Schaltpunktspannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Schaltpunktspannung = (Versorgungsspannung+PMOS-Schwellenspannung+NMOS-Schwellenspannung*sqrt(NMOS-Transistorverstärkung/Verstärkung des PMOS-Transistors))/(1+sqrt(NMOS-Transistorverstärkung/Verstärkung des PMOS-Transistors))
Vs = (Vdd+Vtp+Vtn*sqrt(βn/βp))/(1+sqrt(βn/βp))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 6 Variablen
Verwendete Funktionen
sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)
Verwendete Variablen
Schaltpunktspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schaltpunktspannung bezieht sich auf die Gate-Source-Spannung (Vgs), bei der der MOSFET vom ausgeschalteten Zustand in den eingeschalteten Zustand oder umgekehrt übergeht.
Versorgungsspannung - (Gemessen in Volt) - Unter Versorgungsspannung versteht man den Spannungspegel, der zur Stromversorgung eines elektronischen Schaltkreises oder Geräts bereitgestellt wird.
PMOS-Schwellenspannung - (Gemessen in Volt) - Die PMOS-Schwellenspannung ist ein kritischer Parameter, der den Spannungspegel definiert, bei dem der Transistor beginnt, Strom zu leiten.
NMOS-Schwellenspannung - (Gemessen in Volt) - Die NMOS-Schwellenspannung ist ein kritischer Parameter, der die Gate-Source-Spannung bestimmt, bei der der Transistor beginnt, Strom zu leiten.
NMOS-Transistorverstärkung - Die NMOS-Transistorverstärkung ist ein Maß dafür, wie stark sich der Ausgangsstrom als Reaktion auf eine kleine Änderung der Eingangsspannung ändert.
Verstärkung des PMOS-Transistors - Die PMOS-Transistorverstärkung ist ein Maß dafür, wie stark sich der Ausgangsstrom als Reaktion auf eine kleine Änderung der Eingangsspannung ändert.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Versorgungsspannung: 6.3 Volt --> 6.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich
PMOS-Schwellenspannung: 3.14 Volt --> 3.14 Volt Keine Konvertierung erforderlich
NMOS-Schwellenspannung: 25 Volt --> 25 Volt Keine Konvertierung erforderlich
NMOS-Transistorverstärkung: 18 --> Keine Konvertierung erforderlich
Verstärkung des PMOS-Transistors: 6.5 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Vs = (Vdd+Vtp+Vtn*sqrt(βnp))/(1+sqrt(βnp)) --> (6.3+3.14+25*sqrt(18/6.5))/(1+sqrt(18/6.5))
Auswerten ... ...
Vs = 19.1593796922905
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
19.1593796922905 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
19.1593796922905 19.15938 Volt <-- Schaltpunktspannung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

15 MOS-IC-Herstellung Taschenrechner

Schaltpunktspannung
​ Gehen Schaltpunktspannung = (Versorgungsspannung+PMOS-Schwellenspannung+NMOS-Schwellenspannung*sqrt(NMOS-Transistorverstärkung/Verstärkung des PMOS-Transistors))/(1+sqrt(NMOS-Transistorverstärkung/Verstärkung des PMOS-Transistors))
Körpereffekt im MOSFET
​ Gehen Schwellenspannung mit Substrat = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial))
Donator-Dotierstoffkonzentration
​ Gehen Donator-Dotierstoffkonzentration = (Sättigungsstrom*Transistorlänge)/([Charge-e]*Breite des Transistors*Elektronenmobilität*Kapazität der Sperrschicht)
Dotierstoffkonzentration des Akzeptors
​ Gehen Dotierstoffkonzentration des Akzeptors = 1/(2*pi*Transistorlänge*Breite des Transistors*[Charge-e]*Lochmobilität*Kapazität der Sperrschicht)
Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich
​ Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter/2*(Gate-Source-Spannung-Schwellenspannung mit Zero Body Bias)^2*(1+Modulationsfaktor der Kanallänge*Drain-Quellenspannung)
Maximale Dotierstoffkonzentration
​ Gehen Maximale Dotierstoffkonzentration = Referenzkonzentration*exp(-Aktivierungsenergie für feste Löslichkeit/([BoltZ]*Absolute Temperatur))
Ausbreitungszeit
​ Gehen Ausbreitungszeit = 0.7*Anzahl der Durchgangstransistoren*((Anzahl der Durchgangstransistoren+1)/2)*Widerstand im MOSFET*Lastkapazität
Driftstromdichte aufgrund freier Elektronen
​ Gehen Driftstromdichte aufgrund von Elektronen = [Charge-e]*Elektronenkonzentration*Elektronenmobilität*Elektrische Feldstärke
Driftstromdichte aufgrund von Löchern
​ Gehen Driftstromdichte aufgrund von Löchern = [Charge-e]*Lochkonzentration*Lochmobilität*Elektrische Feldstärke
Kanalwiderstand
​ Gehen Kanalwiderstand = Transistorlänge/Breite des Transistors*1/(Elektronenmobilität*Trägerdichte)
MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz
​ Gehen Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)
Kritische Dimension
​ Gehen Kritische Dimension = Prozessabhängige Konstante*Wellenlänge in der Fotolithographie/Numerische Apertur
Tiefenschärfe
​ Gehen Tiefenschärfe = Proportionalitätsfaktor*Wellenlänge in der Fotolithographie/(Numerische Apertur^2)
Die pro Wafer
​ Gehen Die pro Wafer = (pi*Waferdurchmesser^2)/(4*Größe jedes Würfels)
Äquivalente Oxiddicke
​ Gehen Äquivalente Oxiddicke = Materialstärke*(3.9/Dielektrizitätskonstante des Materials)

Schaltpunktspannung Formel

Schaltpunktspannung = (Versorgungsspannung+PMOS-Schwellenspannung+NMOS-Schwellenspannung*sqrt(NMOS-Transistorverstärkung/Verstärkung des PMOS-Transistors))/(1+sqrt(NMOS-Transistorverstärkung/Verstärkung des PMOS-Transistors))
Vs = (Vdd+Vtp+Vtn*sqrt(βn/βp))/(1+sqrt(βn/βp))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!