Potencjał między Źródłem a Ciałem Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Konstrukcja analogowa VLSI

Optymalizacja materiałów VLSI

✖Potencjał powierzchniowy jest kluczowym parametrem przy ocenie właściwości prądu stałego tranzystorów cienkowarstwowych.ⓘ Potencjał powierzchni [Φ_s]			+10% -10%
✖Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów domieszki akceptorowej w materiale półprzewodnikowym.ⓘ Stężenie akceptora [N_A]			+10% -10%
✖Stężenie wewnętrzne odnosi się do stężenia nośników ładunku (elektronów i dziur) we wewnętrznym półprzewodniku w równowadze termicznej.ⓘ Wewnętrzna koncentracja [N_i]			+10% -10%

✖Różnica potencjałów ciała źródłowego jest obliczana, gdy przyłożony zewnętrznie potencjał jest równy sumie spadku napięcia na warstwie tlenku i spadku napięcia na półprzewodniku.ⓘ Potencjał między Źródłem a Ciałem [V_sb]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Potencjał między Źródłem a Ciałem

Formuła

`"V"_{"sb"} = "Φ"_{"s"}/(2*ln("N"_{"A"}/"N"_{"i"}))`

Przykład

`"0.255133V"="6.86V"/(2*ln("1e+16/cm³"/"1.45e+10/cm³"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF

Potencjał między Źródłem a Ciałem Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Różnica potencjałów ciała źródłowego = Potencjał powierzchni/(2*ln(Stężenie akceptora/Wewnętrzna koncentracja))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))
Ta formuła używa 1 Funkcje, 4 Zmienne

Używane funkcje

ln - Logarytm naturalny, znany również jako logarytm o podstawie e, jest funkcją odwrotną do naturalnej funkcji wykładniczej., ln(Number)

Używane zmienne

Różnica potencjałów ciała źródłowego - (Mierzone w Wolt) - Różnica potencjałów ciała źródłowego jest obliczana, gdy przyłożony zewnętrznie potencjał jest równy sumie spadku napięcia na warstwie tlenku i spadku napięcia na półprzewodniku.
Potencjał powierzchni - (Mierzone w Wolt) - Potencjał powierzchniowy jest kluczowym parametrem przy ocenie właściwości prądu stałego tranzystorów cienkowarstwowych.
Stężenie akceptora - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów domieszki akceptorowej w materiale półprzewodnikowym.
Wewnętrzna koncentracja - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie wewnętrzne odnosi się do stężenia nośników ładunku (elektronów i dziur) we wewnętrznym półprzewodniku w równowadze termicznej.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Potencjał powierzchni: 6.86 Wolt --> 6.86 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Stężenie akceptora: 1E+16 1 na centymetr sześcienny --> 1E+22 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Wewnętrzna koncentracja: 14500000000 1 na centymetr sześcienny --> 1.45E+16 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i)) --> 6.86/(2*ln(1E+22/1.45E+16))

Ocenianie ... ...

V_sb = 0.255133406849134

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.255133406849134 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.255133406849134 ≈ 0.255133 Wolt <-- Różnica potencjałów ciała źródłowego

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Produkcja VLSI » Konstrukcja analogowa VLSI » Potencjał między Źródłem a Ciałem

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 16 Konstrukcja analogowa VLSI Kalkulatory

Potencjał między Źródłem a Ciałem

Iść Różnica potencjałów ciała źródłowego = Potencjał powierzchni/(2*ln(Stężenie akceptora/Wewnętrzna koncentracja))

Opróżnij napięcie

Iść Podstawowe napięcie kolektora = sqrt(Moc dynamiczna/(Częstotliwość*Pojemność))

Brama do pojemności bazowej

Iść Brama do pojemności bazowej = Pojemność bramki-(Pojemność bramy do źródła+Brama do drenażu pojemności)

Brama do drenażu pojemności

Iść Brama do drenażu pojemności = Pojemność bramki-(Brama do pojemności bazowej+Pojemność bramy do źródła)

Pojemność bramy do źródła

Iść Pojemność bramy do źródła = Pojemność bramki-(Brama do pojemności bazowej+Brama do drenażu pojemności)

Potencjał od drenażu do źródła

Iść Drenaż do potencjału źródłowego = (Napięcie progowe DIBL-Próg napięcia)/Współczynnik DIBL

Brama do napięcia kanału

Iść Napięcie bramki do kanału = (Opłata za kanał/Pojemność bramki)+Próg napięcia

Minimalne wysokie napięcie wyjściowe

Iść Minimalne wysokie napięcie wyjściowe = Wysoki margines hałasu+Minimalne wysokie napięcie wejściowe

Maksymalne niskie napięcie wejściowe

Iść Maksymalne niskie napięcie wejściowe = Niski margines hałasu+Maksymalne niskie napięcie wyjściowe

Maksymalne niskie napięcie wyjściowe

Iść Maksymalne niskie napięcie wyjściowe = Maksymalne niskie napięcie wejściowe-Niski margines hałasu

Minimalne wysokie napięcie wejściowe

Iść Minimalne wysokie napięcie wejściowe = Minimalne wysokie napięcie wyjściowe-Wysoki margines hałasu

Wysoki margines szumów

Iść Wysoki margines hałasu = Minimalne wysokie napięcie wyjściowe-Minimalne wysokie napięcie wejściowe

Niski margines szumów

Iść Niski margines hałasu = Maksymalne niskie napięcie wejściowe-Maksymalne niskie napięcie wyjściowe

Brama do potencjału kolekcjonerskiego

Iść Napięcie bramki do kanału = (Brama do potencjału źródła+Brama do drenażu potencjału)/2

Brama do drenażu potencjału

Iść Brama do drenażu potencjału = 2*Napięcie bramki do kanału-Brama do potencjału źródła

Brama do potencjału źródła

Iść Brama do potencjału źródła = 2*Napięcie bramki do kanału-Brama do drenażu potencjału

Potencjał między Źródłem a Ciałem Formułę

Różnica potencjałów ciała źródłowego = Potencjał powierzchni/(2*ln(Stężenie akceptora/Wewnętrzna koncentracja))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))

Jak ciało wpływa na napięcie progowe?

Tranzystory to urządzenie z czterema zaciskami. Są bramą, źródłem, drenażem i ciałem. Gdy napięcie Vsb jest przyłożone między źródłem a ciałem, zwiększa ilość ładunku wymaganego do odwrócenia kanału, a zatem zwiększa napięcie progowe. Efekt ciała dodatkowo pogarsza wydajność tranzystorów przepustowych, które próbują przekazać słabą wartość.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!