Drainstrom des FET Taschenrechner

✖Der Zero-Bias-Drain-Strom in einem FET ist der Drain-Strom, der fließt, wenn die Gate-Spannung gleich Null ist.ⓘ Null-Vorspannungs-Drainstrom [I_dss(fet)]			+10% -10%
✖Die Drain-Source-Spannung des FET ist die Spannung zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluss eines FET.ⓘ Drain-Source-Spannung FET [V_ds(fet)]			+10% -10%
✖Der Begriff „Abschaltspannung FET“ beschreibt die Spannungsverstärkung eines Feldeffekttransistors (FET), wenn die Gate-Source-Spannung gleich der Abschnürspannung ist.ⓘ Abschaltspannung FET [V_cut-off(fet)]			+10% -10%

✖Drainstrom des FET ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung des FET fließt.ⓘ Drainstrom des FET [I_d(fet)]

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Formel

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Drainstrom des FET

Formel

`"I"_{"d(fet)"} = "I"_{"dss(fet)"}*(1-"V"_{"ds(fet)"}/"V"_{"cut-off(fet)"})^2`

Beispiel

`"0.301384mA"="0.69mA"*(1-"4.8V"/"2.89V")^2`

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Drainstrom des FET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Drain-Strom-FET = Null-Vorspannungs-Drainstrom*(1-Drain-Source-Spannung FET/Abschaltspannung FET)^2
I_d(fet) = I_dss(fet)*(1-V_ds(fet)/V_cut-off(fet))^2
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Drain-Strom-FET - (Gemessen in Ampere) - Drainstrom des FET ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung des FET fließt.
Null-Vorspannungs-Drainstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Zero-Bias-Drain-Strom in einem FET ist der Drain-Strom, der fließt, wenn die Gate-Spannung gleich Null ist.
Drain-Source-Spannung FET - (Gemessen in Volt) - Die Drain-Source-Spannung des FET ist die Spannung zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluss eines FET.
Abschaltspannung FET - (Gemessen in Volt) - Der Begriff „Abschaltspannung FET“ beschreibt die Spannungsverstärkung eines Feldeffekttransistors (FET), wenn die Gate-Source-Spannung gleich der Abschnürspannung ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Null-Vorspannungs-Drainstrom: 0.69 Milliampere --> 0.00069 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Drain-Source-Spannung FET: 4.8 Volt --> 4.8 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Abschaltspannung FET: 2.89 Volt --> 2.89 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_d(fet) = I_dss(fet)*(1-V_ds(fet)/V_cut-off(fet))^2 --> 0.00069*(1-4.8/2.89)^2

Auswerten ... ...

I_d(fet) = 0.000301383963314615

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.000301383963314615 Ampere -->0.301383963314615 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.301383963314615 ≈ 0.301384 Milliampere <-- Drain-Strom-FET

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

< 8 FET Taschenrechner

Ohmscher Bereich Drainstrom des FET

Gehen Drain-Strom-FET = Kanalleitfähigkeits-FET*(Drain-Source-Spannung FET+3/2*((Oberflächenpotential-FET+Drain-Source-Spannung FET-Drain-Source-Spannung FET)^(3/2)-(Oberflächenpotential-FET+Drain-Source-Spannung FET)^(3/2))/((Oberflächenpotential-FET+Pinch-OFF-Spannung)^(1/2)))

Transkonduktanz von FET

Gehen Vorwärts-Transkonduktanz-FET = (2*Null-Vorspannungs-Drainstrom)/Pinch-OFF-Spannung*(1-Drain-Source-Spannung FET/Pinch-OFF-Spannung)

Drain-Source-Spannung des FET

Gehen Drain-Source-Spannung FET = Versorgungsspannung am Drain-FET-Drain-Strom-FET*(Drain-Widerstand FET+Quellwiderstand FET)

Gate-Source-Kapazität des FET

Gehen Gate-Source-Kapazität FET = Gate-Source-Kapazität Ausschaltzeit FET/(1-(Drain-Source-Spannung FET/Oberflächenpotential-FET))^(1/3)

Gate-Drain-Kapazität des FET

Gehen Gate-Drain-Kapazität FET = Gate Drain Kapazität Ausschaltzeit FET/(1-Gate-Drain-Spannung FET/Oberflächenpotential-FET)^(1/3)

Drainstrom des FET

Gehen Drain-Strom-FET = Null-Vorspannungs-Drainstrom*(1-Drain-Source-Spannung FET/Abschaltspannung FET)^2

Abschnürspannung des FET

Gehen Pinch-OFF-Spannung = Pinch-OFF-Drain-Source-Spannung FET-Drain-Source-Spannung FET

Spannungsverstärkung des FET

Gehen Spannungsverstärkungs-FET = -Vorwärts-Transkonduktanz-FET*Drain-Widerstand FET

Drainstrom des FET Formel

Drain-Strom-FET = Null-Vorspannungs-Drainstrom*(1-Drain-Source-Spannung FET/Abschaltspannung FET)^2
I_d(fet) = I_dss(fet)*(1-V_ds(fet)/V_cut-off(fet))^2

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