Schakelpuntspanning Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

MOS IC-fabricage

Bipolaire IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Voedingsspanning verwijst naar het spanningsniveau dat wordt geleverd om een elektronisch circuit of apparaat van stroom te voorzien.ⓘ Voedingsspanning [V_dd]			+10% -10%
✖PMOS-drempelspanning is een kritische parameter die het spanningsniveau definieert waarop de transistor stroom begint te geleiden.ⓘ PMOS-drempelspanning [V_tp]			+10% -10%
✖NMOS-drempelspanning is een kritische parameter die de poort-bronspanning bepaalt waarbij de transistor stroom begint te geleiden.ⓘ NMOS-drempelspanning [V_tn]			+10% -10%
✖NMOS-transistorversterking is een maatstaf voor hoeveel de uitgangsstroom verandert als reactie op een kleine verandering in de ingangsspanning.ⓘ NMOS-transistorversterking [β_n]			+10% -10%
✖PMOS-transistorversterking is een maatstaf voor hoeveel de uitgangsstroom verandert als reactie op een kleine verandering in de ingangsspanning.ⓘ PMOS-transistorversterking [β_p]			+10% -10%

✖Schakelpuntspanning verwijst naar de poortbronspanning (Vgs) waarbij de MOSFET overgaat van de uit-toestand naar de aan-toestand of omgekeerd.ⓘ Schakelpuntspanning [V_s]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Schakelpuntspanning

Formule

`"V"_{"s"} = ("V"_{"dd"}+"V"_{"tp"}+"V"_{"tn"}*sqrt("β"_{"n"}/"β"_{"p"}))/(1+sqrt("β"_{"n"}/"β"_{"p"}))`

Voorbeeld

`"19.15938V"=("6.3V"+"3.14V"+"25V"*sqrt("18"/"6.5"))/(1+sqrt("18"/"6.5"))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

Schakelpuntspanning Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Schakelpuntspanning = (Voedingsspanning+PMOS-drempelspanning+NMOS-drempelspanning*sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))/(1+sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))
V_s = (V_dd+V_tp+V_tn*sqrt(β_n/β_p))/(1+sqrt(β_n/β_p))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 6 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Schakelpuntspanning - (Gemeten in Volt) - Schakelpuntspanning verwijst naar de poortbronspanning (Vgs) waarbij de MOSFET overgaat van de uit-toestand naar de aan-toestand of omgekeerd.
Voedingsspanning - (Gemeten in Volt) - Voedingsspanning verwijst naar het spanningsniveau dat wordt geleverd om een elektronisch circuit of apparaat van stroom te voorzien.
PMOS-drempelspanning - (Gemeten in Volt) - PMOS-drempelspanning is een kritische parameter die het spanningsniveau definieert waarop de transistor stroom begint te geleiden.
NMOS-drempelspanning - (Gemeten in Volt) - NMOS-drempelspanning is een kritische parameter die de poort-bronspanning bepaalt waarbij de transistor stroom begint te geleiden.
NMOS-transistorversterking - NMOS-transistorversterking is een maatstaf voor hoeveel de uitgangsstroom verandert als reactie op een kleine verandering in de ingangsspanning.
PMOS-transistorversterking - PMOS-transistorversterking is een maatstaf voor hoeveel de uitgangsstroom verandert als reactie op een kleine verandering in de ingangsspanning.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Voedingsspanning: 6.3 Volt --> 6.3 Volt Geen conversie vereist
PMOS-drempelspanning: 3.14 Volt --> 3.14 Volt Geen conversie vereist
NMOS-drempelspanning: 25 Volt --> 25 Volt Geen conversie vereist
NMOS-transistorversterking: 18 --> Geen conversie vereist
PMOS-transistorversterking: 6.5 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_s = (V_dd+V_tp+V_tn*sqrt(β_n/β_p))/(1+sqrt(β_n/β_p)) --> (6.3+3.14+25*sqrt(18/6.5))/(1+sqrt(18/6.5))

Evalueren ... ...

V_s = 19.1593796922905

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

19.1593796922905 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

19.1593796922905 ≈ 19.15938 Volt <-- Schakelpuntspanning

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » Schakelpuntspanning

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 15 MOS IC-fabricage Rekenmachines

Schakelpuntspanning

Gaan Schakelpuntspanning = (Voedingsspanning+PMOS-drempelspanning+NMOS-drempelspanning*sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))/(1+sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))

Lichaamseffect in MOSFET

Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Concentratie van donordoteringsmiddelen

Gaan Concentratie van donordoteringsmiddelen = (Verzadigingsstroom*Lengte van de transistor)/([Charge-e]*Transistorbreedte*Elektronenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Gaan Concentratie van acceptordoteringsmiddel = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Maximale doteringsconcentratie

Gaan Maximale doteringsconcentratie = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen = [Charge-e]*Elektronenconcentratie*Elektronenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Voortplantingstijd

Gaan Voortplantingstijd = 0.7*Aantal doorlaattransistoren*((Aantal doorlaattransistoren+1)/2)*Weerstand in MOSFET*Belastingscapaciteit

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten = [Charge-e]*Gatenconcentratie*Gatenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Kanaal weerstand

Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Kritische dimensie

Gaan Kritische dimensie = Procesafhankelijke constante*Golflengte in fotolithografie/Numeriek diafragma

Diepte van focus

Gaan Diepte van focus = Evenredigheidsfactor*Golflengte in fotolithografie/(Numeriek diafragma^2)

Sterf per wafel

Gaan Sterf per wafel = (pi*Diameter wafeltje^2)/(4*Grootte van elke matrijs)

Equivalente oxidedikte

Gaan Equivalente oxidedikte = Dikte van materiaal*(3.9/Diëlektrische materiaalconstante)

Schakelpuntspanning Formule

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!