Transconduttanza nella regione di saturazione calcolatrice

✖La conduttanza di uscita rappresenta la conduttanza drain-source di piccolo segnale del MOSFET quando la tensione gate-source viene mantenuta costante.ⓘ Conduttanza di uscita [G_o]			+10% -10%
✖La barriera potenziale del diodo Schottky è la barriera energetica che esiste all'interfaccia tra un metallo e un materiale semiconduttore in un diodo Schottky.ⓘ Barriera potenziale del diodo Schottky [V_i]			+10% -10%
✖La tensione di gate si riferisce alla tensione applicata al terminale di controllo di un MESFET per regolarne la conduttanza. La tensione di gate determina il numero di portatori di carica liberi nel canale.ⓘ Tensione di porta [V_g]			+10% -10%
✖La tensione di chiusura è la tensione di gate alla quale il canale viene completamente bloccato ed è un parametro chiave nel funzionamento dei FET. È un parametro importante nella progettazione del circuito.ⓘ Interruzione della tensione [V_p]			+10% -10%

✖La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente drain e la variazione della tensione gate-source, assumendo una tensione drain-source costante.ⓘ Transconduttanza nella regione di saturazione [g_m]

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Formula

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Transconduttanza nella regione di saturazione

Formula

`"g"_{"m"} = "G"_{"o"}*(1-sqrt(("V"_{"i"}-"V"_{"g"})/"V"_{"p"}))`

Esempio

`"0.050963S"="0.174S"*(1-sqrt(("15.9V"-"9.62V")/"12.56V"))`

Calcolatrice

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Transconduttanza nella regione di saturazione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Transconduttanza = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Barriera potenziale del diodo Schottky-Tensione di porta)/Interruzione della tensione))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente drain e la variazione della tensione gate-source, assumendo una tensione drain-source costante.
Conduttanza di uscita - (Misurato in Siemens) - La conduttanza di uscita rappresenta la conduttanza drain-source di piccolo segnale del MOSFET quando la tensione gate-source viene mantenuta costante.
Barriera potenziale del diodo Schottky - (Misurato in Volt) - La barriera potenziale del diodo Schottky è la barriera energetica che esiste all'interfaccia tra un metallo e un materiale semiconduttore in un diodo Schottky.
Tensione di porta - (Misurato in Volt) - La tensione di gate si riferisce alla tensione applicata al terminale di controllo di un MESFET per regolarne la conduttanza. La tensione di gate determina il numero di portatori di carica liberi nel canale.
Interruzione della tensione - (Misurato in Volt) - La tensione di chiusura è la tensione di gate alla quale il canale viene completamente bloccato ed è un parametro chiave nel funzionamento dei FET. È un parametro importante nella progettazione del circuito.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Conduttanza di uscita: 0.174 Siemens --> 0.174 Siemens Nessuna conversione richiesta
Barriera potenziale del diodo Schottky: 15.9 Volt --> 15.9 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione di porta: 9.62 Volt --> 9.62 Volt Nessuna conversione richiesta
Interruzione della tensione: 12.56 Volt --> 12.56 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p)) --> 0.174*(1-sqrt((15.9-9.62)/12.56))

Valutare ... ...

g_m = 0.0509634200735407

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0509634200735407 Siemens --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.0509634200735407 ≈ 0.050963 Siemens <-- Transconduttanza

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Sonu Kumar Keshri

Istituto Nazionale di Tecnologia, Patna (PNI), Patna

Sonu Kumar Keshri ha creato questa calcolatrice e altre 5 altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

< 13 Caratteristiche del MESFET Calcolatrici

Frequenza di taglio utilizzando la frequenza massima

Partire Frequenza di taglio = (2*Frequenza massima delle oscillazioni)/(sqrt(Resistenza allo scarico/(Resistenza alla fonte+Resistenza alla metallizzazione del cancello+Resistenza in ingresso)))

Resistenza alla metallizzazione del cancello

Partire Resistenza alla metallizzazione del cancello = ((Resistenza allo scarico*Frequenza di taglio^2)/(4*Frequenza massima delle oscillazioni^2))-(Resistenza alla fonte+Resistenza in ingresso)

Resistenza in ingresso

Partire Resistenza in ingresso = ((Resistenza allo scarico*Frequenza di taglio^2)/(4*Frequenza massima delle oscillazioni^2))-(Resistenza alla metallizzazione del cancello+Resistenza alla fonte)

Resistenza alla fonte

Partire Resistenza alla fonte = ((Resistenza allo scarico*Frequenza di taglio^2)/(4*Frequenza massima delle oscillazioni^2))-(Resistenza alla metallizzazione del cancello+Resistenza in ingresso)

Resistenza al drenaggio del MESFET

Partire Resistenza allo scarico = ((4*Frequenza massima delle oscillazioni^2)/Frequenza di taglio^2)*(Resistenza alla fonte+Resistenza alla metallizzazione del cancello+Resistenza in ingresso)

Transconduttanza nella regione di saturazione

Partire Transconduttanza = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Barriera potenziale del diodo Schottky-Tensione di porta)/Interruzione della tensione))

Frequenza massima delle oscillazioni in MESFET

Partire Frequenza massima delle oscillazioni = (Frequenza di guadagno unitario/2)*sqrt(Resistenza allo scarico/Resistenza alla metallizzazione del cancello)

Frequenza massima di oscillazione data la transconduttanza

Partire Frequenza massima delle oscillazioni = Transconduttanza/(pi*Capacità della sorgente di gate)

Lunghezza del cancello del MESFET

Partire Lunghezza del cancello = Velocità di deriva saturata/(4*pi*Frequenza di taglio)

Frequenza di taglio

Partire Frequenza di taglio = Velocità di deriva saturata/(4*pi*Lunghezza del cancello)

Frequenza di taglio data transconduttanza e capacità

Partire Frequenza di taglio = Transconduttanza/(2*pi*Capacità della sorgente di gate)

Capacità della sorgente di gate

Partire Capacità della sorgente di gate = Transconduttanza/(2*pi*Frequenza di taglio)

Transconduttanza nel MESFET

Partire Transconduttanza = 2*Capacità della sorgente di gate*pi*Frequenza di taglio

Transconduttanza nella regione di saturazione Formula

Transconduttanza = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Barriera potenziale del diodo Schottky-Tensione di porta)/Interruzione della tensione))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))

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