряд = Константа устройства*Коллекторный ток

Диффузионная емкость слабого сигнала

Идти Емкость эмиттер-база = Константа устройства*крутизна

Частота перехода BJT с заданной константой устройства

Идти Частота перехода = 1/(2*pi*Константа устройства)

Емкость перехода база-эмиттер

Идти Емкость перехода база-эмиттер = 2*Емкость эмиттер-база

Диффузионная емкость слабого сигнала BJT формула

Емкость эмиттер-база = Константа устройства*(Коллекторный ток/Пороговое напряжение)
C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th)

В чем разница между переходной емкостью и диффузионной емкостью?

Переходная емкость - это в основном изменение заряда, накопленного в области истощения, по отношению к изменению напряжения. А диффузионная емкость - это емкость, вызванная движением носителей заряда между анодом и катодом в режиме прямого смещения.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!