Drain-Widerstand des MESFET Taschenrechner

✖Die maximale Schwingungsfrequenz ist als praktische Obergrenze für einen sinnvollen Schaltungsbetrieb mit MESFET definiert.ⓘ Maximale Schwingungsfrequenz [f_m]			+10% -10%
✖Die Grenzfrequenz wird als Eckfrequenz definiert und ist eine Grenze im Frequenzgang des Systems, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.ⓘ Grenzfrequenz [f_co]			+10% -10%
✖Der Quellenwiderstand ist ein Maß dafür, wie sehr diese Quelle der Last entgegenwirkt, wenn sie ihr Strom entzieht.ⓘ Quellenwiderstand [R_s]			+10% -10%
✖Der Gate-Metallisierungswiderstand ist definiert als der Widerstand der Metallisierung eines FET-Gate-Streifens, der dazu führt, dass ein nichtlinearer Widerstand in Reihe mit dem Gate-Übergang geschaltet wird.ⓘ Gate-Metallisierungswiderstand [R_g]			+10% -10%
✖Der Eingangswiderstand ist definiert als der gesamte Innenwiderstand, den der MESFET erfährt.ⓘ Eingangswiderstand [R_i]			+10% -10%

✖Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.ⓘ Drain-Widerstand des MESFET [R_d]

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Formel

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Drain-Widerstand des MESFET

Formel

`"R"_{"d"} = ((4*"f"_{"m"}^2)/"f"_{"co"}^2)*("R"_{"s"}+"R"_{"g"}+"R"_{"i"})`

Beispiel

`"450.104Ω"=((4*("65Hz")^2)/("30.05Hz")^2)*("5.75Ω"+"2.8Ω"+"15.5Ω")`

Taschenrechner

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Drain-Widerstand des MESFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Abflusswiderstand = ((4*Maximale Schwingungsfrequenz^2)/Grenzfrequenz^2)*(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)
R_d = ((4*f_m^2)/f_co^2)*(R_s+R_g+R_i)
Diese formel verwendet 6 Variablen

Verwendete Variablen

Abflusswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.
Maximale Schwingungsfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die maximale Schwingungsfrequenz ist als praktische Obergrenze für einen sinnvollen Schaltungsbetrieb mit MESFET definiert.
Grenzfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Grenzfrequenz wird als Eckfrequenz definiert und ist eine Grenze im Frequenzgang des Systems, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.
Quellenwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Quellenwiderstand ist ein Maß dafür, wie sehr diese Quelle der Last entgegenwirkt, wenn sie ihr Strom entzieht.
Gate-Metallisierungswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Gate-Metallisierungswiderstand ist definiert als der Widerstand der Metallisierung eines FET-Gate-Streifens, der dazu führt, dass ein nichtlinearer Widerstand in Reihe mit dem Gate-Übergang geschaltet wird.
Eingangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Eingangswiderstand ist definiert als der gesamte Innenwiderstand, den der MESFET erfährt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Maximale Schwingungsfrequenz: 65 Hertz --> 65 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Grenzfrequenz: 30.05 Hertz --> 30.05 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Quellenwiderstand: 5.75 Ohm --> 5.75 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Metallisierungswiderstand: 2.8 Ohm --> 2.8 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Eingangswiderstand: 15.5 Ohm --> 15.5 Ohm Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

R_d = ((4*f_m^2)/f_co^2)*(R_s+R_g+R_i) --> ((4*65^2)/30.05^2)*(5.75+2.8+15.5)

Auswerten ... ...

R_d = 450.103958737656

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

450.103958737656 Ohm --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

450.103958737656 ≈ 450.104 Ohm <-- Abflusswiderstand

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 MESFET-Eigenschaften Taschenrechner

Grenzfrequenz unter Verwendung der Maximalfrequenz

Gehen Grenzfrequenz = (2*Maximale Schwingungsfrequenz)/(sqrt(Abflusswiderstand/(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)))

Gate-Metallisierungswiderstand

Gehen Gate-Metallisierungswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand)

Eingangswiderstand

Gehen Eingangswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Gate-Metallisierungswiderstand+Quellenwiderstand)

Quellenwiderstand

Gehen Quellenwiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)

Drain-Widerstand des MESFET

Gehen Abflusswiderstand = ((4*Maximale Schwingungsfrequenz^2)/Grenzfrequenz^2)*(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)

Transkonduktanz im Sättigungsbereich

Gehen Transkonduktanz = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Schottky-Diodenpotentialbarriere-Gate-Spannung)/Spannung abklemmen))

Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = (Einheitsgewinnfrequenz/2)*sqrt(Abflusswiderstand/Gate-Metallisierungswiderstand)

Maximale Schwingungsfrequenz bei gegebener Transkonduktanz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = Transkonduktanz/(pi*Gate-Source-Kapazität)

Gate-Länge des MESFET

Gehen Torlänge = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Grenzfrequenz)

Grenzfrequenz

Gehen Grenzfrequenz = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Torlänge)

Grenzfrequenz bei gegebener Transkonduktanz und Kapazität

Gehen Grenzfrequenz = Transkonduktanz/(2*pi*Gate-Source-Kapazität)

Gate-Source-Kapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz)

Transkonduktanz im MESFET

Gehen Transkonduktanz = 2*Gate-Source-Kapazität*pi*Grenzfrequenz

Drain-Widerstand des MESFET Formel

Abflusswiderstand = ((4*Maximale Schwingungsfrequenz^2)/Grenzfrequenz^2)*(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)
R_d = ((4*f_m^2)/f_co^2)*(R_s+R_g+R_i)

Was ist MESFET?

Ein MESFET (Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist ein Feldeffekttransistor-Halbleiterbauelement ähnlich einem JFET mit einem Schottky-Übergang (Metall-Halbleiter) anstelle eines AP-Übergangs für ein Gate.

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