Ширина области истощения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Ширина области истощения = Длина соединения PN-Эффективная длина канала
Ld = Lpn-Leff
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Ширина области истощения - (Измеряется в метр) - Ширина области обеднения в типичном кремниевом диоде колеблется от долей микрометра до десятков микрометров в зависимости от геометрии устройства, профиля легирования и внешнего смещения.
Длина соединения PN - (Измеряется в метр) - Длина PN-перехода определяется как общая длина перехода от p-стороны до n-стороны в полупроводнике.
Эффективная длина канала - (Измеряется в метр) - Эффективная длина канала определяется как путь, соединяющий носители заряда между стоком и истоком.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Длина соединения PN: 19 Миллиметр --> 0.019 метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Эффективная длина канала: 8 Миллиметр --> 0.008 метр (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Ld = Lpn-Leff --> 0.019-0.008
Оценка ... ...
Ld = 0.011
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.011 метр -->11 Миллиметр (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
11 Миллиметр <-- Ширина области истощения
(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

15 Характеристики схемы КМОП Калькуляторы

Эффективная емкость CMOS
​ Идти Эффективная емкость в КМОП = Рабочий цикл*(Выкл. ток*(10^(Базовое напряжение коллектора)))/(Гейтс на критическом пути*[BoltZ]*Базовое напряжение коллектора)
Проницаемость оксидного слоя
​ Идти Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя = Толщина оксидного слоя*Емкость входного затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)
Толщина оксидного слоя
​ Идти Толщина оксидного слоя = Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя*Ширина ворот*Длина ворот/Емкость входного затвора
Ширина ворот
​ Идти Ширина ворот = Емкость входного затвора/(Емкость оксидного слоя затвора*Длина ворот)
Критическое напряжение КМОП
​ Идти Критическое напряжение в КМОП = Критическое электрическое поле*Длина свободного пробега
Средний свободный путь CMOS
​ Идти Длина свободного пробега = Критическое напряжение в КМОП/Критическое электрическое поле
Периметр боковой стенки источника диффузии
​ Идти Периметр боковой стенки диффузии источника = (2*Ширина перехода)+(2*Длина источника)
Напряжение при минимальной ЭДП
​ Идти Напряжение при минимальном EDP = (3*Пороговое напряжение)/(3-Фактор активности)
Критическое электрическое поле
​ Идти Критическое электрическое поле = (2*Насыщение скорости)/Мобильность электрона
Ширина области истощения
​ Идти Ширина области истощения = Длина соединения PN-Эффективная длина канала
Эффективная длина канала
​ Идти Эффективная длина канала = Длина соединения PN-Ширина области истощения
Длина соединения PN
​ Идти Длина соединения PN = Ширина области истощения+Эффективная длина канала
Ширина перехода КМОП
​ Идти Ширина перехода = Емкость перекрытия МОП-затвора/Емкость МОП-ворота
Ширина исходного распространения
​ Идти Ширина перехода = Область диффузии источника/Длина источника
Область диффузии источника
​ Идти Область диффузии источника = Длина источника*Ширина перехода

Ширина области истощения формула

Ширина области истощения = Длина соединения PN-Эффективная длина канала
Ld = Lpn-Leff

В чем важность модуляции длины канала?

Модуляция длины канала (CLM) — это метод, используемый в системах цифровой связи для регулировки длины канала связи в соответствии со скоростью передачи данных передаваемого сигнала. CLM может помочь улучшить соотношение сигнал/шум и увеличить скорость передачи данных, что делает его важнейшим аспектом цифровой связи.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!