✖Параметр крутизны процесса в PMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.ⓘ Параметр крутизны процесса в PMOS [k'p] | | | +10% -10% |
✖Эффективное напряжение — это эквивалентное постоянное напряжение, при котором рассеиваемая мощность на резистивной нагрузке будет такой же, как и при измеряемом переменном напряжении.ⓘ Эффективное напряжение [Vov] | | | +10% -10% |