Transconductantie in het verzadigingsgebied Rekenmachine

✖De uitgangsgeleiding vertegenwoordigt de drain-source-geleiding met een klein signaal van de MOSFET wanneer de gate-source-spanning constant wordt gehouden.ⓘ Uitgangsgeleiding [G_o]			+10% -10%
✖Schottky Diode Potentiële Barrière is de energiebarrière die bestaat op het grensvlak tussen een metaal en een halfgeleidermateriaal in een Schottky-diode.ⓘ Potentiële barrière met Schottky-diode [V_i]			+10% -10%
✖Poortspanning verwijst naar de spanning die wordt toegepast op de stuuraansluiting van een MESFET om de geleiding ervan te regelen. De poortspanning bepaalt het aantal vrije ladingsdragers in het kanaal.ⓘ Poortspanning [V_g]			+10% -10%
✖Afknijpspanning is de poortspanning waarbij het kanaal volledig wordt afgekneld, en is een sleutelparameter bij de werking van FET's. Het is een belangrijke parameter bij het ontwerpen van circuits.ⓘ Afknijpspanning [V_p]			+10% -10%

✖Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de verandering in drainstroom en de verandering in gate-source-spanning, uitgaande van een constante drain-source-spanning.ⓘ Transconductantie in het verzadigingsgebied [g_m]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Transconductantie in het verzadigingsgebied

Formule

`"g"_{"m"} = "G"_{"o"}*(1-sqrt(("V"_{"i"}-"V"_{"g"})/"V"_{"p"}))`

Voorbeeld

`"0.050963S"="0.174S"*(1-sqrt(("15.9V"-"9.62V")/"12.56V"))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MESFET-kenmerken Formules Pdf

Transconductantie in het verzadigingsgebied Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Transgeleiding = Uitgangsgeleiding*(1-sqrt((Potentiële barrière met Schottky-diode-Poortspanning)/Afknijpspanning))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Transgeleiding - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de verandering in drainstroom en de verandering in gate-source-spanning, uitgaande van een constante drain-source-spanning.
Uitgangsgeleiding - (Gemeten in Siemens) - De uitgangsgeleiding vertegenwoordigt de drain-source-geleiding met een klein signaal van de MOSFET wanneer de gate-source-spanning constant wordt gehouden.
Potentiële barrière met Schottky-diode - (Gemeten in Volt) - Schottky Diode Potentiële Barrière is de energiebarrière die bestaat op het grensvlak tussen een metaal en een halfgeleidermateriaal in een Schottky-diode.
Poortspanning - (Gemeten in Volt) - Poortspanning verwijst naar de spanning die wordt toegepast op de stuuraansluiting van een MESFET om de geleiding ervan te regelen. De poortspanning bepaalt het aantal vrije ladingsdragers in het kanaal.
Afknijpspanning - (Gemeten in Volt) - Afknijpspanning is de poortspanning waarbij het kanaal volledig wordt afgekneld, en is een sleutelparameter bij de werking van FET's. Het is een belangrijke parameter bij het ontwerpen van circuits.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Uitgangsgeleiding: 0.174 Siemens --> 0.174 Siemens Geen conversie vereist
Potentiële barrière met Schottky-diode: 15.9 Volt --> 15.9 Volt Geen conversie vereist
Poortspanning: 9.62 Volt --> 9.62 Volt Geen conversie vereist
Afknijpspanning: 12.56 Volt --> 12.56 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p)) --> 0.174*(1-sqrt((15.9-9.62)/12.56))

Evalueren ... ...

g_m = 0.0509634200735407

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.0509634200735407 Siemens --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.0509634200735407 ≈ 0.050963 Siemens <-- Transgeleiding

(Berekening voltooid in 00.018 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Magnetron theorie » Microgolf-halfgeleiders » MESFET-kenmerken » Transconductantie in het verzadigingsgebied

Credits

Gemaakt door Sonu Kumar Keshri

Nationaal Instituut voor Technologie, Patna (NITP), Patna

Sonu Kumar Keshri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 5 meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 13 MESFET-kenmerken Rekenmachines

Afsnijfrequentie met maximale frequentie

Gaan Afgesneden frequentie = (2*Maximale frequentie van trillingen)/(sqrt(Afvoerweerstand/(Bron weerstand+Weerstand tegen metallisatie van poorten+Ingangsweerstand)))

Weerstand tegen metallisatie van poorten

Gaan Weerstand tegen metallisatie van poorten = ((Afvoerweerstand*Afgesneden frequentie^2)/(4*Maximale frequentie van trillingen^2))-(Bron weerstand+Ingangsweerstand)

Ingangsweerstand

Gaan Ingangsweerstand = ((Afvoerweerstand*Afgesneden frequentie^2)/(4*Maximale frequentie van trillingen^2))-(Weerstand tegen metallisatie van poorten+Bron weerstand)

Bron weerstand

Gaan Bron weerstand = ((Afvoerweerstand*Afgesneden frequentie^2)/(4*Maximale frequentie van trillingen^2))-(Weerstand tegen metallisatie van poorten+Ingangsweerstand)

Afvoerweerstand van MESFET

Gaan Afvoerweerstand = ((4*Maximale frequentie van trillingen^2)/Afgesneden frequentie^2)*(Bron weerstand+Weerstand tegen metallisatie van poorten+Ingangsweerstand)

Transconductantie in het verzadigingsgebied

Gaan Transgeleiding = Uitgangsgeleiding*(1-sqrt((Potentiële barrière met Schottky-diode-Poortspanning)/Afknijpspanning))

Maximale frequentie van trillingen in MESFET

Gaan Maximale frequentie van trillingen = (Eenheidsversterkingsfrequentie/2)*sqrt(Afvoerweerstand/Weerstand tegen metallisatie van poorten)

Maximale frequentie van oscillatie gegeven transconductantie

Gaan Maximale frequentie van trillingen = Transgeleiding/(pi*Gate-broncapaciteit)

Poortlengte van MESFET

Gaan Poortlengte = Verzadigde driftsnelheid/(4*pi*Afgesneden frequentie)

Afgesneden frequentie

Gaan Afgesneden frequentie = Verzadigde driftsnelheid/(4*pi*Poortlengte)

Afsnijfrequentie gegeven transconductantie en capaciteit

Gaan Afgesneden frequentie = Transgeleiding/(2*pi*Gate-broncapaciteit)