Concentração Máxima de Dopante Calculadora

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Fabricação de IC MOS

Fabricação de CI bipolar

Gatilho Schmitt

✖Concentração de referência refere-se a uma constante que serve como concentração de referência ou linha de base.ⓘ Concentração de Referência [C_o]			+10% -10%
✖Energia de Ativação para Solubilidade Sólida é um parâmetro que caracteriza a barreira energética para incorporação de átomos dopantes na rede cristalina de um material semicondutor.ⓘ Energia de ativação para solubilidade sólida [E_s]			+10% -10%
✖A temperatura absoluta é uma medida da energia térmica em um sistema e é medida em Kelvins.ⓘ Temperatura absoluta [T_a]			+10% -10%

✖A concentração máxima de dopante descreve como a concentração de átomos dopantes em um material semicondutor diminui exponencialmente com o aumento da temperatura.ⓘ Concentração Máxima de Dopante [C_s]

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Fórmula

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Concentração Máxima de Dopante

Fórmula

`"C"_{"s"} = "C"_{"o"}*exp(-"E"_{"s"}/("[BoltZ]"*"T"_{"a"}))`

Exemplo

`"4.9E^-9electrons/cm³"="0.005"*exp(-"1E^-23J"/("[BoltZ]"*"24.5K"))`

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Concentração Máxima de Dopante Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Concentração Máxima de Dopante = Concentração de Referência*exp(-Energia de ativação para solubilidade sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))
C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a))
Esta fórmula usa 1 Constantes, 1 Funções, 4 Variáveis

Constantes Usadas

[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valor considerado como 1.38064852E-23

Funções usadas

exp - Em uma função exponencial, o valor da função muda por um fator constante para cada mudança unitária na variável independente., exp(Number)

Variáveis Usadas

Concentração Máxima de Dopante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração máxima de dopante descreve como a concentração de átomos dopantes em um material semicondutor diminui exponencialmente com o aumento da temperatura.
Concentração de Referência - Concentração de referência refere-se a uma constante que serve como concentração de referência ou linha de base.
Energia de ativação para solubilidade sólida - (Medido em Joule) - Energia de Ativação para Solubilidade Sólida é um parâmetro que caracteriza a barreira energética para incorporação de átomos dopantes na rede cristalina de um material semicondutor.
Temperatura absoluta - (Medido em Kelvin) - A temperatura absoluta é uma medida da energia térmica em um sistema e é medida em Kelvins.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Concentração de Referência: 0.005 --> Nenhuma conversão necessária
Energia de ativação para solubilidade sólida: 1E-23 Joule --> 1E-23 Joule Nenhuma conversão necessária
Temperatura absoluta: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a)) --> 0.005*exp(-1E-23/([BoltZ]*24.5))

Avaliando ... ...

C_s = 0.00485434780101741

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.00485434780101741 Elétrons por metro cúbico -->4.85434780101741E-09 Elétrons por Centímetro Cúbico (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

4.85434780101741E-09 ≈ 4.9E-9 Elétrons por Centímetro Cúbico <-- Concentração Máxima de Dopante

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 15 Fabricação de IC MOS Calculadoras

Tensão do ponto de comutação

Vai Tensão do ponto de comutação = (Tensão de alimentação+Tensão limite do PMOS+Tensão limite NMOS*sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))

Efeito Corporal no MOSFET

Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))

Concentração de dopante doador

Vai Concentração de dopante doador = (Corrente de saturação*Comprimento do transistor)/([Charge-e]*Largura do transistor*Mobilidade Eletrônica*Capacitância da camada de esgotamento)

Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)

Concentração de dopante aceitante

Vai Concentração de dopante aceitante = 1/(2*pi*Comprimento do transistor*Largura do transistor*[Charge-e]*Mobilidade do Buraco*Capacitância da camada de esgotamento)

Concentração Máxima de Dopante

Vai Concentração Máxima de Dopante = Concentração de Referência*exp(-Energia de ativação para solubilidade sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Tempo de propagação

Vai Tempo de propagação = 0.7*Número de transistores de passagem*((Número de transistores de passagem+1)/2)*Resistência em MOSFET*Capacitância de Carga

Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres

Vai Densidade de corrente de deriva devido a elétrons = [Charge-e]*Concentração de elétrons*Mobilidade Eletrônica*Intensidade do Campo Elétrico

Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos

Vai Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos = [Charge-e]*Concentração de Buraco*Mobilidade do Buraco*Intensidade do Campo Elétrico

Resistência do Canal

Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)

Frequência de ganho unitário MOSFET

Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

Profundidade de foco

Vai Profundidade de foco = Fator de Proporcionalidade*Comprimento de onda em fotolitografia/(Abertura numerica^2)

Dimensão crítica

Vai Dimensão crítica = Constante Dependente do Processo*Comprimento de onda em fotolitografia/Abertura numerica

Morrer por wafer

Vai Morrer por wafer = (pi*Diâmetro da bolacha^2)/(4*Tamanho de cada dado)

Espessura de Óxido Equivalente

Vai Espessura de Óxido Equivalente = Espessura do Material*(3.9/Constante dielétrica do material)

Concentração Máxima de Dopante Fórmula

Concentração Máxima de Dopante = Concentração de Referência*exp(-Energia de ativação para solubilidade sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))
C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a))

Onde posso encontrar valores para energia de ativação?

Valores experimentais para energia de ativação podem ser encontrados em livros didáticos de física de semicondutores, artigos de pesquisa e bancos de dados de propriedades de materiais. Os pesquisadores frequentemente relatam E_s para materiais e dopantes específicos na literatura.

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