Сохраненный электронный заряд в базе BJT Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Сохраненный электронный заряд = Константа устройства*Коллекторный ток
Qn = 𝛕F*Ic
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Сохраненный электронный заряд - (Измеряется в Кулон) - Сохраненный заряд электронов обычно создается конденсатором, состоящим из двух пластин, разделенных тонким изолирующим материалом, известным как диэлектрик.
Константа устройства - (Измеряется в Второй) - Значение константы устройства определяется один раз, и на него можно ссылаться много раз в программе.
Коллекторный ток - (Измеряется в Ампер) - Коллекторный ток представляет собой усиленный выходной ток биполярного транзистора.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Константа устройства: 2 Второй --> 2 Второй Конверсия не требуется
Коллекторный ток: 5 Миллиампер --> 0.005 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Qn = 𝛕F*Ic --> 2*0.005
Оценка ... ...
Qn = 0.01
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.01 Кулон --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.01 Кулон <-- Сохраненный электронный заряд
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

10+ Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Калькуляторы

Емкость перехода коллектор-база
Идти Емкость перехода коллектор-база = Емкость перехода коллектор-база при нулевом напряжении/(1+(Напряжение обратного смещения/Встроенное напряжение))^Коэффициент оценки
Концентрация электронов, инжектированных из эмиттера в базу
Идти Концентрация электронной инжекции от эмиттера к базе = Тепловая равновесная концентрация*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
Частота перехода BJT
Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база))
Пропускная способность Unity-Gain BJT
Идти Единство усиления пропускной способности = крутизна/(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база)
Диффузионная емкость слабого сигнала BJT
Идти Емкость эмиттер-база = Константа устройства*(Коллекторный ток/Пороговое напряжение)
Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда
Идти Тепловая равновесная концентрация = ((Внутренняя плотность несущей)^2)/Легирующая концентрация основания
Сохраненный электронный заряд в базе BJT
Идти Сохраненный электронный заряд = Константа устройства*Коллекторный ток
Диффузионная емкость слабого сигнала
Идти Емкость эмиттер-база = Константа устройства*крутизна
Частота перехода BJT с заданной константой устройства
Идти Частота перехода = 1/(2*pi*Константа устройства)
Емкость перехода база-эмиттер
Идти Емкость перехода база-эмиттер = 2*Емкость эмиттер-база

Сохраненный электронный заряд в базе BJT формула

Сохраненный электронный заряд = Константа устройства*Коллекторный ток
Qn = 𝛕F*Ic

Как вы храните электроны?

Электроны обычно собираются и хранятся в электронном накопителе. Он состоит из набора магнитных элементов, в основном диполей для изгиба частиц в кольцо и квадруполей для плотной фокусировки электронов.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!