Tiefenschärfe Taschenrechner

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MOS-IC-Herstellung

Bipolare IC-Herstellung

Schmitt-Trigger

✖Der Proportionalitätsfaktor ist eine Konstante, die zwei Schlüsselparameter in Beziehung setzt: die kritische Dimension (CD) und die Expositionsdosis.ⓘ Proportionalitätsfaktor [k₂]			+10% -10%
✖Unter Wellenlänge in der Fotolithographie versteht man den spezifischen Bereich elektromagnetischer Strahlung, der zur Strukturierung von Halbleiterwafern während des Halbleiterherstellungsprozesses verwendet wird.ⓘ Wellenlänge in der Fotolithographie [λ_l]			+10% -10%
✖Die numerische Apertur eines optischen Systems ist ein Parameter, der in der Optik verwendet wird, um die Leistungsfähigkeit eines optischen Systems zu beschreiben. Im Kontext der Halbleiterfertigung und Fotolithographie.ⓘ Numerische Apertur [NA]			+10% -10%

✖Die Fokustiefe ist ein kritischer Parameter, der die Toleranz gegenüber Abweichungen in der Höhe des Halbleiterwafers beeinflusst.ⓘ Tiefenschärfe [DOF]

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Formel

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Tiefenschärfe

Formel

`"DOF" = "k"_{"2"}*"λ"_{"l"}/("NA"^2)`

Beispiel

`"1.301331μm"="3"*"223nm"/(("0.717")^2)`

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Tiefenschärfe Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Tiefenschärfe = Proportionalitätsfaktor*Wellenlänge in der Fotolithographie/(Numerische Apertur^2)
DOF = k₂*λ_l/(NA^2)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Tiefenschärfe - (Gemessen in Meter) - Die Fokustiefe ist ein kritischer Parameter, der die Toleranz gegenüber Abweichungen in der Höhe des Halbleiterwafers beeinflusst.
Proportionalitätsfaktor - Der Proportionalitätsfaktor ist eine Konstante, die zwei Schlüsselparameter in Beziehung setzt: die kritische Dimension (CD) und die Expositionsdosis.
Wellenlänge in der Fotolithographie - (Gemessen in Meter) - Unter Wellenlänge in der Fotolithographie versteht man den spezifischen Bereich elektromagnetischer Strahlung, der zur Strukturierung von Halbleiterwafern während des Halbleiterherstellungsprozesses verwendet wird.
Numerische Apertur - Die numerische Apertur eines optischen Systems ist ein Parameter, der in der Optik verwendet wird, um die Leistungsfähigkeit eines optischen Systems zu beschreiben. Im Kontext der Halbleiterfertigung und Fotolithographie.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Proportionalitätsfaktor: 3 --> Keine Konvertierung erforderlich
Wellenlänge in der Fotolithographie: 223 Nanometer --> 2.23E-07 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Numerische Apertur: 0.717 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

DOF = k₂*λ_l/(NA^2) --> 3*2.23E-07/(0.717^2)

Auswerten ... ...

DOF = 1.30133109247621E-06

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.30133109247621E-06 Meter -->1.30133109247621 Mikrometer (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.30133109247621 ≈ 1.301331 Mikrometer <-- Tiefenschärfe

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Schaltpunktspannung

Gehen Schaltpunktspannung = (Versorgungsspannung+PMOS-Schwellenspannung+NMOS-Schwellenspannung*sqrt(NMOS-Transistorverstärkung/Verstärkung des PMOS-Transistors))/(1+sqrt(NMOS-Transistorverstärkung/Verstärkung des PMOS-Transistors))

Körpereffekt im MOSFET

Gehen Schwellenspannung mit Substrat = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial))

Donator-Dotierstoffkonzentration

Gehen Donator-Dotierstoffkonzentration = (Sättigungsstrom*Transistorlänge)/([Charge-e]*Breite des Transistors*Elektronenmobilität*Kapazität der Sperrschicht)

Dotierstoffkonzentration des Akzeptors

Gehen Dotierstoffkonzentration des Akzeptors = 1/(2*pi*Transistorlänge*Breite des Transistors*[Charge-e]*Lochmobilität*Kapazität der Sperrschicht)

Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter/2*(Gate-Source-Spannung-Schwellenspannung mit Zero Body Bias)^2*(1+Modulationsfaktor der Kanallänge*Drain-Quellenspannung)

Maximale Dotierstoffkonzentration

Gehen Maximale Dotierstoffkonzentration = Referenzkonzentration*exp(-Aktivierungsenergie für feste Löslichkeit/([BoltZ]*Absolute Temperatur))

Ausbreitungszeit

Gehen Ausbreitungszeit = 0.7*Anzahl der Durchgangstransistoren*((Anzahl der Durchgangstransistoren+1)/2)*Widerstand im MOSFET*Lastkapazität

Driftstromdichte aufgrund freier Elektronen

Gehen Driftstromdichte aufgrund von Elektronen = [Charge-e]*Elektronenkonzentration*Elektronenmobilität*Elektrische Feldstärke

Driftstromdichte aufgrund von Löchern

Gehen Driftstromdichte aufgrund von Löchern = [Charge-e]*Lochkonzentration*Lochmobilität*Elektrische Feldstärke

Kanalwiderstand

Gehen Kanalwiderstand = Transistorlänge/Breite des Transistors*1/(Elektronenmobilität*Trägerdichte)

MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz

Gehen Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)

Kritische Dimension

Gehen Kritische Dimension = Prozessabhängige Konstante*Wellenlänge in der Fotolithographie/Numerische Apertur

Tiefenschärfe

Gehen Tiefenschärfe = Proportionalitätsfaktor*Wellenlänge in der Fotolithographie/(Numerische Apertur^2)

Die pro Wafer

Gehen Die pro Wafer = (pi*Waferdurchmesser^2)/(4*Größe jedes Würfels)

Äquivalente Oxiddicke

Gehen Äquivalente Oxiddicke = Materialstärke*(3.9/Dielektrizitätskonstante des Materials)

Tiefenschärfe Formel

Tiefenschärfe = Proportionalitätsfaktor*Wellenlänge in der Fotolithographie/(Numerische Apertur^2)
DOF = k₂*λ_l/(NA^2)

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