Concentrazione massima di drogante calcolatrice

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Fabbricazione di circuiti integrati MOS

Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

Trigger di Schmitt

✖La concentrazione di riferimento si riferisce a una costante che funge da riferimento o concentrazione di base.ⓘ Concentrazione di riferimento [C_o]			+10% -10%
✖L'energia di attivazione per la solubilità solida è un parametro che caratterizza la barriera energetica per incorporare gli atomi droganti nel reticolo cristallino di un materiale semiconduttore.ⓘ Energia di attivazione per la solubilità solida [E_s]			+10% -10%
✖La temperatura assoluta è una misura dell'energia termica in un sistema e viene misurata in Kelvin.ⓘ Temperatura assoluta [T_a]			+10% -10%

✖La concentrazione massima di drogante descrive come la concentrazione di atomi di drogante in un materiale semiconduttore diminuisce esponenzialmente con l'aumentare della temperatura.ⓘ Concentrazione massima di drogante [C_s]

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Formula

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Concentrazione massima di drogante

Formula

`"C"_{"s"} = "C"_{"o"}*exp(-"E"_{"s"}/("[BoltZ]"*"T"_{"a"}))`

Esempio

`"4.9E^-9electrons/cm³"="0.005"*exp(-"1E^-23J"/("[BoltZ]"*"24.5K"))`

Calcolatrice

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Concentrazione massima di drogante Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione massima di drogante = Concentrazione di riferimento*exp(-Energia di attivazione per la solubilità solida/([BoltZ]*Temperatura assoluta))
C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a))
Questa formula utilizza 1 Costanti, 1 Funzioni, 4 Variabili

Costanti utilizzate

[BoltZ] - Costante di Boltzmann Valore preso come 1.38064852E-23

Funzioni utilizzate

exp - In una funzione esponenziale, il valore della funzione cambia di un fattore costante per ogni variazione unitaria della variabile indipendente., exp(Number)

Variabili utilizzate

Concentrazione massima di drogante - (Misurato in Elettroni per metro cubo) - La concentrazione massima di drogante descrive come la concentrazione di atomi di drogante in un materiale semiconduttore diminuisce esponenzialmente con l'aumentare della temperatura.
Concentrazione di riferimento - La concentrazione di riferimento si riferisce a una costante che funge da riferimento o concentrazione di base.
Energia di attivazione per la solubilità solida - (Misurato in Joule) - L'energia di attivazione per la solubilità solida è un parametro che caratterizza la barriera energetica per incorporare gli atomi droganti nel reticolo cristallino di un materiale semiconduttore.
Temperatura assoluta - (Misurato in Kelvin) - La temperatura assoluta è una misura dell'energia termica in un sistema e viene misurata in Kelvin.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione di riferimento: 0.005 --> Nessuna conversione richiesta
Energia di attivazione per la solubilità solida: 1E-23 Joule --> 1E-23 Joule Nessuna conversione richiesta
Temperatura assoluta: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a)) --> 0.005*exp(-1E-23/([BoltZ]*24.5))

Valutare ... ...

C_s = 0.00485434780101741

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.00485434780101741 Elettroni per metro cubo -->4.85434780101741E-09 Elettroni per centimetro cubo (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

4.85434780101741E-09 ≈ 4.9E-9 Elettroni per centimetro cubo <-- Concentrazione massima di drogante

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 15 Fabbricazione di circuiti integrati MOS Calcolatrici

Tensione del punto di commutazione

Partire Tensione del punto di commutazione = (Tensione di alimentazione+Tensione di soglia PMOS+Tensione di soglia NMOS*sqrt(Guadagno del transistor NMOS/Guadagno del transistor PMOS))/(1+sqrt(Guadagno del transistor NMOS/Guadagno del transistor PMOS))

Effetto corpo nel MOSFET

Partire Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))

Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)

Concentrazione del drogante del donatore

Partire Concentrazione del drogante del donatore = (Corrente di saturazione*Lunghezza del transistor)/([Charge-e]*Larghezza del transistor*Mobilità elettronica*Capacità dello strato di esaurimento)

Concentrazione del drogante accettore

Partire Concentrazione del drogante accettore = 1/(2*pi*Lunghezza del transistor*Larghezza del transistor*[Charge-e]*Mobilità dei fori*Capacità dello strato di esaurimento)

Concentrazione massima di drogante

Partire Concentrazione massima di drogante = Concentrazione di riferimento*exp(-Energia di attivazione per la solubilità solida/([BoltZ]*Temperatura assoluta))

Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni liberi

Partire Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni = [Charge-e]*Concentrazione di elettroni*Mobilità elettronica*Intensità del campo elettrico

Tempo di propagazione

Partire Tempo di propagazione = 0.7*Numero di transistor di passaggio*((Numero di transistor di passaggio+1)/2)*Resistenza nel MOSFET*Capacità di carico

Deriva della densità di corrente dovuta ai fori

Partire Deriva della densità di corrente dovuta ai fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico

Resistenza del canale

Partire Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)

Frequenza di guadagno unitario MOSFET

Partire Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)

Profondità di messa a fuoco

Partire Profondità di messa a fuoco = Fattore di proporzionalità*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/(Apertura numerica^2)

Dimensione critica

Partire Dimensione critica = Costante dipendente dal processo*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/Apertura numerica

Muori per wafer

Partire Muori per wafer = (pi*Diametro del wafer^2)/(4*Dimensioni di ogni dado)

Spessore equivalente dell'ossido

Partire Spessore equivalente dell'ossido = Spessore del materiale*(3.9/Costante dielettrica del materiale)

Concentrazione massima di drogante Formula

Concentrazione massima di drogante = Concentrazione di riferimento*exp(-Energia di attivazione per la solubilità solida/([BoltZ]*Temperatura assoluta))
C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a))

Dove posso trovare i valori per l'energia di attivazione?

I valori sperimentali per l'energia di attivazione possono essere trovati nei libri di testo di fisica dei semiconduttori, nei documenti di ricerca e nei database delle proprietà dei materiali. I ricercatori spesso riportano E_ per materiali e droganti specifici in letteratura.

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