Maximale doteringsconcentratie Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

MOS IC-fabricage

Bipolaire IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Referentieconcentratie verwijst naar een constante die dient als referentie- of basislijnconcentratie.ⓘ Referentieconcentratie [C_o]			+10% -10%
✖Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen is een parameter die de energiebarrière karakteriseert voor het opnemen van doteringsatomen in het kristalrooster van een halfgeleidermateriaal.ⓘ Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen [E_s]			+10% -10%
✖Absolute temperatuur is een maatstaf voor de thermische energie in een systeem en wordt gemeten in Kelvin.ⓘ Absolute temperatuur [T_a]			+10% -10%

✖Maximale doteerstofconcentratie beschrijft hoe de concentratie van doteerstofatomen in een halfgeleidermateriaal exponentieel afneemt bij toenemende temperatuur.ⓘ Maximale doteringsconcentratie [C_s]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Maximale doteringsconcentratie

Formule

`"C"_{"s"} = "C"_{"o"}*exp(-"E"_{"s"}/("[BoltZ]"*"T"_{"a"}))`

Voorbeeld

`"4.9E^-9electrons/cm³"="0.005"*exp(-"1E^-23J"/("[BoltZ]"*"24.5K"))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

Maximale doteringsconcentratie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Maximale doteringsconcentratie = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur))
C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a))
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 1 Functies, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

[BoltZ] - Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23

Functies die worden gebruikt

exp - Bij een exponentiële functie verandert de waarde van de functie met een constante factor voor elke eenheidsverandering in de onafhankelijke variabele., exp(Number)

Variabelen gebruikt

Maximale doteringsconcentratie - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Maximale doteerstofconcentratie beschrijft hoe de concentratie van doteerstofatomen in een halfgeleidermateriaal exponentieel afneemt bij toenemende temperatuur.
Referentieconcentratie - Referentieconcentratie verwijst naar een constante die dient als referentie- of basislijnconcentratie.
Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen - (Gemeten in Joule) - Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen is een parameter die de energiebarrière karakteriseert voor het opnemen van doteringsatomen in het kristalrooster van een halfgeleidermateriaal.
Absolute temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Absolute temperatuur is een maatstaf voor de thermische energie in een systeem en wordt gemeten in Kelvin.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Referentieconcentratie: 0.005 --> Geen conversie vereist
Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen: 1E-23 Joule --> 1E-23 Joule Geen conversie vereist
Absolute temperatuur: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a)) --> 0.005*exp(-1E-23/([BoltZ]*24.5))

Evalueren ... ...

C_s = 0.00485434780101741

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00485434780101741 Elektronen per kubieke meter -->4.85434780101741E-09 Elektronen per kubieke centimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

4.85434780101741E-09 ≈ 4.9E-9 Elektronen per kubieke centimeter <-- Maximale doteringsconcentratie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » Maximale doteringsconcentratie

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 15 MOS IC-fabricage Rekenmachines

Schakelpuntspanning

Gaan Schakelpuntspanning = (Voedingsspanning+PMOS-drempelspanning+NMOS-drempelspanning*sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))/(1+sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))

Lichaamseffect in MOSFET

Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Concentratie van donordoteringsmiddelen

Gaan Concentratie van donordoteringsmiddelen = (Verzadigingsstroom*Lengte van de transistor)/([Charge-e]*Transistorbreedte*Elektronenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Gaan Concentratie van acceptordoteringsmiddel = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Maximale doteringsconcentratie

Gaan Maximale doteringsconcentratie = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen = [Charge-e]*Elektronenconcentratie*Elektronenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Voortplantingstijd

Gaan Voortplantingstijd = 0.7*Aantal doorlaattransistoren*((Aantal doorlaattransistoren+1)/2)*Weerstand in MOSFET*Belastingscapaciteit

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten = [Charge-e]*Gatenconcentratie*Gatenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Kanaal weerstand

Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Kritische dimensie

Gaan Kritische dimensie = Procesafhankelijke constante*Golflengte in fotolithografie/Numeriek diafragma

Diepte van focus

Gaan Diepte van focus = Evenredigheidsfactor*Golflengte in fotolithografie/(Numeriek diafragma^2)

Sterf per wafel

Gaan Sterf per wafel = (pi*Diameter wafeltje^2)/(4*Grootte van elke matrijs)

Equivalente oxidedikte

Gaan Equivalente oxidedikte = Dikte van materiaal*(3.9/Diëlektrische materiaalconstante)

Maximale doteringsconcentratie Formule

Maximale doteringsconcentratie = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur))
C_s = C_o*exp(-E_s/([BoltZ]*T_a))

Waar kan ik waarden voor activeringsenergie vinden?

Experimentele waarden voor activeringsenergie zijn te vinden in leerboeken over halfgeleiderfysica, onderzoekspapers en databases met materiaaleigenschappen. Onderzoekers rapporteren in de literatuur vaak E_s voor specifieke materialen en doteerstoffen.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!