Largeur de la région d'appauvrissement Calculatrice

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✖La longueur de jonction PN est définie comme la longueur totale de la jonction du côté p au côté n dans un semi-conducteur.ⓘ Longueur de jonction PN [L_pn]			+10% -10%
✖La longueur effective du canal est définie comme le chemin qui relie les porteurs de charge entre le drain et la source.ⓘ Longueur effective du canal [L_eff]			+10% -10%

✖La largeur de la région d'appauvrissement dans une diode Si typique varie d'une fraction de micromètre à des dizaines de micromètres en fonction de la géométrie du dispositif, du profil de dopage et de la polarisation externe.ⓘ Largeur de la région d'appauvrissement [L_d]

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Formule

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Largeur de la région d'appauvrissement

Formule

`"L"_{"d"} = "L"_{"pn"}-"L"_{"eff"}`

Exemple

`"11mm"="19mm"-"8mm"`

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Largeur de la région d'appauvrissement Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Largeur de la région d'épuisement = Longueur de jonction PN-Longueur effective du canal
L_d = L_pn-L_eff
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Largeur de la région d'épuisement - (Mesuré en Mètre) - La largeur de la région d'appauvrissement dans une diode Si typique varie d'une fraction de micromètre à des dizaines de micromètres en fonction de la géométrie du dispositif, du profil de dopage et de la polarisation externe.
Longueur de jonction PN - (Mesuré en Mètre) - La longueur de jonction PN est définie comme la longueur totale de la jonction du côté p au côté n dans un semi-conducteur.
Longueur effective du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur effective du canal est définie comme le chemin qui relie les porteurs de charge entre le drain et la source.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Longueur de jonction PN: 19 Millimètre --> 0.019 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Longueur effective du canal: 8 Millimètre --> 0.008 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

L_d = L_pn-L_eff --> 0.019-0.008

Évaluer ... ...

L_d = 0.011

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.011 Mètre -->11 Millimètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

11 Millimètre <-- Largeur de la région d'épuisement

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 15 Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Capacité effective en CMOS

Aller Capacité effective en CMOS = Cycle de service*(Hors courant*(10^(Tension du collecteur de base)))/(Portes sur le chemin critique*[BoltZ]*Tension du collecteur de base)

Permittivité de la couche d'oxyde

Aller Permittivité de la couche d'oxyde = Épaisseur de la couche d'oxyde*Capacité de la porte d'entrée/(Largeur du portail*Longueur de la porte)

Épaisseur de la couche d'oxyde

Aller Épaisseur de la couche d'oxyde = Permittivité de la couche d'oxyde*Largeur du portail*Longueur de la porte/Capacité de la porte d'entrée

Largeur de la porte

Aller Largeur du portail = Capacité de la porte d'entrée/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Longueur de la porte)

Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source

Aller Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source = (2*Largeur de transition)+(2*Longueur de la source)

Largeur de la région d'appauvrissement

Aller Largeur de la région d'épuisement = Longueur de jonction PN-Longueur effective du canal

Largeur de transition du CMOS

Aller Largeur de transition = Capacité de chevauchement de porte MOS/Capacité de la porte MOS

Longueur effective du canal

Aller Longueur effective du canal = Longueur de jonction PN-Largeur de la région d'épuisement

Longueur de jonction PN

Aller Longueur de jonction PN = Largeur de la région d'épuisement+Longueur effective du canal

Champ électrique critique

Aller Champ électrique critique = (2*Saturation de la vitesse)/Mobilité de l'électron

Largeur de diffusion de la source

Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source

Zone de diffusion de la source

Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition

CMOS Moyenne Parcours Libre

Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique

Tension critique CMOS

Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen

Tension au minimum EDP

Aller Tension à l'EDP minimum = (3*Tension de seuil)/(3-Facteur d'activité)

Largeur de la région d'appauvrissement Formule

Largeur de la région d'épuisement = Longueur de jonction PN-Longueur effective du canal
L_d = L_pn-L_eff

Quelle est l'importance de la modulation de longueur de canal ?

La modulation de longueur de canal (CLM) est une technique utilisée dans les systèmes de communication numérique pour ajuster la longueur d'un canal de communication en fonction du débit binaire du signal transmis. CLM peut contribuer à améliorer le rapport signal/bruit et à augmenter le taux de transmission des données, ce qui en fait un aspect crucial de la communication numérique.

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