Крутизна в области насыщения в MESFET Калькулятор

✖Выходная проводимость — параметр, характеризующий поведение полевого транзистора (FET) в области его насыщения.ⓘ Выходная проводимость [g₀]			+10% -10%
✖Входное напряжение — это разность электрических потенциалов, приложенная к входным клеммам компонента или системы.ⓘ Входное напряжение [V_i]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение — это напряжение, при котором транзистор начинает проводить ток.ⓘ Пороговое напряжение [V_G]			+10% -10%
✖Напряжение отсечки представляет собой напряжение затвор-исток, при котором канал MESFET закрывается или «зажимается».ⓘ Напряжение отсечки [V_p]			+10% -10%

✖Крутизна MESFET является ключевым параметром MESFET, отражающим изменение тока стока по отношению к изменению напряжения затвор-исток.ⓘ Крутизна в области насыщения в MESFET [G_m]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Крутизна в области насыщения в MESFET

Формула

`"G"_{"m"} = "g"_{"0"}*(1-sqrt(("V"_{"i"}-"V"_{"G"})/"V"_{"p"}))`

Пример

`"0.063072S"="0.152S"*(1-sqrt(("2.25V"-"1.562V")/"2.01V"))`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Микроволновые полупроводниковые приборы формула PDF PDF Image

Крутизна в области насыщения в MESFET Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Крутизна транзистора MESFET = Выходная проводимость*(1-sqrt((Входное напряжение-Пороговое напряжение)/Напряжение отсечки))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))
В этой формуле используются 1 Функции, 5 Переменные

Используемые функции

sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Крутизна транзистора MESFET - (Измеряется в Сименс) - Крутизна MESFET является ключевым параметром MESFET, отражающим изменение тока стока по отношению к изменению напряжения затвор-исток.
Выходная проводимость - (Измеряется в Сименс) - Выходная проводимость — параметр, характеризующий поведение полевого транзистора (FET) в области его насыщения.
Входное напряжение - (Измеряется в вольт) - Входное напряжение — это разность электрических потенциалов, приложенная к входным клеммам компонента или системы.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение — это напряжение, при котором транзистор начинает проводить ток.
Напряжение отсечки - (Измеряется в вольт) - Напряжение отсечки представляет собой напряжение затвор-исток, при котором канал MESFET закрывается или «зажимается».

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Выходная проводимость: 0.152 Сименс --> 0.152 Сименс Конверсия не требуется
Входное напряжение: 2.25 вольт --> 2.25 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 1.562 вольт --> 1.562 вольт Конверсия не требуется
Напряжение отсечки: 2.01 вольт --> 2.01 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p)) --> 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01))

Оценка ... ...

G_m = 0.0630717433777618

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.0630717433777618 Сименс --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.0630717433777618 ≈ 0.063072 Сименс <-- Крутизна транзистора MESFET

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Теория СВЧ » Микроволновые полупроводниковые приборы » Транзисторные усилители » Крутизна в области насыщения в MESFET

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Дипанхона Маллик

Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта

Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 10+ Транзисторные усилители Калькуляторы

Коэффициент усиления понижающего преобразователя с учетом коэффициента деградации

Идти Коэффициент усиления понижающего преобразователя = Частота сигнала/Выходная частота*(Частота сигнала/Выходная частота*(Фигура заслуг)^2)/(1+sqrt(1+(Частота сигнала/Выходная частота*(Фигура заслуг)^2)))^2

Коэффициент деградации усиления для MESFET

Идти Получите коэффициент деградации = Выходная частота/Частота сигнала*(Частота сигнала/Выходная частота*(Фигура заслуг)^2)/(1+sqrt(1+(Частота сигнала/Выходная частота*(Фигура заслуг)^2)))^2

Коэффициент шума GaAs MESFET

Идти Коэффициент шума = 1+2*Угловая частота*Емкость источника затвора/Крутизна транзистора MESFET*sqrt((Источник сопротивления-Сопротивление ворот)/Входное сопротивление)

Максимальная рабочая частота

Идти Максимальная рабочая частота = Частота среза MESFET/2*sqrt(Сопротивление дренажу/(Источник сопротивления+Входное сопротивление+Сопротивление металлизации ворот))

Максимально допустимая мощность

Идти Максимально допустимая мощность = 1/(Реактивное сопротивление*Частота среза времени прохождения^2)*(Максимальное электрическое поле*Максимальная скорость дрейфа насыщения/(2*pi))^2

Максимальный коэффициент усиления микроволнового транзистора

Идти Максимальный коэффициент усиления микроволнового транзистора = (Частота среза времени прохождения/Частота усиления мощности)^2*Выходное сопротивление/Входное сопротивление

Крутизна в области насыщения в MESFET

Идти Крутизна транзистора MESFET = Выходная проводимость*(1-sqrt((Входное напряжение-Пороговое напряжение)/Напряжение отсечки))

Частота среза MESFET

Идти Частота среза MESFET = Крутизна транзистора MESFET/(2*pi*Емкость источника затвора)

Транзитный угол

Идти Транзитный угол = Угловая частота*Длина пространства дрейфа/Скорость дрейфа несущей

Максимальная частота колебаний

Идти Максимальная частота колебаний = Скорость насыщения/(2*pi*Длина канала)

Крутизна в области насыщения в MESFET формула

Крутизна транзистора MESFET = Выходная проводимость*(1-sqrt((Входное напряжение-Пороговое напряжение)/Напряжение отсечки))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!