Potenzial zwischen Quelle und Körper Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Potenzialdifferenz des Quellkörpers = Oberflächenpotential/(2*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration))
Vsb = Φs/(2*ln(NA/Ni))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 4 Variablen
Verwendete Funktionen
ln - Натуральный логарифм, также известный как логарифм по основанию e, является обратной функцией натуральной показательной функции., ln(Number)
Verwendete Variablen
Potenzialdifferenz des Quellkörpers - (Gemessen in Volt) - Die Source-Body-Potentialdifferenz wird berechnet, wenn ein extern angelegtes Potential gleich der Summe des Spannungsabfalls über der Oxidschicht und des Spannungsabfalls über dem Halbleiter ist.
Oberflächenpotential - (Gemessen in Volt) - Das Oberflächenpotential ist ein Schlüsselparameter bei der Bewertung der Gleichstromeigenschaft von Dünnschichttransistoren.
Akzeptorkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.
Intrinsische Konzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter intrinsischer Konzentration versteht man die Konzentration von Ladungsträgern (Elektronen und Löcher) in einem intrinsischen Halbleiter im thermischen Gleichgewicht.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Oberflächenpotential: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Akzeptorkonzentration: 1E+16 1 pro Kubikzentimeter --> 1E+22 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Intrinsische Konzentration: 14500000000 1 pro Kubikzentimeter --> 1.45E+16 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Vsb = Φs/(2*ln(NA/Ni)) --> 6.86/(2*ln(1E+22/1.45E+16))
Auswerten ... ...
Vsb = 0.255133406849134
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.255133406849134 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.255133406849134 0.255133 Volt <-- Potenzialdifferenz des Quellkörpers
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

16 Analoges VLSI-Design Taschenrechner

Potenzial zwischen Quelle und Körper
Gehen Potenzialdifferenz des Quellkörpers = Oberflächenpotential/(2*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration))
Drain Voltage
Gehen Basiskollektorspannung = sqrt(Dynamische Kraft/(Frequenz*Kapazität))
Gate-zu-Basis-Kapazität
Gehen Gate-zu-Basis-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-Source-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)
Gate-to-Drain-Kapazität
Gehen Gate-to-Drain-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-Source-Kapazität)
Gate-Source-Kapazität
Gehen Gate-Source-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)
Potenzial von Drain zu Source
Gehen Drain-to-Source-Potenzial = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/DIBL-Koeffizient
Gate-zu-Kanal-Spannung
Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Kanalgebühr/Gate-Kapazität)+Grenzspannung
Maximale niedrige Ausgangsspannung
Gehen Maximal niedrige Ausgangsspannung = Maximal niedrige Eingangsspannung-Geringer Rauschabstand
Maximal niedrige Eingangsspannung
Gehen Maximal niedrige Eingangsspannung = Geringer Rauschabstand+Maximal niedrige Ausgangsspannung
Geringer Rauschabstand
Gehen Geringer Rauschabstand = Maximal niedrige Eingangsspannung-Maximal niedrige Ausgangsspannung
Minimale hohe Ausgangsspannung
Gehen Minimale hohe Ausgangsspannung = Hoher Rauschabstand+Minimale hohe Eingangsspannung
Minimale hohe Eingangsspannung
Gehen Minimale hohe Eingangsspannung = Minimale hohe Ausgangsspannung-Hoher Rauschabstand
Hoher Rauschabstand
Gehen Hoher Rauschabstand = Minimale hohe Ausgangsspannung-Minimale hohe Eingangsspannung
Tor zur Ableitung von Potenzial
Gehen Tor zur Potenzialentwässerung = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor-zu-Quelle-Potenzial
Gate-to-Collector-Potenzial
Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Tor-zu-Quelle-Potenzial+Tor zur Potenzialentwässerung)/2
Tor-zu-Quelle-Potenzial
Gehen Tor-zu-Quelle-Potenzial = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor zur Potenzialentwässerung

Potenzial zwischen Quelle und Körper Formel

Potenzialdifferenz des Quellkörpers = Oberflächenpotential/(2*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration))
Vsb = Φs/(2*ln(NA/Ni))

Wie wirkt sich der Körper auf die Schwellenspannung aus?

Transistoren ist ein Gerät mit vier Anschlüssen. Sie sind Gate, Source, Drain und Body. Wenn eine Spannung Vsb zwischen Source und Body angelegt wird, erhöht sie die Ladungsmenge, die zum Invertieren des Kanals erforderlich ist, und erhöht daher die Schwellenspannung. Der Body-Effekt verschlechtert die Leistung von Durchgangstransistoren weiter, die versuchen, den schwachen Wert zu passieren.

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