MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz Taschenrechner

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✖Die Steilheit im MOSFET ist ein Schlüsselparameter, der die Beziehung zwischen der Eingangsspannung und dem Ausgangsstrom beschreibt.ⓘ Transkonduktanz im MOSFET [g_m]			+10% -10%
✖Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET).ⓘ Gate-Source-Kapazität [C_gs]			+10% -10%
✖Die Gate-Drain-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen des Geräts.ⓘ Gate-Drain-Kapazität [C_gd]			+10% -10%

✖Die Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET bezieht sich auf die Frequenz, bei der die Spannungsverstärkung des Geräts in einer Common-Source-Konfiguration mit einer ohmschen Last auf 1 (0 dB) abfällt.ⓘ MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz [f_t]

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Formel

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MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz

Formel

`"f"_{"t"} = "g"_{"m"}/("C"_{"gs"}+"C"_{"gd"})`

Beispiel

`"37.41497kHz"="2.2S"/("56μF"+"2.8μF")`

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MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET - (Gemessen in Hertz) - Die Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET bezieht sich auf die Frequenz, bei der die Spannungsverstärkung des Geräts in einer Common-Source-Konfiguration mit einer ohmschen Last auf 1 (0 dB) abfällt.
Transkonduktanz im MOSFET - (Gemessen in Siemens) - Die Steilheit im MOSFET ist ein Schlüsselparameter, der die Beziehung zwischen der Eingangsspannung und dem Ausgangsstrom beschreibt.
Gate-Source-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET).
Gate-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen des Geräts.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanz im MOSFET: 2.2 Siemens --> 2.2 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Source-Kapazität: 56 Mikrofarad --> 5.6E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-Drain-Kapazität: 2.8 Mikrofarad --> 2.8E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

f_t = g_m/(C_gs+C_gd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)

Auswerten ... ...

f_t = 37414.9659863946

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

37414.9659863946 Hertz -->37.4149659863946 Kilohertz (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

37.4149659863946 ≈ 37.41497 Kilohertz <-- Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Schaltpunktspannung

Gehen Schaltpunktspannung = (Versorgungsspannung+PMOS-Schwellenspannung+NMOS-Schwellenspannung*sqrt(NMOS-Transistorverstärkung/Verstärkung des PMOS-Transistors))/(1+sqrt(NMOS-Transistorverstärkung/Verstärkung des PMOS-Transistors))

Körpereffekt im MOSFET

Gehen Schwellenspannung mit Substrat = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial))

Donator-Dotierstoffkonzentration

Gehen Donator-Dotierstoffkonzentration = (Sättigungsstrom*Transistorlänge)/([Charge-e]*Breite des Transistors*Elektronenmobilität*Kapazität der Sperrschicht)

Dotierstoffkonzentration des Akzeptors

Gehen Dotierstoffkonzentration des Akzeptors = 1/(2*pi*Transistorlänge*Breite des Transistors*[Charge-e]*Lochmobilität*Kapazität der Sperrschicht)

Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter/2*(Gate-Source-Spannung-Schwellenspannung mit Zero Body Bias)^2*(1+Modulationsfaktor der Kanallänge*Drain-Quellenspannung)

Maximale Dotierstoffkonzentration

Gehen Maximale Dotierstoffkonzentration = Referenzkonzentration*exp(-Aktivierungsenergie für feste Löslichkeit/([BoltZ]*Absolute Temperatur))

Ausbreitungszeit

Gehen Ausbreitungszeit = 0.7*Anzahl der Durchgangstransistoren*((Anzahl der Durchgangstransistoren+1)/2)*Widerstand im MOSFET*Lastkapazität

Driftstromdichte aufgrund freier Elektronen

Gehen Driftstromdichte aufgrund von Elektronen = [Charge-e]*Elektronenkonzentration*Elektronenmobilität*Elektrische Feldstärke

Driftstromdichte aufgrund von Löchern

Gehen Driftstromdichte aufgrund von Löchern = [Charge-e]*Lochkonzentration*Lochmobilität*Elektrische Feldstärke

Kanalwiderstand

Gehen Kanalwiderstand = Transistorlänge/Breite des Transistors*1/(Elektronenmobilität*Trägerdichte)

MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz

Gehen Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)

Kritische Dimension

Gehen Kritische Dimension = Prozessabhängige Konstante*Wellenlänge in der Fotolithographie/Numerische Apertur

Tiefenschärfe

Gehen Tiefenschärfe = Proportionalitätsfaktor*Wellenlänge in der Fotolithographie/(Numerische Apertur^2)

Die pro Wafer

Gehen Die pro Wafer = (pi*Waferdurchmesser^2)/(4*Größe jedes Würfels)

Äquivalente Oxiddicke

Gehen Äquivalente Oxiddicke = Materialstärke*(3.9/Dielektrizitätskonstante des Materials)

MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz Formel

Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)

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