Ток в инверсионном канале PMOS с учетом подвижности Калькулятор

✖Подвижность дырок в канале зависит от различных факторов, таких как кристаллическая структура полупроводникового материала, наличие примесей, температура,ⓘ Подвижность отверстий в канале [μ_p]			+10% -10%
✖Горизонтальная составляющая электрического поля в канале — это напряженность электрического поля, существующего в материале под оксидным слоем затвора, в области, где формируется инверсионный слой.ⓘ Горизонтальная составляющая электрического поля в канале [E_y]			+10% -10%

✖Скорость дрейфа инверсионного слоя в полевом МОП-транзисторе представляет собой среднюю скорость электронов, составляющих инверсионный слой, при их движении через материал под действием электрического поля.ⓘ Ток в инверсионном канале PMOS с учетом подвижности [V_y]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Ток в инверсионном канале PMOS с учетом подвижности

Формула

`"V"_{"y"} = "μ"_{"p"}*"E"_{"y"}`

Пример

`"1463cm/s"="2.66m²/V*s"*"5.5V/m"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Ток в инверсионном канале PMOS с учетом подвижности Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Скорость дрейфа инверсии = Подвижность отверстий в канале*Горизонтальная составляющая электрического поля в канале
V_y = μ_p*E_y
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Скорость дрейфа инверсии - (Измеряется в метр в секунду) - Скорость дрейфа инверсионного слоя в полевом МОП-транзисторе представляет собой среднюю скорость электронов, составляющих инверсионный слой, при их движении через материал под действием электрического поля.
Подвижность отверстий в канале - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность дырок в канале зависит от различных факторов, таких как кристаллическая структура полупроводникового материала, наличие примесей, температура,
Горизонтальная составляющая электрического поля в канале - (Измеряется в Вольт на метр) - Горизонтальная составляющая электрического поля в канале — это напряженность электрического поля, существующего в материале под оксидным слоем затвора, в области, где формируется инверсионный слой.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Подвижность отверстий в канале: 2.66 Квадратный метр на вольт в секунду --> 2.66 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Горизонтальная составляющая электрического поля в канале: 5.5 Вольт на метр --> 5.5 Вольт на метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_y = μ_p*E_y --> 2.66*5.5

Оценка ... ...

V_y = 14.63

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

14.63 метр в секунду -->1463 Сантиметр в секунду (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1463 Сантиметр в секунду <-- Скорость дрейфа инверсии

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Улучшение P-канала » Ток в инверсионном канале PMOS с учетом подвижности

Кредиты

Сделано Аман Дуссават

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ГУРУ ТЕХ БАХАДУР (ГТБИТ), НЬЮ-ДЕЛИ

Аман Дуссават создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 600+!

< 14 Улучшение P-канала Калькуляторы

Общий ток стока транзистора PMOS

Идти Ток стока = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2*(1+Напряжение между стоком и истоком/modulus(Раннее напряжение))

Ток стока в области триода PMOS-транзистора

Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*((Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))*Напряжение между стоком и истоком-1/2*(Напряжение между стоком и истоком)^2)

Эффект тела в ПМОС

Идти Изменение порогового напряжения = Пороговое напряжение+Параметр процесса изготовления*(sqrt(2*Физический параметр+Напряжение между телом и источником)-sqrt(2*Физический параметр))

Ток стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd

Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(modulus(Эффективное напряжение)-1/2*Напряжение между стоком и истоком)*Напряжение между стоком и истоком

Ток стока в области насыщения транзистора PMOS

Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2

Ток стока от источника к стоку

Идти Ток стока = (Ширина соединения*Заряд инверсионного слоя*Подвижность отверстий в канале*Горизонтальная составляющая электрического поля в канале)

Заряд инверсионного слоя в условиях отсечки в PMOS

Идти Заряд инверсионного слоя = -Оксид Емкость*(Напряжение между затвором и источником-Пороговое напряжение-Напряжение между стоком и истоком)

Параметр Backgate Effect в PMOS

Идти Параметр эффекта Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Концентрация доноров)/Оксид Емкость

Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov

Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение)^2

Заряд инверсионного слоя в PMOS

Идти Заряд инверсионного слоя = -Оксид Емкость*(Напряжение между затвором и источником-Пороговое напряжение)

Повышенное напряжение PMOS

Идти Эффективное напряжение = Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение)

Ток в инверсионном канале PMOS с учетом подвижности

Идти Скорость дрейфа инверсии = Подвижность отверстий в канале*Горизонтальная составляющая электрического поля в канале

Ток в инверсионном канале PMOS

Идти Ток стока = (Ширина соединения*Заряд инверсионного слоя*Скорость дрейфа инверсии)

Параметр крутизны процесса PMOS

Идти Параметр крутизны процесса в PMOS = Подвижность отверстий в канале*Оксид Емкость

Ток в инверсионном канале PMOS с учетом подвижности формула

Скорость дрейфа инверсии = Подвижность отверстий в канале*Горизонтальная составляющая электрического поля в канале
V_y = μ_p*E_y

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!