Напряжение точки переключения Калькулятор

✖Напряжение питания — это уровень напряжения, обеспечивающий питание электронной схемы или устройства.ⓘ Напряжение питания [V_dd]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение PMOS — критический параметр, определяющий уровень напряжения, при котором транзистор начинает проводить ток.ⓘ Пороговое напряжение PMOS [V_tp]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение NMOS — критический параметр, определяющий напряжение затвор-исток, при котором транзистор начинает проводить ток.ⓘ Пороговое напряжение NMOS [V_tn]			+10% -10%
✖Коэффициент усиления NMOS-транзистора — это мера того, насколько сильно изменяется выходной ток в ответ на небольшое изменение входного напряжения.ⓘ Коэффициент усиления NMOS-транзистора [β_n]			+10% -10%
✖Коэффициент усиления PMOS-транзистора — это мера того, насколько сильно изменяется выходной ток в ответ на небольшое изменение входного напряжения.ⓘ Коэффициент усиления PMOS-транзистора [β_p]			+10% -10%

✖Напряжение точки переключения относится к напряжению затвор-исток (Vgs), при котором МОП-транзистор переходит из выключенного состояния в открытое состояние или наоборот.ⓘ Напряжение точки переключения [V_s]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Напряжение точки переключения

Формула

`"V"_{"s"} = ("V"_{"dd"}+"V"_{"tp"}+"V"_{"tn"}*sqrt("β"_{"n"}/"β"_{"p"}))/(1+sqrt("β"_{"n"}/"β"_{"p"}))`

Пример

`"19.15938V"=("6.3V"+"3.14V"+"25V"*sqrt("18"/"6.5"))/(1+sqrt("18"/"6.5"))`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Напряжение точки переключения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Напряжение точки переключения = (Напряжение питания+Пороговое напряжение PMOS+Пороговое напряжение NMOS*sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))/(1+sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))
V_s = (V_dd+V_tp+V_tn*sqrt(β_n/β_p))/(1+sqrt(β_n/β_p))
В этой формуле используются 1 Функции, 6 Переменные

Используемые функции

sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Напряжение точки переключения - (Измеряется в вольт) - Напряжение точки переключения относится к напряжению затвор-исток (Vgs), при котором МОП-транзистор переходит из выключенного состояния в открытое состояние или наоборот.
Напряжение питания - (Измеряется в вольт) - Напряжение питания — это уровень напряжения, обеспечивающий питание электронной схемы или устройства.
Пороговое напряжение PMOS - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение PMOS — критический параметр, определяющий уровень напряжения, при котором транзистор начинает проводить ток.
Пороговое напряжение NMOS - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение NMOS — критический параметр, определяющий напряжение затвор-исток, при котором транзистор начинает проводить ток.
Коэффициент усиления NMOS-транзистора - Коэффициент усиления NMOS-транзистора — это мера того, насколько сильно изменяется выходной ток в ответ на небольшое изменение входного напряжения.
Коэффициент усиления PMOS-транзистора - Коэффициент усиления PMOS-транзистора — это мера того, насколько сильно изменяется выходной ток в ответ на небольшое изменение входного напряжения.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Напряжение питания: 6.3 вольт --> 6.3 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение PMOS: 3.14 вольт --> 3.14 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение NMOS: 25 вольт --> 25 вольт Конверсия не требуется
Коэффициент усиления NMOS-транзистора: 18 --> Конверсия не требуется
Коэффициент усиления PMOS-транзистора: 6.5 --> Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_s = (V_dd+V_tp+V_tn*sqrt(β_n/β_p))/(1+sqrt(β_n/β_p)) --> (6.3+3.14+25*sqrt(18/6.5))/(1+sqrt(18/6.5))

Оценка ... ...

V_s = 19.1593796922905

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

19.1593796922905 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

19.1593796922905 ≈ 19.15938 вольт <-- Напряжение точки переключения

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Напряжение точки переключения

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 15 Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Напряжение точки переключения

Идти Напряжение точки переключения = (Напряжение питания+Пороговое напряжение PMOS+Пороговое напряжение NMOS*sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))/(1+sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))

Эффект тела в MOSFET

Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Концентрация донорской легирующей примеси

Идти Концентрация донорской легирующей примеси = (Ток насыщения*Длина транзистора)/([Charge-e]*Ширина транзистора*Электронная подвижность*Емкость слоя обеднения)

Ток стока MOSFET в области насыщения

Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Концентрация акцепторной примеси

Идти Концентрация акцепторной примеси = 1/(2*pi*Длина транзистора*Ширина транзистора*[Charge-e]*Мобильность отверстий*Емкость слоя обеднения)

Максимальная концентрация легирующей примеси

Идти Максимальная концентрация легирующей примеси = Эталонная концентрация*exp(-Энергия активации твердой растворимости/([BoltZ]*Абсолютная температура))

Время распространения

Идти Время распространения = 0.7*Количество проходных транзисторов*((Количество проходных транзисторов+1)/2)*Сопротивление в МОП-транзисторе*Емкость нагрузки

Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами

Идти Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами = [Charge-e]*Электронная концентрация*Электронная подвижность*Напряженность электрического поля

Плотность дрейфового тока из-за дырок

Идти Плотность дрейфового тока из-за дырок = [Charge-e]*Концентрация дырок*Мобильность отверстий*Напряженность электрического поля

Сопротивление канала

Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Критическое измерение

Идти Критическое измерение = Зависимая от процесса константа*Длина волны в фотолитографии/Числовая апертура

Глубина фокуса

Идти Глубина фокуса = Коэффициент пропорциональности*Длина волны в фотолитографии/(Числовая апертура^2)

Умереть на пластину

Идти Умереть на пластину = (pi*Диаметр пластины^2)/(4*Размер каждой матрицы)

Эквивалентная толщина оксида

Идти Эквивалентная толщина оксида = Толщина материала*(3.9/Диэлектрическая проницаемость материала)

Напряжение точки переключения формула

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!