Potencial entre Fonte e Corpo Calculadora

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Projeto VLSI analógico

Otimização de materiais VLSI

✖O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.ⓘ Potencial de Superfície [Φ_s]			+10% -10%
✖Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.ⓘ Concentração do aceitante [N_A]			+10% -10%
✖Concentração Intrínseca refere-se à concentração de portadores de carga (elétrons e lacunas) em um semicondutor intrínseco em equilíbrio térmico.ⓘ Concentração Intrínseca [N_i]			+10% -10%

✖A diferença de potencial do corpo da fonte é calculada quando um potencial aplicado externamente é igual à soma da queda de tensão na camada de óxido e da queda de tensão no semicondutor.ⓘ Potencial entre Fonte e Corpo [V_sb]

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Fórmula

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Potencial entre Fonte e Corpo

Fórmula

`"V"_{"sb"} = "Φ"_{"s"}/(2*ln("N"_{"A"}/"N"_{"i"}))`

Exemplo

`"0.255133V"="6.86V"/(2*ln("1e+16/cm³"/"1.45e+10/cm³"))`

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Potencial entre Fonte e Corpo Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Diferença potencial do corpo de origem = Potencial de Superfície/(2*ln(Concentração do aceitante/Concentração Intrínseca))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))
Esta fórmula usa 1 Funções, 4 Variáveis

Funções usadas

ln - O logaritmo natural, também conhecido como logaritmo de base e, é a função inversa da função exponencial natural., ln(Number)

Variáveis Usadas

Diferença potencial do corpo de origem - (Medido em Volt) - A diferença de potencial do corpo da fonte é calculada quando um potencial aplicado externamente é igual à soma da queda de tensão na camada de óxido e da queda de tensão no semicondutor.
Potencial de Superfície - (Medido em Volt) - O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.
Concentração do aceitante - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Concentração Intrínseca - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração Intrínseca refere-se à concentração de portadores de carga (elétrons e lacunas) em um semicondutor intrínseco em equilíbrio térmico.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Potencial de Superfície: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Nenhuma conversão necessária
Concentração do aceitante: 1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Concentração Intrínseca: 14500000000 1 por centímetro cúbico --> 1.45E+16 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i)) --> 6.86/(2*ln(1E+22/1.45E+16))

Avaliando ... ...

V_sb = 0.255133406849134

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.255133406849134 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.255133406849134 ≈ 0.255133 Volt <-- Diferença potencial do corpo de origem

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 16 Projeto VLSI analógico Calculadoras

Potencial entre Fonte e Corpo

Vai Diferença potencial do corpo de origem = Potencial de Superfície/(2*ln(Concentração do aceitante/Concentração Intrínseca))

Porta para drenar a capacitância

Vai Porta para drenar a capacitância = Capacitância do portão-(Porta para capacitância base+Porta para capacitância de fonte)

Porta para capacitância de fonte

Vai Porta para capacitância de fonte = Capacitância do portão-(Porta para capacitância base+Porta para drenar a capacitância)

Porta para capacitância base

Vai Porta para capacitância base = Capacitância do portão-(Porta para capacitância de fonte+Porta para drenar a capacitância)

Tensão de drenagem

Vai Tensão do Coletor Base = sqrt(Potência Dinâmica/(Frequência*Capacitância))

Potencial do dreno para a fonte

Vai Drenar para Potencial de Fonte = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Coeficiente DIBL

Gate to Channel Voltage

Vai Tensão do portão para o canal = (Taxa de canal/Capacitância do portão)+Tensão de limiar

Potencial de porta para coletor

Vai Tensão do portão para o canal = (Potencial de porta para fonte+Potencial de porta para drenagem)/2

Potencial de porta para drenagem

Vai Potencial de porta para drenagem = 2*Tensão do portão para o canal-Potencial de porta para fonte

Potencial de porta para fonte

Vai Potencial de porta para fonte = 2*Tensão do portão para o canal-Potencial de porta para drenagem

Tensão de entrada baixa máxima

Vai Tensão de entrada máxima baixa = Margem de baixo ruído+Tensão máxima de saída baixa

Tensão de saída máxima baixa

Vai Tensão máxima de saída baixa = Tensão de entrada máxima baixa-Margem de baixo ruído

Margem de Baixo Ruído

Vai Margem de baixo ruído = Tensão de entrada máxima baixa-Tensão máxima de saída baixa

Tensão de entrada alta mínima

Vai Tensão de entrada mínima alta = Tensão Mínima de Alta Saída-Margem de alto ruído

Tensão de saída alta mínima

Vai Tensão Mínima de Alta Saída = Margem de alto ruído+Tensão de entrada mínima alta

Margem de ruído alto

Vai Margem de alto ruído = Tensão Mínima de Alta Saída-Tensão de entrada mínima alta

Potencial entre Fonte e Corpo Fórmula

Diferença potencial do corpo de origem = Potencial de Superfície/(2*ln(Concentração do aceitante/Concentração Intrínseca))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))

Como o corpo afeta a tensão limite?

Transistores é um dispositivo de quatro terminais. Eles são portão, fonte, dreno e corpo. Quando uma tensão Vsb é aplicada entre a fonte e o corpo, ela aumenta a quantidade de carga necessária para inverter o canal, portanto, aumenta a tensão limite. O efeito do corpo degrada ainda mais o desempenho dos transistores de passagem que tentam passar o valor fraco.

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