Крутизна в области насыщения в MESFET Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Крутизна транзистора MESFET = Выходная проводимость*(1-sqrt((Входное напряжение-Пороговое напряжение)/Напряжение отсечки))
Gm = g0*(1-sqrt((Vi-VG)/Vp))
В этой формуле используются 1 Функции, 5 Переменные
Используемые функции
sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)
Используемые переменные
Крутизна транзистора MESFET - (Измеряется в Сименс) - Крутизна MESFET является ключевым параметром MESFET, отражающим изменение тока стока по отношению к изменению напряжения затвор-исток.
Выходная проводимость - (Измеряется в Сименс) - Выходная проводимость — параметр, характеризующий поведение полевого транзистора (FET) в области его насыщения.
Входное напряжение - (Измеряется в вольт) - Входное напряжение — это разность электрических потенциалов, приложенная к входным клеммам компонента или системы.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение — это напряжение, при котором транзистор начинает проводить ток.
Напряжение отсечки - (Измеряется в вольт) - Напряжение отсечки представляет собой напряжение затвор-исток, при котором канал MESFET закрывается или «зажимается».
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Выходная проводимость: 0.152 Сименс --> 0.152 Сименс Конверсия не требуется
Входное напряжение: 2.25 вольт --> 2.25 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 1.562 вольт --> 1.562 вольт Конверсия не требуется
Напряжение отсечки: 2.01 вольт --> 2.01 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Gm = g0*(1-sqrt((Vi-VG)/Vp)) --> 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01))
Оценка ... ...
Gm = 0.0630717433777618
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.0630717433777618 Сименс --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.0630717433777618 0.063072 Сименс <-- Крутизна транзистора MESFET
(Расчет завершен через 00.008 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Дипанхона Маллик
Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта
Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

Транзисторные усилители Калькуляторы

Максимальная рабочая частота
​ Идти Максимальная рабочая частота = Частота среза MESFET/2*sqrt(Сопротивление дренажу/(Источник сопротивления+Входное сопротивление+Сопротивление металлизации ворот))
Крутизна в области насыщения в MESFET
​ Идти Крутизна транзистора MESFET = Выходная проводимость*(1-sqrt((Входное напряжение-Пороговое напряжение)/Напряжение отсечки))
Частота среза MESFET
​ Идти Частота среза MESFET = Крутизна транзистора MESFET/(2*pi*Емкость источника затвора)
Максимальная частота колебаний
​ Идти Максимальная частота колебаний = Скорость насыщения/(2*pi*Длина канала)

Крутизна в области насыщения в MESFET формула

Крутизна транзистора MESFET = Выходная проводимость*(1-sqrt((Входное напряжение-Пороговое напряжение)/Напряжение отсечки))
Gm = g0*(1-sqrt((Vi-VG)/Vp))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!