Емкость перехода база-эмиттер Калькулятор

Емкость перехода база-эмиттер - (Измеряется в фарада) - Емкость перехода база-эмиттер — это емкость перехода, смещенного в прямом направлении и представленного диодом.
Емкость эмиттер-база - (Измеряется в фарада) - Емкость эмиттер-база - это емкость между эмиттером и базой.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Емкость эмиттер-база: 1.5 Микрофарад --> 1.5E-06 фарада (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C = 2*C_eb --> 2*1.5E-06

Оценка ... ...

C = 3E-06

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

3E-06 фарада -->3 Микрофарад (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

3 Микрофарад <-- Емкость перехода база-эмиттер

(Расчет завершен через 00.006 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » БЮТ » Аналоговая электроника » Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель » Емкость перехода база-эмиттер

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 10+ Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Калькуляторы

Емкость перехода коллектор-база

Идти Емкость перехода коллектор-база = Емкость перехода коллектор-база при нулевом напряжении/(1+(Напряжение обратного смещения/Встроенное напряжение))^Коэффициент оценки

Концентрация электронов, инжектированных из эмиттера в базу

Идти Концентрация электронной инжекции от эмиттера к базе = Тепловая равновесная концентрация*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Частота перехода BJT

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база))

Пропускная способность Unity-Gain BJT

Идти Единство усиления пропускной способности = крутизна/(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база)

Диффузионная емкость слабого сигнала BJT

Идти Емкость эмиттер-база = Константа устройства*(Коллекторный ток/Пороговое напряжение)

Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда

Идти Тепловая равновесная концентрация = ((Внутренняя плотность несущей)^2)/Легирующая концентрация основания

Сохраненный электронный заряд в базе BJT

Идти Сохраненный электронный заряд = Константа устройства*Коллекторный ток

Диффузионная емкость слабого сигнала

Идти Емкость эмиттер-база = Константа устройства*крутизна

Частота перехода BJT с заданной константой устройства

Идти Частота перехода = 1/(2*pi*Константа устройства)

Емкость перехода база-эмиттер

Идти Емкость перехода база-эмиттер = 2*Емкость эмиттер-база

Емкость перехода база-эмиттер формула

Емкость перехода база-эмиттер = 2*Емкость эмиттер-база
C = 2*C_eb

Что такое БЮТ и его виды?

Биполярный транзистор (bipolar junction transistor: BJT) состоит из трех полупроводниковых областей, образующих два перехода. Есть два типа структуры: NPN и PNP. Доступны изделия с NPN до 800 В и PNP до -600 В. Кроме того, существуют также встроенные транзисторы с резисторами смещения (БРТ).

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!