Przewodnictwo w półprzewodnikach Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Charakterystyka półprzewodników

Charakterystyka diody

Charakterystyka nośnika ładunku

Parametry elektrostatyczne

Parametry pracy tranzystora

✖Gęstość elektronów odnosi się do miary liczby elektronów obecnych w danej ilości materiału.ⓘ Gęstość elektronów [ρ_e]			+10% -10%
✖Ruchliwość elektronu jest definiowana jako wielkość średniej prędkości dryfu na jednostkę pola elektrycznego.ⓘ Ruchliwość elektronów [μ_n]			+10% -10%
✖Gęstość dziur odnosi się do liczby wolnych stanów energetycznych (znanych jako „dziury”), które mogą istnieć w paśmie walencyjnym materiału półprzewodnikowego.ⓘ Gęstość otworów [ρ_h]			+10% -10%
✖Ruchliwość dziur to zdolność dziury do poruszania się w metalu lub półprzewodniku w obecności przyłożonego pola elektrycznego.ⓘ Ruchliwość otworów [μ_p]			+10% -10%

✖Przewodność jest miarą łatwości, z jaką ładunek elektryczny lub ciepło może przechodzić przez materiał. Jest to odwrotność rezystywności.ⓘ Przewodnictwo w półprzewodnikach [σ]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Przewodnictwo w półprzewodnikach

Formuła

`"σ" = ("ρ"_{"e"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"n"})+("ρ"_{"h"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"p"})`

Przykład

`"0.868062S/m"=("3.01e10kg/cm³"*"[Charge-e]"*"180m²/V*s")+("100000.345kg/cm³"*"[Charge-e]"*"150m²/V*s")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka półprzewodników Formuły PDF PDF Image

Przewodnictwo w półprzewodnikach Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Przewodność = (Gęstość elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów)+(Gęstość otworów*[Charge-e]*Ruchliwość otworów)
σ = (ρ_e*[Charge-e]*μ_n)+(ρ_h*[Charge-e]*μ_p)
Ta formuła używa 1 Stałe, 5 Zmienne

Używane stałe

[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19

Używane zmienne

Przewodność - (Mierzone w Siemens/Metr) - Przewodność jest miarą łatwości, z jaką ładunek elektryczny lub ciepło może przechodzić przez materiał. Jest to odwrotność rezystywności.
Gęstość elektronów - (Mierzone w Kilogram na metr sześcienny) - Gęstość elektronów odnosi się do miary liczby elektronów obecnych w danej ilości materiału.
Ruchliwość elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość elektronu jest definiowana jako wielkość średniej prędkości dryfu na jednostkę pola elektrycznego.
Gęstość otworów - (Mierzone w Kilogram na metr sześcienny) - Gęstość dziur odnosi się do liczby wolnych stanów energetycznych (znanych jako „dziury”), które mogą istnieć w paśmie walencyjnym materiału półprzewodnikowego.
Ruchliwość otworów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość dziur to zdolność dziury do poruszania się w metalu lub półprzewodniku w obecności przyłożonego pola elektrycznego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Gęstość elektronów: 30100000000 Kilogram na centymetr sześcienny --> 3.01E+16 Kilogram na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Ruchliwość elektronów: 180 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 180 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Gęstość otworów: 100000.345 Kilogram na centymetr sześcienny --> 100000345000 Kilogram na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Ruchliwość otworów: 150 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 150 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

σ = (ρ_e*[Charge-e]*μ_n)+(ρ_h*[Charge-e]*μ_p) --> (3.01E+16*[Charge-e]*180)+(100000345000*[Charge-e]*150)

Ocenianie ... ...

σ = 0.868061695989221

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.868061695989221 Siemens/Metr --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.868061695989221 ≈ 0.868062 Siemens/Metr <-- Przewodność

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » EDC » Charakterystyka półprzewodników » Przewodnictwo w półprzewodnikach

Kredyty

Stworzone przez Akshada Kulkarni

Narodowy Instytut Informatyki (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni utworzył ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indie

Team Softusvista zweryfikował ten kalkulator i 1100+ więcej kalkulatorów!

< 13 Charakterystyka półprzewodników Kalkulatory

Przewodnictwo w półprzewodnikach

Iść Przewodność = (Gęstość elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów)+(Gęstość otworów*[Charge-e]*Ruchliwość otworów)

Funkcja dystrybucji Fermiego Diraca

Iść Funkcja dystrybucji Fermiego Diraca = 1/(1+e^((Energia poziomu Fermiego-Energia poziomu Fermiego)/([BoltZ]*Temperatura)))

Przewodność zewnętrznego półprzewodnika dla typu P

Iść Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) = Koncentracja akceptora*[Charge-e]*Ruchliwość otworów

Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N

Iść Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) = Koncentracja dawców*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów

Długość dyfuzji elektronów

Iść Długość dyfuzji elektronów = sqrt(Stała dyfuzji elektronów*Dożywotni przewoźnik mniejszościowy)

Pasmo energetyczne

Iść Pasmo energetyczne = Pasmo energetyczne przy 0K-(Temperatura*Stała specyficzna dla materiału)

Koncentracja większości nośników w półprzewodnikach dla typu p

Iść Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych

Stężenie większości nośników w półprzewodnikach

Iść Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych

Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników

Iść Samoistny półprzewodnik poziomu Fermiego = (Energia pasma przewodnictwa+Energia pasma Valance'a)/2

Mobilność nośników ładunku

Iść Mobilność przewoźników ładunków = Prędkość dryfu/Natężenie pola elektrycznego

Gęstość prądu dryfu

Iść Gęstość prądu dryfu = Gęstość prądu otworów+Gęstość prądu elektronowego

Pole elektryczne wywołane napięciem Halla

Iść Pole elektryczne Halla = Napięcie Halla/Szerokość przewodnika

Napięcie nasycenia za pomocą napięcia progowego

Iść Napięcie nasycenia = Napięcie źródła bramki-Próg napięcia

Przewodnictwo w półprzewodnikach Formułę

Przewodność = (Gęstość elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów)+(Gęstość otworów*[Charge-e]*Ruchliwość otworów)
σ = (ρ_e*[Charge-e]*μ_n)+(ρ_h*[Charge-e]*μ_p)

Co to jest przewodnictwo w półprzewodnikach?

Przewodnictwo jest wprost proporcjonalne do ruchliwości. Jeśli w półprzewodniku obecne są zarówno zanieczyszczenia donorowe, jak i akceptorowe, możemy powiedzieć, że przewodnictwo całkowite wynika z przewodnictwa zarówno elektronów, jak i dziur w półprzewodniku.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!