Voltaje del punto de conmutación Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Voltaje del punto de conmutación = (Voltaje de suministro+Voltaje de umbral de PMOS+Voltaje umbral NMOS*sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))
Vs = (Vdd+Vtp+Vtn*sqrt(βn/βp))/(1+sqrt(βn/βp))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 6 Variables
Funciones utilizadas
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
Voltaje del punto de conmutación - (Medido en Voltio) - El voltaje del punto de conmutación se refiere al voltaje puerta-fuente (Vgs) en el que el MOSFET pasa de su estado apagado a su estado encendido o viceversa.
Voltaje de suministro - (Medido en Voltio) - El voltaje de suministro se refiere al nivel de voltaje proporcionado para alimentar un circuito o dispositivo electrónico.
Voltaje de umbral de PMOS - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral de PMOS es un parámetro crítico que define el nivel de voltaje al que el transistor comienza a conducir corriente.
Voltaje umbral NMOS - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral NMOS es un parámetro crítico que determina el voltaje puerta-fuente al cual el transistor comienza a conducir corriente.
Ganancia del transistor NMOS - La ganancia del transistor NMOS es una medida de cuánto cambia la corriente de salida en respuesta a un pequeño cambio en el voltaje de entrada.
Ganancia del transistor PMOS - La ganancia del transistor PMOS es una medida de cuánto cambia la corriente de salida en respuesta a un pequeño cambio en el voltaje de entrada.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Voltaje de suministro: 6.3 Voltio --> 6.3 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de umbral de PMOS: 3.14 Voltio --> 3.14 Voltio No se requiere conversión
Voltaje umbral NMOS: 25 Voltio --> 25 Voltio No se requiere conversión
Ganancia del transistor NMOS: 18 --> No se requiere conversión
Ganancia del transistor PMOS: 6.5 --> No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Vs = (Vdd+Vtp+Vtn*sqrt(βnp))/(1+sqrt(βnp)) --> (6.3+3.14+25*sqrt(18/6.5))/(1+sqrt(18/6.5))
Evaluar ... ...
Vs = 19.1593796922905
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
19.1593796922905 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
19.1593796922905 19.15938 Voltio <-- Voltaje del punto de conmutación
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore
¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

15 Fabricación de circuitos integrados MOS Calculadoras

Voltaje del punto de conmutación
​ Vamos Voltaje del punto de conmutación = (Voltaje de suministro+Voltaje de umbral de PMOS+Voltaje umbral NMOS*sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))
Efecto corporal en MOSFET
​ Vamos Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))
Concentración de dopante del donante
​ Vamos Concentración de dopante del donante = (Corriente de saturación*Longitud del transistor)/([Charge-e]*Ancho del transistor*Movilidad electrónica*Capacitancia de la capa de agotamiento)
Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación
​ Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje)
Concentración de dopante aceptor
​ Vamos Concentración de dopante aceptor = 1/(2*pi*Longitud del transistor*Ancho del transistor*[Charge-e]*Movilidad del agujero*Capacitancia de la capa de agotamiento)
Concentración máxima de dopante
​ Vamos Concentración máxima de dopante = Concentración de referencia*exp(-Energía de activación para la solubilidad sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))
Densidad de corriente de deriva debido a electrones libres
​ Vamos Densidad de corriente de deriva debido a electrones = [Charge-e]*Concentración de electrones*Movilidad electrónica*Intensidad del campo eléctrico
Densidad de corriente de deriva debido a agujeros
​ Vamos Densidad de corriente de deriva debido a agujeros = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad del agujero*Intensidad del campo eléctrico
Tiempo de propagación
​ Vamos Tiempo de propagación = 0.7*Número de transistores de paso*((Número de transistores de paso+1)/2)*Resistencia en MOSFET*Capacitancia de carga
Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET
​ Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)
Resistencia del canal
​ Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)
Profundidad de enfoque
​ Vamos Profundidad de enfoque = Factor de proporcionalidad*Longitud de onda en fotolitografía/(Apertura numérica^2)
Dimensión crítica
​ Vamos Dimensión crítica = Constante dependiente del proceso*Longitud de onda en fotolitografía/Apertura numérica
Troquel por oblea
​ Vamos Troquel por oblea = (pi*Diámetro de la oblea^2)/(4*Tamaño de cada troquel)
Espesor de óxido equivalente
​ Vamos Espesor de óxido equivalente = Grosor del material*(3.9/Constante dieléctrica del material)

Voltaje del punto de conmutación Fórmula

Voltaje del punto de conmutación = (Voltaje de suministro+Voltaje de umbral de PMOS+Voltaje umbral NMOS*sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))
Vs = (Vdd+Vtp+Vtn*sqrt(βn/βp))/(1+sqrt(βn/βp))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!