Ток эмиттера IGBT Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Ток эмиттера (IGBT) = Ток дырки (IGBT)+Электронный ток (IGBT)
Ie(igbt) = Ih(igbt)+ie(igbt)
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Ток эмиттера (IGBT) - (Измеряется в Ампер) - Ток эмиттера (IGBT) — это ток, который течет в эмиттер устройства. Ток эмиттера определяется нагрузкой, подключенной к коллектору IGBT.
Ток дырки (IGBT) - (Измеряется в Ампер) - Дырочный ток (IGBT) — это ток, который течет через IGBT в направлении, противоположном нормальному потоку электронов.
Электронный ток (IGBT) - (Измеряется в Ампер) - Электронный ток (IGBT): когда на затвор подается напряжение, IGBT включается и позволяет электронам течь от эмиттера к коллектору.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Ток дырки (IGBT): 12.2 Миллиампер --> 0.0122 Ампер (Проверьте преобразование ​здесь)
Электронный ток (IGBT): 0.323 Миллиампер --> 0.000323 Ампер (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Ie(igbt) = Ih(igbt)+ie(igbt) --> 0.0122+0.000323
Оценка ... ...
Ie(igbt) = 0.012523
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.012523 Ампер -->12.523 Миллиампер (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
12.523 Миллиампер <-- Ток эмиттера (IGBT)
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Технологический институт Ачарья (АИТ), Бангалор
Мохамед Фазиль V создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Парминдер Сингх
Чандигархский университет (ТС), Пенджаб
Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

8 БТИЗ Калькуляторы

Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT
​ Идти Прямой ток (IGBT) = (-Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT)+sqrt((Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT))^2+4*Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT)*((Максимальный рабочий переход (IGBT)-Температура корпуса IGBT)/Термическое сопротивление (IGBT))))/(2*Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT))
Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии
​ Идти Падение напряжения на этапе включения (IGBT) = Прямой ток (IGBT)*Сопротивление N-канала (IGBT)+Прямой ток (IGBT)*Дрейфовое сопротивление (IGBT)+Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT)
Напряжение насыщения IGBT
​ Идти Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT) = Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT+Ток стока (IGBT)*(Сопротивление проводимости IGBT+Сопротивление N-канала (IGBT))
Время выключения IGBT
​ Идти Время выключения (IGBT) = Время задержки (IGBT)+Начальное время падения (IGBT)+Время последнего падения (IGBT)
Максимальная рассеиваемая мощность в IGBT
​ Идти Максимальная рассеиваемая мощность (IGBT) = Максимальный рабочий переход (IGBT)/Угол соединения с корпусом (IGBT)
Входная емкость IGBT
​ Идти Входная емкость (IGBT) = Емкость затвор-эмиттер (IGBT)+Емкость ворота-коллектора (IGBT)
Ток эмиттера IGBT
​ Идти Ток эмиттера (IGBT) = Ток дырки (IGBT)+Электронный ток (IGBT)
Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT
​ Идти Напряжение пробоя SOA IGBT = (5.34*10^13)/((Чистый положительный заряд (IGBT))^(3/4))

Ток эмиттера IGBT формула

Ток эмиттера (IGBT) = Ток дырки (IGBT)+Электронный ток (IGBT)
Ie(igbt) = Ih(igbt)+ie(igbt)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!