Крутизна в области насыщения Калькулятор

✖Выходная проводимость представляет собой проводимость сток-исток МОП-транзистора при малых сигналах, когда напряжение затвор-исток поддерживается постоянным.ⓘ Выходная проводимость [G_o]			+10% -10%
✖Потенциальный барьер диода Шоттки — это энергетический барьер, который существует на границе раздела металла и полупроводникового материала в диоде Шоттки.ⓘ Потенциальный барьер диода Шоттки [V_i]			+10% -10%
✖Напряжение на затворе относится к напряжению, подаваемому на управляющий вывод MESFET для регулирования его проводимости. Напряжение на затворе определяет количество свободных носителей заряда в канале.ⓘ Напряжение затвора [V_g]			+10% -10%
✖Напряжение отключения — это напряжение затвора, при котором канал полностью пережимается, и это ключевой параметр в работе полевых транзисторов. Это важный параметр при проектировании схем.ⓘ Напряжение отсечки [V_p]			+10% -10%

✖Крутизна определяется как отношение изменения тока стока к изменению напряжения затвор-исток при условии постоянного напряжения сток-исток.ⓘ Крутизна в области насыщения [g_m]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Крутизна в области насыщения

Формула

`"g"_{"m"} = "G"_{"o"}*(1-sqrt(("V"_{"i"}-"V"_{"g"})/"V"_{"p"}))`

Пример

`"0.050963S"="0.174S"*(1-sqrt(("15.9V"-"9.62V")/"12.56V"))`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Характеристики MESFET Формулы PDF PDF Image

Крутизна в области насыщения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Крутизна = Выходная проводимость*(1-sqrt((Потенциальный барьер диода Шоттки-Напряжение затвора)/Напряжение отсечки))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))
В этой формуле используются 1 Функции, 5 Переменные

Используемые функции

sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Крутизна - (Измеряется в Сименс) - Крутизна определяется как отношение изменения тока стока к изменению напряжения затвор-исток при условии постоянного напряжения сток-исток.
Выходная проводимость - (Измеряется в Сименс) - Выходная проводимость представляет собой проводимость сток-исток МОП-транзистора при малых сигналах, когда напряжение затвор-исток поддерживается постоянным.
Потенциальный барьер диода Шоттки - (Измеряется в вольт) - Потенциальный барьер диода Шоттки — это энергетический барьер, который существует на границе раздела металла и полупроводникового материала в диоде Шоттки.
Напряжение затвора - (Измеряется в вольт) - Напряжение на затворе относится к напряжению, подаваемому на управляющий вывод MESFET для регулирования его проводимости. Напряжение на затворе определяет количество свободных носителей заряда в канале.
Напряжение отсечки - (Измеряется в вольт) - Напряжение отключения — это напряжение затвора, при котором канал полностью пережимается, и это ключевой параметр в работе полевых транзисторов. Это важный параметр при проектировании схем.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Выходная проводимость: 0.174 Сименс --> 0.174 Сименс Конверсия не требуется
Потенциальный барьер диода Шоттки: 15.9 вольт --> 15.9 вольт Конверсия не требуется
Напряжение затвора: 9.62 вольт --> 9.62 вольт Конверсия не требуется
Напряжение отсечки: 12.56 вольт --> 12.56 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p)) --> 0.174*(1-sqrt((15.9-9.62)/12.56))

Оценка ... ...

g_m = 0.0509634200735407

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.0509634200735407 Сименс --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.0509634200735407 ≈ 0.050963 Сименс <-- Крутизна

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Теория СВЧ » Микроволновые полупроводниковые приборы » Характеристики MESFET » Крутизна в области насыщения

Кредиты

Сделано Сону Кумар Кешри

Национальный технологический институт, Патна (НИТР), Патна

Сону Кумар Кешри создал этот калькулятор и еще 5!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 600+!

< 13 Характеристики MESFET Калькуляторы

Частота среза с использованием максимальной частоты

Идти Частота среза = (2*Максимальная частота колебаний)/(sqrt(Сопротивление дренажу/(Источник сопротивления+Сопротивление металлизации ворот+Входное сопротивление)))

Сопротивление металлизации ворот

Идти Сопротивление металлизации ворот = ((Сопротивление дренажу*Частота среза^2)/(4*Максимальная частота колебаний^2))-(Источник сопротивления+Входное сопротивление)

Источник сопротивления

Идти Источник сопротивления = ((Сопротивление дренажу*Частота среза^2)/(4*Максимальная частота колебаний^2))-(Сопротивление металлизации ворот+Входное сопротивление)

Входное сопротивление

Идти Входное сопротивление = ((Сопротивление дренажу*Частота среза^2)/(4*Максимальная частота колебаний^2))-(Сопротивление металлизации ворот+Источник сопротивления)

Сопротивление стока MESFET

Идти Сопротивление дренажу = ((4*Максимальная частота колебаний^2)/Частота среза^2)*(Источник сопротивления+Сопротивление металлизации ворот+Входное сопротивление)

Крутизна в области насыщения

Идти Крутизна = Выходная проводимость*(1-sqrt((Потенциальный барьер диода Шоттки-Напряжение затвора)/Напряжение отсечки))

Максимальная частота колебаний в MESFET

Идти Максимальная частота колебаний = (Частота единичного усиления/2)*sqrt(Сопротивление дренажу/Сопротивление металлизации ворот)

Максимальная частота колебаний с учетом крутизны

Идти Максимальная частота колебаний = Крутизна/(pi*Емкость источника затвора)

Длина затвора MESFET

Идти Длина ворот = Скорость насыщенного дрейфа/(4*pi*Частота среза)

Частота среза

Идти Частота среза = Скорость насыщенного дрейфа/(4*pi*Длина ворот)

Частота среза с учетом крутизны и емкости

Идти Частота среза = Крутизна/(2*pi*Емкость источника затвора)

Емкость источника затвора

Идти Емкость источника затвора = Крутизна/(2*pi*Частота среза)

Крутизна в MESFET

Идти Крутизна = 2*Емкость источника затвора*pi*Частота среза

Крутизна в области насыщения формула

Крутизна = Выходная проводимость*(1-sqrt((Потенциальный барьер диода Шоттки-Напряжение затвора)/Напряжение отсечки))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!