Gate-Metallisierungswiderstand Taschenrechner

Gate-Metallisierungswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand)
R_g = ((R_d*f_co^2)/(4*f_m^2))-(R_s+R_i)
Diese formel verwendet 6 Variablen
Gate-Metallisierungswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Gate-Metallisierungswiderstand ist definiert als der Widerstand der Metallisierung eines FET-Gate-Streifens, der dazu führt, dass ein nichtlinearer Widerstand in Reihe mit dem Gate-Übergang geschaltet wird.
Abflusswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.
Grenzfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Grenzfrequenz wird als Eckfrequenz definiert und ist eine Grenze im Frequenzgang des Systems, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.
Maximale Schwingungsfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die maximale Schwingungsfrequenz ist als praktische Obergrenze für einen sinnvollen Schaltungsbetrieb mit MESFET definiert.
Quellenwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Quellenwiderstand ist ein Maß dafür, wie sehr diese Quelle der Last entgegenwirkt, wenn sie ihr Strom entzieht.
Eingangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Eingangswiderstand ist definiert als der gesamte Innenwiderstand, den der MESFET erfährt.

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)