Максимальная концентрация легирующей примеси Калькулятор

✖Эталонная концентрация относится к константе, которая служит эталонной или базовой концентрацией.ⓘ Эталонная концентрация [C_o]			+10% -10%
✖Энергия активации растворимости в твердом теле — параметр, характеризующий энергетический барьер внедрения атомов примеси в кристаллическую решетку полупроводникового материала.ⓘ Энергия активации твердой растворимости [E_s]			+10% -10%
✖Абсолютная температура является мерой тепловой энергии в системе и измеряется в кельвинах.ⓘ Абсолютная температура [T_a]			+10% -10%

✖Максимальная концентрация легирующей примеси описывает, как концентрация атомов примеси в полупроводниковом материале экспоненциально уменьшается с увеличением температуры.ⓘ Максимальная концентрация легирующей примеси [C_s]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Максимальная концентрация легирующей примеси

Формула

`"C"_{"s"} = "C"_{"o"}*exp(-"E"_{"s"}/("[BoltZ]"*"T"_{"a"}))`

Пример

`"4.9E^-9electrons/cm³"="0.005"*exp(-"1E^-23J"/("[BoltZ]"*"24.5K"))`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Максимальная концентрация легирующей примеси Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Максимальная концентрация легирующей примеси = Эталонная концентрация*exp(-Энергия активации твердой растворимости/([BoltZ]*Абсолютная температура))
C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a))
В этой формуле используются 1 Константы, 1 Функции, 4 Переменные

Используемые константы

[BoltZ] - постоянная Больцмана Значение, принятое как 1.38064852E-23

Используемые функции

exp - В показательной функции значение функции изменяется на постоянный коэффициент при каждом изменении единицы независимой переменной., exp(Number)

Используемые переменные

Максимальная концентрация легирующей примеси - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Максимальная концентрация легирующей примеси описывает, как концентрация атомов примеси в полупроводниковом материале экспоненциально уменьшается с увеличением температуры.
Эталонная концентрация - Эталонная концентрация относится к константе, которая служит эталонной или базовой концентрацией.
Энергия активации твердой растворимости - (Измеряется в Джоуль) - Энергия активации растворимости в твердом теле — параметр, характеризующий энергетический барьер внедрения атомов примеси в кристаллическую решетку полупроводникового материала.
Абсолютная температура - (Измеряется в Кельвин) - Абсолютная температура является мерой тепловой энергии в системе и измеряется в кельвинах.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Эталонная концентрация: 0.005 --> Конверсия не требуется
Энергия активации твердой растворимости: 1E-23 Джоуль --> 1E-23 Джоуль Конверсия не требуется
Абсолютная температура: 24.5 Кельвин --> 24.5 Кельвин Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a)) --> 0.005*exp(-1E-23/([BoltZ]*24.5))

Оценка ... ...

C_s = 0.00485434780101741

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.00485434780101741 Электронов на кубический метр -->4.85434780101741E-09 Электронов на кубический сантиметр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

4.85434780101741E-09 ≈ 4.9E-9 Электронов на кубический сантиметр <-- Максимальная концентрация легирующей примеси

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Максимальная концентрация легирующей примеси

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 15 Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Напряжение точки переключения

Идти Напряжение точки переключения = (Напряжение питания+Пороговое напряжение PMOS+Пороговое напряжение NMOS*sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))/(1+sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))

Эффект тела в MOSFET

Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Концентрация донорской легирующей примеси

Идти Концентрация донорской легирующей примеси = (Ток насыщения*Длина транзистора)/([Charge-e]*Ширина транзистора*Электронная подвижность*Емкость слоя обеднения)

Ток стока MOSFET в области насыщения

Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Концентрация акцепторной примеси

Идти Концентрация акцепторной примеси = 1/(2*pi*Длина транзистора*Ширина транзистора*[Charge-e]*Мобильность отверстий*Емкость слоя обеднения)

Максимальная концентрация легирующей примеси

Идти Максимальная концентрация легирующей примеси = Эталонная концентрация*exp(-Энергия активации твердой растворимости/([BoltZ]*Абсолютная температура))

Время распространения

Идти Время распространения = 0.7*Количество проходных транзисторов*((Количество проходных транзисторов+1)/2)*Сопротивление в МОП-транзисторе*Емкость нагрузки

Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами

Идти Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами = [Charge-e]*Электронная концентрация*Электронная подвижность*Напряженность электрического поля

Плотность дрейфового тока из-за дырок

Идти Плотность дрейфового тока из-за дырок = [Charge-e]*Концентрация дырок*Мобильность отверстий*Напряженность электрического поля

Сопротивление канала

Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Критическое измерение

Идти Критическое измерение = Зависимая от процесса константа*Длина волны в фотолитографии/Числовая апертура

Глубина фокуса

Идти Глубина фокуса = Коэффициент пропорциональности*Длина волны в фотолитографии/(Числовая апертура^2)

Умереть на пластину

Идти Умереть на пластину = (pi*Диаметр пластины^2)/(4*Размер каждой матрицы)

Эквивалентная толщина оксида

Идти Эквивалентная толщина оксида = Толщина материала*(3.9/Диэлектрическая проницаемость материала)

Максимальная концентрация легирующей примеси формула

Где я могу найти значения энергии активации?

Экспериментальные значения энергии активации можно найти в учебниках по физике полупроводников, исследовательских работах и базах данных о свойствах материалов. Исследователи часто сообщают в литературе об E_s для конкретных материалов и легирующих добавок.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!