PN-Verbindungslänge Taschenrechner

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Eigenschaften der CMOS-Schaltung

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CMOS-Zeiteigenschaften

✖Die Breite des Verarmungsbereichs in einer typischen Si-Diode reicht von einem Bruchteil eines Mikrometers bis zu mehreren zehn Mikrometern, abhängig von der Bauteilgeometrie, dem Dotierungsprofil und der externen Vorspannung.ⓘ Breite der Verarmungsregion [L_d]			+10% -10%
✖Die effektive Kanallänge ist definiert als der Pfad, der die Ladungsträger zwischen Drain und Source verbindet.ⓘ Effektive Kanallänge [L_eff]			+10% -10%

✖Die PN-Übergangslänge ist definiert als die Gesamtlänge des Übergangs von der p-Seite zur n-Seite in einem Halbleiter.ⓘ PN-Verbindungslänge [L_pn]

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Formel

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PN-Verbindungslänge

Formel

`"L"_{"pn"} = "L"_{"d"}+"L"_{"eff"}`

Beispiel

`"19.01mm"="11.01mm"+"8mm"`

Taschenrechner

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PN-Verbindungslänge Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

PN-Verbindungslänge = Breite der Verarmungsregion+Effektive Kanallänge
L_pn = L_d+L_eff
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

PN-Verbindungslänge - (Gemessen in Meter) - Die PN-Übergangslänge ist definiert als die Gesamtlänge des Übergangs von der p-Seite zur n-Seite in einem Halbleiter.
Breite der Verarmungsregion - (Gemessen in Meter) - Die Breite des Verarmungsbereichs in einer typischen Si-Diode reicht von einem Bruchteil eines Mikrometers bis zu mehreren zehn Mikrometern, abhängig von der Bauteilgeometrie, dem Dotierungsprofil und der externen Vorspannung.
Effektive Kanallänge - (Gemessen in Meter) - Die effektive Kanallänge ist definiert als der Pfad, der die Ladungsträger zwischen Drain und Source verbindet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Breite der Verarmungsregion: 11.01 Millimeter --> 0.01101 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Effektive Kanallänge: 8 Millimeter --> 0.008 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

L_pn = L_d+L_eff --> 0.01101+0.008

Auswerten ... ...

L_pn = 0.01901

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.01901 Meter -->19.01 Millimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

19.01 Millimeter <-- PN-Verbindungslänge

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Effektive Kapazität im CMOS

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Dicke der Oxidschicht

Gehen Dicke der Oxidschicht = Permittivität der Oxidschicht*Torbreite*Länge des Tors/Eingangs-Gate-Kapazität

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Gehen Torbreite = Eingangs-Gate-Kapazität/(Kapazität der Gate-Oxidschicht*Länge des Tors)

Kritisches elektrisches Feld

Gehen Kritisches elektrisches Feld = (2*Geschwindigkeitssättigung)/Mobilität des Elektrons

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Gehen Mittlerer freier Pfad = Kritische Spannung im CMOS/Kritisches elektrisches Feld

Kritische CMOS-Spannung

Gehen Kritische Spannung im CMOS = Kritisches elektrisches Feld*Mittlerer freier Pfad

Breite des Verarmungsbereichs

Gehen Breite der Verarmungsregion = PN-Verbindungslänge-Effektive Kanallänge

Effektive Kanallänge

Gehen Effektive Kanallänge = PN-Verbindungslänge-Breite der Verarmungsregion

PN-Verbindungslänge

Gehen PN-Verbindungslänge = Breite der Verarmungsregion+Effektive Kanallänge

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Bereich der Quellendiffusion

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Breite der Quellendiffusion

Gehen Übergangsbreite = Bereich der Quellendiffusion/Länge der Quelle

PN-Verbindungslänge Formel

PN-Verbindungslänge = Breite der Verarmungsregion+Effektive Kanallänge
L_pn = L_d+L_eff

Was ist die Unterschwellenleitung?

Subthreshold-Leitung oder Subthreshold-Leckage oder Subthreshold-Drain-Strom ist der Strom zwischen Source und Drain eines MOSFET, wenn sich der Transistor im Subthreshold-Bereich oder im Bereich mit schwacher Inversion befindet, dh für Gate-Source-Spannungen unterhalb der Schwellenspannung.

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