Эффект тела в ПМОС Калькулятор

✖Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.ⓘ Пороговое напряжение [V_T]			+10% -10%
✖Параметром процесса изготовления является процесс, который начинается с окисления кремниевой подложки, при котором на поверхность осаждается относительно толстый оксидный слой.ⓘ Параметр процесса изготовления [γ]			+10% -10%
✖Физические параметры могут использоваться для описания состояния или состояния физической системы или для характеристики того, как система реагирует на различные стимулы или входные данные.ⓘ Физический параметр [φ_f]			+10% -10%
✖Напряжение между телом и источником важно, поскольку оно может влиять на безопасную работу электронных устройств.ⓘ Напряжение между телом и источником [V_SB]			+10% -10%

✖Изменение порогового напряжения может быть вызвано различными факторами, включая изменения температуры, радиационное воздействие и старение.ⓘ Эффект тела в ПМОС [ΔV_t]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Эффект тела в ПМОС

Формула

`"ΔV"_{"t"} = "V"_{"T"}+"γ"*(sqrt(2*"φ"_{"f"}+"V"_{"SB"})-sqrt(2*"φ"_{"f"}))`

Пример

`"1.600478V"="0.7V"+"0.4"*(sqrt(2*"0.6V"+"10V")-sqrt(2*"0.6V"))`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF

Эффект тела в ПМОС Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Изменение порогового напряжения = Пороговое напряжение+Параметр процесса изготовления*(sqrt(2*Физический параметр+Напряжение между телом и источником)-sqrt(2*Физический параметр))
ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
В этой формуле используются 1 Функции, 5 Переменные

Используемые функции

sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Изменение порогового напряжения - (Измеряется в вольт) - Изменение порогового напряжения может быть вызвано различными факторами, включая изменения температуры, радиационное воздействие и старение.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.
Параметр процесса изготовления - Параметром процесса изготовления является процесс, который начинается с окисления кремниевой подложки, при котором на поверхность осаждается относительно толстый оксидный слой.
Физический параметр - (Измеряется в вольт) - Физические параметры могут использоваться для описания состояния или состояния физической системы или для характеристики того, как система реагирует на различные стимулы или входные данные.
Напряжение между телом и источником - (Измеряется в вольт) - Напряжение между телом и источником важно, поскольку оно может влиять на безопасную работу электронных устройств.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Пороговое напряжение: 0.7 вольт --> 0.7 вольт Конверсия не требуется
Параметр процесса изготовления: 0.4 --> Конверсия не требуется
Физический параметр: 0.6 вольт --> 0.6 вольт Конверсия не требуется
Напряжение между телом и источником: 10 вольт --> 10 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6))

Оценка ... ...

ΔV_t = 1.60047799645039

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.60047799645039 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1.60047799645039 ≈ 1.600478 вольт <-- Изменение порогового напряжения

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Улучшение P-канала » Эффект тела в ПМОС

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 14 Улучшение P-канала Калькуляторы

Общий ток стока транзистора PMOS

Идти Ток стока = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2*(1+Напряжение между стоком и истоком/modulus(Раннее напряжение))

Ток стока в области триода PMOS-транзистора

Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*((Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))*Напряжение между стоком и истоком-1/2*(Напряжение между стоком и истоком)^2)

Эффект тела в ПМОС

Идти Изменение порогового напряжения = Пороговое напряжение+Параметр процесса изготовления*(sqrt(2*Физический параметр+Напряжение между телом и источником)-sqrt(2*Физический параметр))

Ток стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd

Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(modulus(Эффективное напряжение)-1/2*Напряжение между стоком и истоком)*Напряжение между стоком и истоком

Ток стока в области насыщения транзистора PMOS

Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2

Ток стока от источника к стоку

Идти Ток стока = (Ширина соединения*Заряд инверсионного слоя*Подвижность отверстий в канале*Горизонтальная составляющая электрического поля в канале)

Заряд инверсионного слоя в условиях отсечки в PMOS

Идти Заряд инверсионного слоя = -Оксид Емкость*(Напряжение между затвором и источником-Пороговое напряжение-Напряжение между стоком и истоком)

Параметр Backgate Effect в PMOS

Идти Параметр эффекта Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Концентрация доноров)/Оксид Емкость

Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov

Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение)^2

Заряд инверсионного слоя в PMOS

Идти Заряд инверсионного слоя = -Оксид Емкость*(Напряжение между затвором и источником-Пороговое напряжение)

Повышенное напряжение PMOS

Идти Эффективное напряжение = Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение)

Ток в инверсионном канале PMOS с учетом подвижности

Идти Скорость дрейфа инверсии = Подвижность отверстий в канале*Горизонтальная составляющая электрического поля в канале

Ток в инверсионном канале PMOS

Идти Ток стока = (Ширина соединения*Заряд инверсионного слоя*Скорость дрейфа инверсии)

Параметр крутизны процесса PMOS

Идти Параметр крутизны процесса в PMOS = Подвижность отверстий в канале*Оксид Емкость

Эффект тела в ПМОС формула

Что является причиной телесного эффекта в PMOS? что такое смещение тела?

Эффект тела вызван тем, что разница напряжений между источником и телом влияет на V

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!