Критическое напряжение КМОП Калькулятор

✖Критическое электрическое поле определяется как электрическая сила на единицу заряда.ⓘ Критическое электрическое поле [E_c]			+10% -10%
✖Средний свободный путь определяется как среднее расстояние, пройденное движущейся частицей между последовательными ударами, которое изменяет ее направление, энергию или другие свойства частицы.ⓘ Длина свободного пробега [L]			+10% -10%

✖Критическое напряжение в КМОП — это минимальная фаза нейтрального напряжения, которая светится и появляется по всему линейному проводнику.ⓘ Критическое напряжение КМОП [V_c]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Критическое напряжение КМОП

Формула

`"V"_{"c"} = "E"_{"c"}*"L"`

Пример

`"2.79028V"="0.004V/mm"*"697.57mm"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Характеристики схемы КМОП Формулы PDF PDF Image

Критическое напряжение КМОП Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Критическое напряжение в КМОП = Критическое электрическое поле*Длина свободного пробега
V_c = E_c*L
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Критическое напряжение в КМОП - (Измеряется в вольт) - Критическое напряжение в КМОП — это минимальная фаза нейтрального напряжения, которая светится и появляется по всему линейному проводнику.
Критическое электрическое поле - (Измеряется в Вольт на метр) - Критическое электрическое поле определяется как электрическая сила на единицу заряда.
Длина свободного пробега - (Измеряется в метр) - Средний свободный путь определяется как среднее расстояние, пройденное движущейся частицей между последовательными ударами, которое изменяет ее направление, энергию или другие свойства частицы.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Критическое электрическое поле: 0.004 вольт на миллиметр --> 4 Вольт на метр (Проверьте преобразование здесь)
Длина свободного пробега: 697.57 Миллиметр --> 0.69757 метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_c = E_c*L --> 4*0.69757

Оценка ... ...

V_c = 2.79028

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

2.79028 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

2.79028 вольт <-- Критическое напряжение в КМОП

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Проектирование и применение КМОП » Характеристики схемы КМОП » Критическое напряжение КМОП

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 15 Характеристики схемы КМОП Калькуляторы

Эффективная емкость CMOS

Идти Эффективная емкость в КМОП = Рабочий цикл*(Выкл. ток*(10^(Базовое напряжение коллектора)))/(Гейтс на критическом пути*[BoltZ]*Базовое напряжение коллектора)

Проницаемость оксидного слоя

Идти Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя = Толщина оксидного слоя*Емкость входного затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)

Толщина оксидного слоя

Идти Толщина оксидного слоя = Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя*Ширина ворот*Длина ворот/Емкость входного затвора

Ширина ворот

Идти Ширина ворот = Емкость входного затвора/(Емкость оксидного слоя затвора*Длина ворот)

Критическое напряжение КМОП

Идти Критическое напряжение в КМОП = Критическое электрическое поле*Длина свободного пробега

Средний свободный путь CMOS

Идти Длина свободного пробега = Критическое напряжение в КМОП/Критическое электрическое поле

Периметр боковой стенки источника диффузии

Идти Периметр боковой стенки диффузии источника = (2*Ширина перехода)+(2*Длина источника)

Напряжение при минимальной ЭДП

Идти Напряжение при минимальном EDP = (3*Пороговое напряжение)/(3-Фактор активности)

Критическое электрическое поле

Идти Критическое электрическое поле = (2*Насыщение скорости)/Мобильность электрона

Ширина области истощения

Идти Ширина области истощения = Длина соединения PN-Эффективная длина канала

Эффективная длина канала

Идти Эффективная длина канала = Длина соединения PN-Ширина области истощения

Длина соединения PN

Идти Длина соединения PN = Ширина области истощения+Эффективная длина канала

Ширина перехода КМОП

Идти Ширина перехода = Емкость перекрытия МОП-затвора/Емкость МОП-ворота

Ширина исходного распространения

Идти Ширина перехода = Область диффузии источника/Длина источника

Область диффузии источника

Идти Область диффузии источника = Длина источника*Ширина перехода

Критическое напряжение КМОП формула

Критическое напряжение в КМОП = Критическое электрическое поле*Длина свободного пробега
V_c = E_c*L

Что такое снижение подвижности?

Высокое напряжение на затворе транзистора притягивает носители к краю канала, вызывая столкновения с границей раздела оксида, которые замедляют носители. Это называется ухудшением подвижности.

Что такое насыщение скорости?

Несущие приближаются к максимальной скорости vsat, когда применяются сильные поля. Это явление называется насыщением скорости.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!