Concentrazione massima di drogante Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Concentrazione massima di drogante = Concentrazione di riferimento*exp(-Energia di attivazione per la solubilità solida/([BoltZ]*Temperatura assoluta))
Cs = Co*exp(-Es/([BoltZ]*Ta))
Questa formula utilizza 1 Costanti, 1 Funzioni, 4 Variabili
Costanti utilizzate
[BoltZ] - Costante di Boltzmann Valore preso come 1.38064852E-23
Funzioni utilizzate
exp - In una funzione esponenziale, il valore della funzione cambia di un fattore costante per ogni variazione unitaria della variabile indipendente., exp(Number)
Variabili utilizzate
Concentrazione massima di drogante - (Misurato in Elettroni per metro cubo) - La concentrazione massima di drogante descrive come la concentrazione di atomi di drogante in un materiale semiconduttore diminuisce esponenzialmente con l'aumentare della temperatura.
Concentrazione di riferimento - La concentrazione di riferimento si riferisce a una costante che funge da riferimento o concentrazione di base.
Energia di attivazione per la solubilità solida - (Misurato in Joule) - L'energia di attivazione per la solubilità solida è un parametro che caratterizza la barriera energetica per incorporare gli atomi droganti nel reticolo cristallino di un materiale semiconduttore.
Temperatura assoluta - (Misurato in Kelvin) - La temperatura assoluta è una misura dell'energia termica in un sistema e viene misurata in Kelvin.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Concentrazione di riferimento: 0.005 --> Nessuna conversione richiesta
Energia di attivazione per la solubilità solida: 1E-23 Joule --> 1E-23 Joule Nessuna conversione richiesta
Temperatura assoluta: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Cs = Co*exp(-Es/([BoltZ]*Ta)) --> 0.005*exp(-1E-23/([BoltZ]*24.5))
Valutare ... ...
Cs = 0.00485434780101741
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.00485434780101741 Elettroni per metro cubo -->4.85434780101741E-09 Elettroni per centimetro cubo (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
4.85434780101741E-09 4.9E-9 Elettroni per centimetro cubo <-- Concentrazione massima di drogante
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

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Fabbricazione di circuiti integrati MOS Calcolatrici

Effetto corpo nel MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))
Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione
​ LaTeX ​ Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)
Resistenza del canale
​ LaTeX ​ Partire Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)
Frequenza di guadagno unitario MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)

Concentrazione massima di drogante Formula

​LaTeX ​Partire
Concentrazione massima di drogante = Concentrazione di riferimento*exp(-Energia di attivazione per la solubilità solida/([BoltZ]*Temperatura assoluta))
Cs = Co*exp(-Es/([BoltZ]*Ta))

Dove posso trovare i valori per l'energia di attivazione?

I valori sperimentali per l'energia di attivazione possono essere trovati nei libri di testo di fisica dei semiconduttori, nei documenti di ricerca e nei database delle proprietà dei materiali. I ricercatori spesso riportano E_ per materiali e droganti specifici in letteratura.

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