Transcondutância na região de saturação Calculadora

✖A condutância de saída representa a condutância da fonte de drenagem de sinal pequeno do MOSFET quando a tensão da fonte da porta é mantida constante.ⓘ Condutância de saída [G_o]			+10% -10%
✖A barreira potencial do diodo Schottky é a barreira de energia que existe na interface entre um metal e um material semicondutor em um diodo Schottky.ⓘ Barreira potencial de diodo Schottky [V_i]			+10% -10%
✖Tensão de porta refere-se à tensão aplicada ao terminal de controle de um MESFET para regular sua condutância. A tensão de porta determina o número de portadores de carga livres no canal.ⓘ Tensão do portão [V_g]			+10% -10%
✖A tensão de pinçamento é a tensão da porta na qual o canal fica completamente comprimido e é um parâmetro chave na operação de FETs. É um parâmetro importante no projeto de circuitos.ⓘ Reduza a tensão [V_p]			+10% -10%

✖A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de dreno e a mudança na tensão da porta-fonte, assumindo uma tensão constante da fonte de dreno.ⓘ Transcondutância na região de saturação [g_m]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

✖

Transcondutância na região de saturação

Fórmula

`"g"_{"m"} = "G"_{"o"}*(1-sqrt(("V"_{"i"}-"V"_{"g"})/"V"_{"p"}))`

Exemplo

`"0.050963S"="0.174S"*(1-sqrt(("15.9V"-"9.62V")/"12.56V"))`

Calculadora

LaTeX

Redefinir

👍

Download Características do MESFET Fórmulas PDF PDF Image

Transcondutância na região de saturação Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Transcondutância = Condutância de saída*(1-sqrt((Barreira potencial de diodo Schottky-Tensão do portão)/Reduza a tensão))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Transcondutância - (Medido em Siemens) - A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de dreno e a mudança na tensão da porta-fonte, assumindo uma tensão constante da fonte de dreno.
Condutância de saída - (Medido em Siemens) - A condutância de saída representa a condutância da fonte de drenagem de sinal pequeno do MOSFET quando a tensão da fonte da porta é mantida constante.
Barreira potencial de diodo Schottky - (Medido em Volt) - A barreira potencial do diodo Schottky é a barreira de energia que existe na interface entre um metal e um material semicondutor em um diodo Schottky.
Tensão do portão - (Medido em Volt) - Tensão de porta refere-se à tensão aplicada ao terminal de controle de um MESFET para regular sua condutância. A tensão de porta determina o número de portadores de carga livres no canal.
Reduza a tensão - (Medido em Volt) - A tensão de pinçamento é a tensão da porta na qual o canal fica completamente comprimido e é um parâmetro chave na operação de FETs. É um parâmetro importante no projeto de circuitos.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Condutância de saída: 0.174 Siemens --> 0.174 Siemens Nenhuma conversão necessária
Barreira potencial de diodo Schottky: 15.9 Volt --> 15.9 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão do portão: 9.62 Volt --> 9.62 Volt Nenhuma conversão necessária
Reduza a tensão: 12.56 Volt --> 12.56 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p)) --> 0.174*(1-sqrt((15.9-9.62)/12.56))

Avaliando ... ...

g_m = 0.0509634200735407

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0509634200735407 Siemens --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.0509634200735407 ≈ 0.050963 Siemens <-- Transcondutância

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Teoria de Microondas » Dispositivos semicondutores de micro-ondas » Características do MESFET » Transcondutância na região de saturação

Créditos

Criado por Sonu Kumar Keshri

Instituto Nacional de Tecnologia, Patna (NITP), patna

Sonu Kumar Keshri criou esta calculadora e mais 5 calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

< 13 Características do MESFET Calculadoras

Frequência de corte usando frequência máxima

Vai Frequência de corte = (2*Frequência Máxima de Oscilações)/(sqrt(Resistência à drenagem/(Resistência da Fonte+Resistência à Metalização de Portas+Resistência de entrada)))

Resistência à Metalização de Portas

Vai Resistência à Metalização de Portas = ((Resistência à drenagem*Frequência de corte^2)/(4*Frequência Máxima de Oscilações^2))-(Resistência da Fonte+Resistência de entrada)

Resistência de entrada

Vai Resistência de entrada = ((Resistência à drenagem*Frequência de corte^2)/(4*Frequência Máxima de Oscilações^2))-(Resistência à Metalização de Portas+Resistência da Fonte)

Resistência da Fonte

Vai Resistência da Fonte = ((Resistência à drenagem*Frequência de corte^2)/(4*Frequência Máxima de Oscilações^2))-(Resistência à Metalização de Portas+Resistência de entrada)

Resistência à drenagem do MESFET

Vai Resistência à drenagem = ((4*Frequência Máxima de Oscilações^2)/Frequência de corte^2)*(Resistência da Fonte+Resistência à Metalização de Portas+Resistência de entrada)

Transcondutância na região de saturação

Vai Transcondutância = Condutância de saída*(1-sqrt((Barreira potencial de diodo Schottky-Tensão do portão)/Reduza a tensão))

Frequência Máxima de Oscilações no MESFET

Vai Frequência Máxima de Oscilações = (Frequência de ganho de unidade/2)*sqrt(Resistência à drenagem/Resistência à Metalização de Portas)

Frequência Máxima de Oscilação dada a Transcondutância

Vai Frequência Máxima de Oscilações = Transcondutância/(pi*Capacitância da Fonte de Porta)

Comprimento do portão do MESFET

Vai Comprimento do portão = Velocidade de deriva saturada/(4*pi*Frequência de corte)

Frequência de corte

Vai Frequência de corte = Velocidade de deriva saturada/(4*pi*Comprimento do portão)

Frequência de corte dada transcondutância e capacitância

Vai Frequência de corte = Transcondutância/(2*pi*Capacitância da Fonte de Porta)

Capacitância da Fonte de Porta

Vai Capacitância da Fonte de Porta = Transcondutância/(2*pi*Frequência de corte)

Transcondutância em MESFET

Vai Transcondutância = 2*Capacitância da Fonte de Porta*pi*Frequência de corte

Transcondutância na região de saturação Fórmula

Transcondutância = Condutância de saída*(1-sqrt((Barreira potencial de diodo Schottky-Tensão do portão)/Reduza a tensão))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!