Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением Калькулятор

Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Плотность легирования боковой стенки*Допинговая концентрация донора)/(Плотность легирования боковой стенки+Допинговая концентрация донора))*1/Заложенный потенциал соединений боковых стенок)
C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw)
В этой формуле используются 2 Константы, 1 Функции, 4 Переменные
[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19sqrt - Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа., sqrt(Number)Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением - (Измеряется в фарада) - Потенциал перехода на боковой стенке с нулевым смещением — это встроенный потенциал в переходе на боковой стенке определенных транзисторных структур.
Плотность легирования боковой стенки - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Плотность легирования боковых стенок относится к концентрации атомов примеси вдоль боковых стенок транзисторной структуры.
Допинговая концентрация донора - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Легирующая концентрация донора относится к концентрации донорных атомов, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
Заложенный потенциал соединений боковых стенок - (Измеряется в вольт) - Под встроенным потенциалом боковых переходов понимается переход, образованный вдоль вертикальных или боковых поверхностей транзисторной структуры.

(Расчет завершен через 00.020 секунд)