Condutividade em semicondutores Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Condutividade = (Densidade eletrônica*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron)+(Densidade dos furos*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos)
σ = (ρe*[Charge-e]*μn)+(ρh*[Charge-e]*μp)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 5 Variáveis
Constantes Usadas
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Variáveis Usadas
Condutividade - (Medido em Siemens/Metro) - A condutividade é a medida da facilidade com que uma carga elétrica ou calor pode passar através de um material. É o recíproco da resistividade.
Densidade eletrônica - (Medido em Quilograma por Metro Cúbico) - A densidade eletrônica refere-se à medida de quantos elétrons estão presentes em uma determinada quantidade do material.
Mobilidade do Elétron - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade do elétron é definida como a magnitude da velocidade média de deriva por unidade de campo elétrico.
Densidade dos furos - (Medido em Quilograma por Metro Cúbico) - Densidade de buracos refere-se ao número de estados de energia vagos (conhecidos como "buracos") que podem existir na banda de valência de um material semicondutor.
Mobilidade de Buracos - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - Mobilidade de buracos é a capacidade de um buraco se mover através de um metal ou semicondutor, na presença de um campo elétrico aplicado.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Densidade eletrônica: 30100000000 Quilograma por Centímetro Cúbico --> 3.01E+16 Quilograma por Metro Cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
Mobilidade do Elétron: 180 Metro quadrado por volt por segundo --> 180 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Densidade dos furos: 100000.345 Quilograma por Centímetro Cúbico --> 100000345000 Quilograma por Metro Cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
Mobilidade de Buracos: 150 Metro quadrado por volt por segundo --> 150 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
σ = (ρe*[Charge-e]*μn)+(ρh*[Charge-e]*μp) --> (3.01E+16*[Charge-e]*180)+(100000345000*[Charge-e]*150)
Avaliando ... ...
σ = 0.868061695989221
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.868061695989221 Siemens/Metro --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.868061695989221 0.868062 Siemens/Metro <-- Condutividade
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Akshada Kulkarni
Instituto Nacional de Tecnologia da Informação (NIIT), Neemrana
Akshada Kulkarni criou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!
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Verificado por Equipe Softusvista
Escritório Softusvista (Pune), Índia
Equipe Softusvista verificou esta calculadora e mais 1100+ calculadoras!

13 Características do semicondutor Calculadoras

Condutividade em semicondutores
​ Vai Condutividade = (Densidade eletrônica*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron)+(Densidade dos furos*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos)
Função de Distribuição de Fermi Dirac
​ Vai Função de Distribuição de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Nível Fermi de Energia-Nível Fermi de Energia)/([BoltZ]*Temperatura)))
Condutividade do semicondutor extrínseco para tipo P
​ Vai Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo p) = Concentração do Aceitador*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos
Condutividade de semicondutores extrínsecos para tipo N
​ Vai Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo n) = Concentração de Doadores*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron
Comprimento de difusão de elétrons
​ Vai Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)
Gap de banda de energia
​ Vai Gap de banda de energia = Intervalo de banda de energia em 0K-(Temperatura*Constante Específica do Material)
Concentração de portadores majoritários em semicondutores para tipo p
​ Vai Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários
Concentração de Portadores Majoritários em Semicondutores
​ Vai Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários
Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos
​ Vai Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2
Densidade de corrente de deriva
​ Vai Densidade de corrente de deriva = Densidade atual dos furos+Densidade de Corrente Eletrônica
Mobilidade de Portadores de Carga
​ Vai Mobilidade de Portadores de Carga = Velocidade de deriva/Intensidade do Campo Elétrico
Tensão de saturação usando tensão limite
​ Vai Tensão de saturação = Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar
Campo elétrico devido à tensão Hall
​ Vai Campo Elétrico Hall = Tensão Hall/Largura do Condutor

Condutividade em semicondutores Fórmula

Condutividade = (Densidade eletrônica*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron)+(Densidade dos furos*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos)
σ = (ρe*[Charge-e]*μn)+(ρh*[Charge-e]*μp)

O que é condutividade em semicondutores?

A condutividade é diretamente proporcional à mobilidade. Se as impurezas doadoras e aceitadoras estiverem presentes em um semicondutor, podemos dizer que a condutividade total é devida à condutividade de elétrons e lacunas presentes em um semicondutor.

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