Потенциал между источником и телом Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Разница в потенциале исходного тела = Поверхностный потенциал/(2*ln(Концентрация акцептора/Внутренняя концентрация))
Vsb = Φs/(2*ln(NA/Ni))
В этой формуле используются 1 Функции, 4 Переменные
Используемые функции
ln - De natuurlijke logaritme, ook bekend als de logaritme met grondtal e, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)
Используемые переменные
Разница в потенциале исходного тела - (Измеряется в вольт) - Разность потенциалов тела источника рассчитывается, когда внешний приложенный потенциал равен сумме падения напряжения на оксидном слое и падения напряжения на полупроводнике.
Поверхностный потенциал - (Измеряется в вольт) - Поверхностный потенциал является ключевым параметром при оценке свойств тонкопленочных транзисторов по постоянному току.
Концентрация акцептора - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.
Внутренняя концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Собственная концентрация относится к концентрации носителей заряда (электронов и дырок) в собственном полупроводнике при тепловом равновесии.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Поверхностный потенциал: 6.86 вольт --> 6.86 вольт Конверсия не требуется
Концентрация акцептора: 1E+16 1 на кубический сантиметр --> 1E+22 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Внутренняя концентрация: 14500000000 1 на кубический сантиметр --> 1.45E+16 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Vsb = Φs/(2*ln(NA/Ni)) --> 6.86/(2*ln(1E+22/1.45E+16))
Оценка ... ...
Vsb = 0.255133406849134
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.255133406849134 вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.255133406849134 0.255133 вольт <-- Разница в потенциале исходного тела
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

16 Аналоговая СБИС Калькуляторы

Потенциал между источником и телом
Идти Разница в потенциале исходного тела = Поверхностный потенциал/(2*ln(Концентрация акцептора/Внутренняя концентрация))
Напряжение слива
Идти Базовое напряжение коллектора = sqrt(Динамическая мощность/(Частота*Емкость))
Ворота к базовой емкости
Идти Ворота к базовой емкости = Емкость затвора-(Ворота к емкости источника+Ворота для стока емкости)
Ворота для стока емкости
Идти Ворота для стока емкости = Емкость затвора-(Ворота к базовой емкости+Ворота к емкости источника)
Ворота к емкости источника
Идти Ворота к емкости источника = Емкость затвора-(Ворота к базовой емкости+Ворота для стока емкости)
Потенциал от стока к источнику
Идти Сток в источник потенциала = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Коэффициент DIBL
Напряжение затвора в канал
Идти Ворота к напряжению канала = (Плата за канал/Емкость затвора)+Пороговое напряжение
Минимальное высокое выходное напряжение
Идти Минимальное высокое выходное напряжение = Высокий запас по уровню шума+Минимальное высокое входное напряжение
Минимальное высокое входное напряжение
Идти Минимальное высокое входное напряжение = Минимальное высокое выходное напряжение-Высокий запас по уровню шума
Высокий уровень шума
Идти Высокий запас по уровню шума = Минимальное высокое выходное напряжение-Минимальное высокое входное напряжение
Максимальное низкое выходное напряжение
Идти Максимальное низкое выходное напряжение = Максимальное низкое входное напряжение-Низкий уровень шума
Максимальное низкое входное напряжение
Идти Максимальное низкое входное напряжение = Низкий уровень шума+Максимальное низкое выходное напряжение
Низкий уровень шума
Идти Низкий уровень шума = Максимальное низкое входное напряжение-Максимальное низкое выходное напряжение
Ворота к коллекторскому потенциалу
Идти Ворота к напряжению канала = (Ворота к источнику потенциала+Ворота для истощения потенциала)/2
Ворота для истощения потенциала
Идти Ворота для истощения потенциала = 2*Ворота к напряжению канала-Ворота к источнику потенциала
Ворота к источнику потенциала
Идти Ворота к источнику потенциала = 2*Ворота к напряжению канала-Ворота для истощения потенциала

Потенциал между источником и телом формула

Разница в потенциале исходного тела = Поверхностный потенциал/(2*ln(Концентрация акцептора/Внутренняя концентрация))
Vsb = Φs/(2*ln(NA/Ni))

Как тело влияет на пороговое напряжение?

Транзисторы - это четырехвыводное устройство. Это ворота, исток, сток и тело. Когда напряжение Vsb прикладывается между источником и телом, оно увеличивает количество заряда, необходимого для инвертирования канала, следовательно, увеличивает пороговое напряжение. Эффект тела еще больше ухудшает производительность проходных транзисторов, пытающихся передать слабое значение.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!