Potenziale tra sorgente e corpo calcolatrice

↳

Elettronica

Civile

Elettrico

Elettronica e strumentazione

Ingegneria Chimica

Ingegneria di produzione

Meccanico

Scienza dei materiali

⤿

Progettazione VLSI analogica

Ottimizzazione dei materiali VLSI

✖Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile.ⓘ Potenziale di superficie [Φ_s]			+10% -10%
✖La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione dell'accettore [N_A]			+10% -10%
✖La concentrazione intrinseca si riferisce alla concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un semiconduttore intrinseco all'equilibrio termico.ⓘ Concentrazione intrinseca [N_i]			+10% -10%

✖La differenza di potenziale del corpo della sorgente viene calcolata quando un potenziale applicato esternamente è uguale alla somma della caduta di tensione attraverso lo strato di ossido e della caduta di tensione attraverso il semiconduttore.ⓘ Potenziale tra sorgente e corpo [V_sb]

⎘ Copia

👎

Formula

✖

Potenziale tra sorgente e corpo

Formula

`"V"_{"sb"} = "Φ"_{"s"}/(2*ln("N"_{"A"}/"N"_{"i"}))`

Esempio

`"0.255133V"="6.86V"/(2*ln("1e+16/cm³"/"1.45e+10/cm³"))`

Calcolatrice

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento Elettronica Formula PDF

Potenziale tra sorgente e corpo Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Differenza di potenziale del corpo sorgente = Potenziale di superficie/(2*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 4 Variabili

Funzioni utilizzate

ln - Il logaritmo naturale, detto anche logaritmo in base e, è la funzione inversa della funzione esponenziale naturale., ln(Number)

Variabili utilizzate

Differenza di potenziale del corpo sorgente - (Misurato in Volt) - La differenza di potenziale del corpo della sorgente viene calcolata quando un potenziale applicato esternamente è uguale alla somma della caduta di tensione attraverso lo strato di ossido e della caduta di tensione attraverso il semiconduttore.
Potenziale di superficie - (Misurato in Volt) - Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile.
Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.
Concentrazione intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione intrinseca si riferisce alla concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un semiconduttore intrinseco all'equilibrio termico.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Potenziale di superficie: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Nessuna conversione richiesta
Concentrazione dell'accettore: 1E+16 1 per centimetro cubo --> 1E+22 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)
Concentrazione intrinseca: 14500000000 1 per centimetro cubo --> 1.45E+16 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i)) --> 6.86/(2*ln(1E+22/1.45E+16))

Valutare ... ...

V_sb = 0.255133406849134

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.255133406849134 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.255133406849134 ≈ 0.255133 Volt <-- Differenza di potenziale del corpo sorgente

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » Fabbricazione VLSI » Progettazione VLSI analogica » Potenziale tra sorgente e corpo

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 16 Progettazione VLSI analogica Calcolatrici

Potenziale tra sorgente e corpo

Partire Differenza di potenziale del corpo sorgente = Potenziale di superficie/(2*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca))

Porta per la capacità di drenaggio

Partire Porta per la capacità di drenaggio = Capacità del cancello-(Capacità da gate a base+Capacità dal gate alla sorgente)

Capacità dal gate alla sorgente

Partire Capacità dal gate alla sorgente = Capacità del cancello-(Capacità da gate a base+Porta per la capacità di drenaggio)

Capacità da gate a base

Partire Capacità da gate a base = Capacità del cancello-(Capacità dal gate alla sorgente+Porta per la capacità di drenaggio)

Tensione di drenaggio

Partire Tensione del collettore di base = sqrt(Potenza dinamica/(Frequenza*Capacità))

Potenziale da Drain a Source

Partire Drenare al potenziale di origine = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Coefficiente DIBL

Gate to Channel Voltage

Partire Voltaggio da gate a canale = (Carica del canale/Capacità del cancello)+Soglia di voltaggio

Minima alta tensione di ingresso

Partire Tensione di ingresso minima elevata = Tensione di uscita minima elevata-Margine di rumore elevato

Minima alta tensione di uscita

Partire Tensione di uscita minima elevata = Margine di rumore elevato+Tensione di ingresso minima elevata

Alto margine di rumore

Partire Margine di rumore elevato = Tensione di uscita minima elevata-Tensione di ingresso minima elevata

Tensione di ingresso massima bassa

Partire Massima tensione di ingresso bassa = Margine di rumore basso+Massima tensione di uscita bassa

Tensione di uscita massima bassa

Partire Massima tensione di uscita bassa = Massima tensione di ingresso bassa-Margine di rumore basso

Margine a basso rumore

Partire Margine di rumore basso = Massima tensione di ingresso bassa-Massima tensione di uscita bassa

Porta al potenziale del collezionista

Partire Voltaggio da gate a canale = (Potenziale dal gate alla fonte+Porta per drenare potenziale)/2

Potenziale dal gate alla fonte

Partire Potenziale dal gate alla fonte = 2*Voltaggio da gate a canale-Porta per drenare potenziale

Porta per drenare potenziale

Partire Porta per drenare potenziale = 2*Voltaggio da gate a canale-Potenziale dal gate alla fonte

Potenziale tra sorgente e corpo Formula

Differenza di potenziale del corpo sorgente = Potenziale di superficie/(2*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))

In che modo il corpo influisce sulla tensione di soglia?

I transistor sono dispositivi a quattro terminali. Sono porta, sorgente, drenaggio e corpo. Quando una tensione Vsb viene applicata tra la sorgente e il corpo, aumenta la quantità di carica richiesta per invertire il canale, quindi aumenta la tensione di soglia. L'effetto body degrada ulteriormente le prestazioni dei pass transistor che cercano di superare il valore debole.

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!