Ширина исходного распространения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Ширина перехода = Область диффузии источника/Длина источника
W = As/Ds
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Ширина перехода - (Измеряется в метр) - Ширина перехода определяется как увеличение ширины при увеличении напряжения сток-исток, в результате чего область триода переходит в область насыщения.
Область диффузии источника - (Измеряется в Квадратный метр) - Область диффузии источника определяется как чистое перемещение чего-либо из области с более высокой концентрацией в область с более низкой концентрацией в зоне ворот источника.
Длина источника - (Измеряется в метр) - Длина источника определяется как общая длина, наблюдаемая на истоковом переходе МОП-транзистора.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Область диффузии источника: 5479 Площадь Миллиметр --> 0.005479 Квадратный метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Длина источника: 61 Миллиметр --> 0.061 метр (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
W = As/Ds --> 0.005479/0.061
Оценка ... ...
W = 0.0898196721311476
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.0898196721311476 метр -->89.8196721311476 Миллиметр (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
89.8196721311476 89.81967 Миллиметр <-- Ширина перехода
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

15 Характеристики схемы КМОП Калькуляторы

Эффективная емкость CMOS
​ Идти Эффективная емкость в КМОП = Рабочий цикл*(Выкл. ток*(10^(Базовое напряжение коллектора)))/(Гейтс на критическом пути*[BoltZ]*Базовое напряжение коллектора)
Проницаемость оксидного слоя
​ Идти Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя = Толщина оксидного слоя*Емкость входного затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)
Толщина оксидного слоя
​ Идти Толщина оксидного слоя = Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя*Ширина ворот*Длина ворот/Емкость входного затвора
Ширина ворот
​ Идти Ширина ворот = Емкость входного затвора/(Емкость оксидного слоя затвора*Длина ворот)
Критическое напряжение КМОП
​ Идти Критическое напряжение в КМОП = Критическое электрическое поле*Длина свободного пробега
Средний свободный путь CMOS
​ Идти Длина свободного пробега = Критическое напряжение в КМОП/Критическое электрическое поле
Периметр боковой стенки источника диффузии
​ Идти Периметр боковой стенки диффузии источника = (2*Ширина перехода)+(2*Длина источника)
Напряжение при минимальной ЭДП
​ Идти Напряжение при минимальном EDP = (3*Пороговое напряжение)/(3-Фактор активности)
Критическое электрическое поле
​ Идти Критическое электрическое поле = (2*Насыщение скорости)/Мобильность электрона
Ширина области истощения
​ Идти Ширина области истощения = Длина соединения PN-Эффективная длина канала
Эффективная длина канала
​ Идти Эффективная длина канала = Длина соединения PN-Ширина области истощения
Длина соединения PN
​ Идти Длина соединения PN = Ширина области истощения+Эффективная длина канала
Ширина перехода КМОП
​ Идти Ширина перехода = Емкость перекрытия МОП-затвора/Емкость МОП-ворота
Ширина исходного распространения
​ Идти Ширина перехода = Область диффузии источника/Длина источника
Область диффузии источника
​ Идти Область диффузии источника = Длина источника*Ширина перехода

Ширина исходного распространения формула

Ширина перехода = Область диффузии источника/Длина источника
W = As/Ds

Каковы применения диффузии источника?

Диффузия источника — важнейший процесс в КМОП-технологии, имеющий множество применений. Он используется для уменьшения габаритов транзисторов, улучшения производительности последовательных цепей и увеличения общего быстродействия микросхем. Более того, диффузия источников облегчает интеграцию нескольких транзисторов на одном кристалле, что позволяет изготавливать сложные интегральные схемы с высокой плотностью размещения.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!