Napięcie punktu przełączania Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Produkcja układów scalonych MOS

Produkcja bipolarnych układów scalonych

Wyzwalacz Schmitta

✖Napięcie zasilania odnosi się do poziomu napięcia dostarczanego do zasilania obwodu elektronicznego lub urządzenia.ⓘ Napięcie zasilania [V_dd]			+10% -10%
✖Napięcie progowe PMOS jest krytycznym parametrem, który określa poziom napięcia, przy którym tranzystor zaczyna przewodzić prąd.ⓘ Napięcie progowe PMOS [V_tp]			+10% -10%
✖Napięcie progowe NMOS jest krytycznym parametrem określającym napięcie bramki-źródła, przy którym tranzystor zaczyna przewodzić prąd.ⓘ Napięcie progowe NMOS [V_tn]			+10% -10%
✖Wzmocnienie tranzystora NMOS jest miarą tego, jak bardzo zmienia się prąd wyjściowy w odpowiedzi na niewielką zmianę napięcia wejściowego.ⓘ Wzmocnienie tranzystora NMOS [β_n]			+10% -10%
✖Wzmocnienie tranzystora PMOS jest miarą tego, jak bardzo zmienia się prąd wyjściowy w odpowiedzi na niewielką zmianę napięcia wejściowego.ⓘ Wzmocnienie tranzystora PMOS [β_p]			+10% -10%

✖Napięcie punktu przełączania odnosi się do napięcia bramki-źródła (Vgs), przy którym MOSFET przechodzi ze stanu wyłączenia do stanu włączenia i odwrotnie.ⓘ Napięcie punktu przełączania [V_s]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Napięcie punktu przełączania

Formuła

`"V"_{"s"} = ("V"_{"dd"}+"V"_{"tp"}+"V"_{"tn"}*sqrt("β"_{"n"}/"β"_{"p"}))/(1+sqrt("β"_{"n"}/"β"_{"p"}))`

Przykład

`"19.15938V"=("6.3V"+"3.14V"+"25V"*sqrt("18"/"6.5"))/(1+sqrt("18"/"6.5"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Produkcja układów scalonych MOS Formuły PDF PDF Image

Napięcie punktu przełączania Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie punktu przełączania = (Napięcie zasilania+Napięcie progowe PMOS+Napięcie progowe NMOS*sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))/(1+sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))
V_s = (V_dd+V_tp+V_tn*sqrt(β_n/β_p))/(1+sqrt(β_n/β_p))
Ta formuła używa 1 Funkcje, 6 Zmienne

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)

Używane zmienne

Napięcie punktu przełączania - (Mierzone w Wolt) - Napięcie punktu przełączania odnosi się do napięcia bramki-źródła (Vgs), przy którym MOSFET przechodzi ze stanu wyłączenia do stanu włączenia i odwrotnie.
Napięcie zasilania - (Mierzone w Wolt) - Napięcie zasilania odnosi się do poziomu napięcia dostarczanego do zasilania obwodu elektronicznego lub urządzenia.
Napięcie progowe PMOS - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe PMOS jest krytycznym parametrem, który określa poziom napięcia, przy którym tranzystor zaczyna przewodzić prąd.
Napięcie progowe NMOS - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe NMOS jest krytycznym parametrem określającym napięcie bramki-źródła, przy którym tranzystor zaczyna przewodzić prąd.
Wzmocnienie tranzystora NMOS - Wzmocnienie tranzystora NMOS jest miarą tego, jak bardzo zmienia się prąd wyjściowy w odpowiedzi na niewielką zmianę napięcia wejściowego.
Wzmocnienie tranzystora PMOS - Wzmocnienie tranzystora PMOS jest miarą tego, jak bardzo zmienia się prąd wyjściowy w odpowiedzi na niewielką zmianę napięcia wejściowego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Napięcie zasilania: 6.3 Wolt --> 6.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie progowe PMOS: 3.14 Wolt --> 3.14 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie progowe NMOS: 25 Wolt --> 25 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Wzmocnienie tranzystora NMOS: 18 --> Nie jest wymagana konwersja
Wzmocnienie tranzystora PMOS: 6.5 --> Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_s = (V_dd+V_tp+V_tn*sqrt(β_n/β_p))/(1+sqrt(β_n/β_p)) --> (6.3+3.14+25*sqrt(18/6.5))/(1+sqrt(18/6.5))

Ocenianie ... ...

V_s = 19.1593796922905

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

19.1593796922905 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

19.1593796922905 ≈ 19.15938 Wolt <-- Napięcie punktu przełączania

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja układów scalonych MOS » Napięcie punktu przełączania

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 15 Produkcja układów scalonych MOS Kalkulatory

Napięcie punktu przełączania

Iść Napięcie punktu przełączania = (Napięcie zasilania+Napięcie progowe PMOS+Napięcie progowe NMOS*sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))/(1+sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))

Efekt ciała w MOSFET-ie

Iść Napięcie progowe z podłożem = Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała+Parametr efektu ciała*(sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego+Napięcie przyłożone do korpusu)-sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego))

Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji/2*(Napięcie źródła bramki-Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała)^2*(1+Współczynnik modulacji długości kanału*Napięcie źródła drenu)

Stężenie domieszki dawcy

Iść Stężenie domieszki dawcy = (Prąd nasycenia*Długość tranzystora)/([Charge-e]*Szerokość tranzystora*Mobilność elektronów*Pojemność warstwy zubożonej)

Stężenie domieszki akceptorowej

Iść Stężenie domieszki akceptorowej = 1/(2*pi*Długość tranzystora*Szerokość tranzystora*[Charge-e]*Mobilność dziury*Pojemność warstwy zubożonej)

Maksymalne stężenie domieszki

Iść Maksymalne stężenie domieszki = Stężenie referencyjne*exp(-Energia aktywacji dla rozpuszczalności substancji stałych/([BoltZ]*Temperatura absolutna))

Czas propagacji

Iść Czas propagacji = 0.7*Liczba tranzystorów przejściowych*((Liczba tranzystorów przejściowych+1)/2)*Oporność w MOSFET-ie*Pojemność obciążenia

Dryf gęstości prądu ze względu na swobodne elektrony

Iść Dryf gęstości prądu ze względu na elektrony = [Charge-e]*Stężenie elektronów*Mobilność elektronów*Natężenie pola elektrycznego

Dryf gęstości prądu z powodu dziur

Iść Dryf gęstości prądu z powodu dziur = [Charge-e]*Zagęszczenie dziur*Mobilność dziury*Natężenie pola elektrycznego

Rezystancja kanału

Iść Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

Iść Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)

Głębia ostrości

Iść Głębia ostrości = Czynnik proporcjonalności*Długość fali w fotolitografii/(Przysłona numeryczna^2)

Wymiar krytyczny

Iść Wymiar krytyczny = Stała zależna od procesu*Długość fali w fotolitografii/Przysłona numeryczna

Umrzyj na opłatek

Iść Umrzyj na opłatek = (pi*Średnica wafla^2)/(4*Rozmiar każdej kostki)

Równoważna grubość tlenku

Iść Równoważna grubość tlenku = Grubość materiału*(3.9/Stała dielektryczna materiału)

Napięcie punktu przełączania Formułę

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!