Emitterstrom des IGBT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Emitterstrom (IGBT) = Löcherstrom (IGBT)+Elektronischer Strom (IGBT)
Ie(igbt) = Ih(igbt)+ie(igbt)
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Emitterstrom (IGBT) - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom (IGBT) ist der Strom, der in den Emitter des Geräts fließt. Der Emitterstrom wird durch die Last bestimmt, die an den Kollektor des IGBT angeschlossen ist.
Löcherstrom (IGBT) - (Gemessen in Ampere) - Löcherstrom (IGBT) ist der Strom, der in entgegengesetzter Richtung zum normalen Elektronenfluss durch den IGBT fließt.
Elektronischer Strom (IGBT) - (Gemessen in Ampere) - Elektronischer Strom (IGBT): Wenn die Gate-Spannung angelegt wird, schaltet sich der IGBT ein und ermöglicht den Elektronenfluss vom Emitter zum Kollektor.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Löcherstrom (IGBT): 12.2 Milliampere --> 0.0122 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Elektronischer Strom (IGBT): 0.323 Milliampere --> 0.000323 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Ie(igbt) = Ih(igbt)+ie(igbt) --> 0.0122+0.000323
Auswerten ... ...
Ie(igbt) = 0.012523
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.012523 Ampere -->12.523 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
12.523 Milliampere <-- Emitterstrom (IGBT)
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Mohamed Fazil V
Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru
Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

8 IGBT Taschenrechner

Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT
​ Gehen Durchlassstrom (IGBT) = (-Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT)+sqrt((Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT))^2+4*Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT)*((Maximale Betriebsspannung (IGBT)-Gehäusetemperatur IGBT)/Thermischer Widerstand (IGBT))))/(2*Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT))
Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand
​ Gehen Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT) = Durchlassstrom (IGBT)*N-Kanal-Widerstand (IGBT)+Durchlassstrom (IGBT)*Driftfestigkeit (IGBT)+Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT)
Sättigungsspannung des IGBT
​ Gehen Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) = Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT+Drain-Strom (IGBT)*(Leitfähigkeit Widerstand IGBT+N-Kanal-Widerstand (IGBT))
IGBT-Ausschaltzeit
​ Gehen Ausschaltzeit (IGBT) = Verzögerungszeit (IGBT)+Anfängliche Abfallzeit (IGBT)+Endgültige Abfallzeit (IGBT)
Maximale Verlustleistung im IGBT
​ Gehen Maximale Verlustleistung (IGBT) = Maximale Betriebsspannung (IGBT)/Anschlusswinkel zum Gehäuse (IGBT)
Eingangskapazität des IGBT
​ Gehen Eingangskapazität (IGBT) = Gate-Emitter-Kapazität (IGBT)+Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT)
Emitterstrom des IGBT
​ Gehen Emitterstrom (IGBT) = Löcherstrom (IGBT)+Elektronischer Strom (IGBT)
Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung
​ Gehen Durchbruchspannung SOA IGBT = (5.34*10^13)/((Positive Nettoladung (IGBT))^(3/4))

Emitterstrom des IGBT Formel

Emitterstrom (IGBT) = Löcherstrom (IGBT)+Elektronischer Strom (IGBT)
Ie(igbt) = Ih(igbt)+ie(igbt)
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