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Inhalt des MOS-IC-Herstellung-PDFs

Liste von 15 MOS-IC-Herstellung Formeln

Äquivalente Oxiddicke
​Gehen
Ausbreitungszeit
​Gehen
Die pro Wafer
​Gehen
Donator-Dotierstoffkonzentration
​Gehen
Dotierstoffkonzentration des Akzeptors
​Gehen
Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich
​Gehen
Driftstromdichte aufgrund freier Elektronen
​Gehen
Driftstromdichte aufgrund von Löchern
​Gehen
Kanalwiderstand
​Gehen
Körpereffekt im MOSFET
​Gehen
Kritische Dimension
​Gehen
Maximale Dotierstoffkonzentration
​Gehen
MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz
​Gehen
Schaltpunktspannung
​Gehen
Tiefenschärfe
​Gehen

In MOS-IC-Herstellung PDF verwendete Variablen

  1. Cdep Kapazität der Sperrschicht (Mikrofarad)
  2. Cgd Gate-Drain-Kapazität (Mikrofarad)
  3. Cgs Gate-Source-Kapazität (Mikrofarad)
  4. Cl Lastkapazität (Mikrofarad)
  5. Co Referenzkonzentration
  6. Cs Maximale Dotierstoffkonzentration (Elektronen pro Kubikzentimeter)
  7. CD Kritische Dimension (Nanometer)
  8. dw Waferdurchmesser (Millimeter)
  9. DOF Tiefenschärfe (Mikrometer)
  10. DPW Die pro Wafer
  11. Ei Elektrische Feldstärke (Volt pro Meter)
  12. Es Aktivierungsenergie für feste Löslichkeit (Joule)
  13. EOT Äquivalente Oxiddicke (Nanometer)
  14. ft Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET (Kilohertz)
  15. gm Transkonduktanz im MOSFET (Siemens)
  16. Id Stromverbrauch (Ampere)
  17. Isat Sättigungsstrom (Ampere)
  18. Jn Driftstromdichte aufgrund von Elektronen (Mikroampere)
  19. Jp Driftstromdichte aufgrund von Löchern (Ampere pro Quadratmillimeter)
  20. k1 Prozessabhängige Konstante
  21. k2 Proportionalitätsfaktor
  22. khigh-k Dielektrizitätskonstante des Materials
  23. Lt Transistorlänge (Mikrometer)
  24. n Elektronenkonzentration (Elektronen pro Kubikzentimeter)
  25. N Anzahl der Durchgangstransistoren
  26. Na Dotierstoffkonzentration des Akzeptors (Elektronen pro Kubikmeter)
  27. Nd Donator-Dotierstoffkonzentration (Elektronen pro Kubikmeter)
  28. NA Numerische Apertur
  29. p Lochkonzentration (Elektronen pro Kubikmeter)
  30. Qon Trägerdichte (Elektronen pro Kubikmeter)
  31. Rch Kanalwiderstand (Ohm)
  32. Rm Widerstand im MOSFET (Ohm)
  33. Sd Größe jedes Würfels (Quadratmillimeter)
  34. Ta Absolute Temperatur (Kelvin)
  35. thigh-k Materialstärke (Nanometer)
  36. Tp Ausbreitungszeit (Zweite)
  37. Vbs An den Körper angelegte Spannung (Volt)
  38. Vdd Versorgungsspannung (Volt)
  39. Vds Drain-Quellenspannung (Volt)
  40. Vgs Gate-Source-Spannung (Volt)
  41. Vs Schaltpunktspannung (Volt)
  42. Vt Schwellenspannung mit Substrat (Volt)
  43. Vth Schwellenspannung mit Zero Body Bias (Volt)
  44. Vtn NMOS-Schwellenspannung (Volt)
  45. Vtp PMOS-Schwellenspannung (Volt)
  46. Wt Breite des Transistors (Mikrometer)
  47. β Transkonduktanzparameter (Siemens)
  48. βn NMOS-Transistorverstärkung
  49. βp Verstärkung des PMOS-Transistors
  50. γ Körpereffektparameter
  51. λi Modulationsfaktor der Kanallänge
  52. λl Wellenlänge in der Fotolithographie (Nanometer)
  53. μn Elektronenmobilität (Quadratmeter pro Volt pro Sekunde)
  54. μp Lochmobilität (Quadratmeter pro Volt pro Sekunde)
  55. Φf Bulk-Fermi-Potenzial (Volt)

Konstanten, Funktionen und Messungen, die in MOS-IC-Herstellung PDF verwendet werden

  1. Konstante: pi, 3.14159265358979323846264338327950288
    Archimedes-Konstante
  2. Konstante: [BoltZ], 1.38064852E-23
    Boltzmann-Konstante
  3. Konstante: [Charge-e], 1.60217662E-19
    Ladung eines Elektrons
  4. Funktion: exp, exp(Number)
    Bei einer Exponentialfunktion ändert sich der Wert der Funktion bei jeder Änderung der unabhängigen Variablen um einen konstanten Faktor.
  5. Funktion: sqrt, sqrt(Number)
    Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.
  6. Messung: Länge in Nanometer (nm), Millimeter (mm), Mikrometer (μm)
    Länge Einheitenumrechnung
  7. Messung: Zeit in Zweite (s)
    Zeit Einheitenumrechnung
  8. Messung: Elektrischer Strom in Ampere (A), Mikroampere (µA)
    Elektrischer Strom Einheitenumrechnung
  9. Messung: Temperatur in Kelvin (K)
    Temperatur Einheitenumrechnung
  10. Messung: Bereich in Quadratmillimeter (mm²)
    Bereich Einheitenumrechnung
  11. Messung: Energie in Joule (J)
    Energie Einheitenumrechnung
  12. Messung: Frequenz in Kilohertz (kHz)
    Frequenz Einheitenumrechnung
  13. Messung: Kapazität in Mikrofarad (μF)
    Kapazität Einheitenumrechnung
  14. Messung: Elektrischer Widerstand in Ohm (Ω)
    Elektrischer Widerstand Einheitenumrechnung
  15. Messung: Elektrische Leitfähigkeit in Siemens (S)
    Elektrische Leitfähigkeit Einheitenumrechnung
  16. Messung: Wellenlänge in Nanometer (nm), Mikrometer (μm)
    Wellenlänge Einheitenumrechnung
  17. Messung: Oberflächenstromdichte in Ampere pro Quadratmillimeter (A/mm²)
    Oberflächenstromdichte Einheitenumrechnung
  18. Messung: Elektrische Feldstärke in Volt pro Meter (V/m)
    Elektrische Feldstärke Einheitenumrechnung
  19. Messung: Elektrisches Potenzial in Volt (V)
    Elektrisches Potenzial Einheitenumrechnung
  20. Messung: Mobilität in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde (m²/V*s)
    Mobilität Einheitenumrechnung
  21. Messung: Elektronendichte in Elektronen pro Kubikmeter (electrons/m³), Elektronen pro Kubikzentimeter (electrons/cm³)
    Elektronendichte Einheitenumrechnung
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