Calculadora Capacitancia de unión base-emisor

✖La capacitancia de la unión base-emisor es la capacitancia de la unión que tiene polarización directa y está representada por un diodo.ⓘ Capacitancia de unión base-emisor [C]

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Fórmula

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Capacitancia de unión base-emisor

Fórmula

`"C" = 2*"C"_{"eb"}`

Ejemplo

`"3μF"=2*"1.5μF"`

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Capacitancia de unión base-emisor Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia de unión base-emisor = 2*Capacitancia base-emisor
C = 2*C_eb
Esta fórmula usa 2 Variables

Variables utilizadas

Capacitancia de unión base-emisor - (Medido en Faradio) - La capacitancia de la unión base-emisor es la capacitancia de la unión que tiene polarización directa y está representada por un diodo.
Capacitancia base-emisor - (Medido en Faradio) - La capacitancia emisor-base es la capacitancia entre el emisor y la base.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Capacitancia base-emisor: 1.5 Microfaradio --> 1.5E-06 Faradio (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C = 2*C_eb --> 2*1.5E-06

Evaluar ... ...

C = 3E-06

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

3E-06 Faradio -->3 Microfaradio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

3 Microfaradio <-- Capacitancia de unión base-emisor

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 10+ Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Capacitancia de la unión de la base del colector

Vamos Capacitancia de la unión de la base del colector = Capacitancia de unión colector-base a voltaje 0/(1+(Voltaje de polarización inversa/Voltaje incorporado))^Coeficiente de calificación

Frecuencia de transición de BJT

Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector))

Ancho de banda de ganancia unitaria de BJT

Vamos Ancho de banda de ganancia unitaria = Transconductancia/(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)

Concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base

Vamos Concentración de e- Inyectado de Emisor a Base = Concentración de equilibrio térmico*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)

Capacitancia de difusión de señal pequeña de BJT

Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*(Colector de corriente/Voltaje de umbral)

Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria

Vamos Concentración de equilibrio térmico = ((Densidad de portador intrínseco)^2)/Dopaje Concentración de Base

Carga de electrones almacenados en la base de BJT

Vamos Carga de electrones almacenada = Constante del dispositivo*Colector de corriente

Capacitancia de difusión de señal pequeña

Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*Transconductancia

Frecuencia de transición de BJT dado dispositivo constante

Vamos Frecuencia de transición = 1/(2*pi*Constante del dispositivo)

Capacitancia de unión base-emisor

Vamos Capacitancia de unión base-emisor = 2*Capacitancia base-emisor

Capacitancia de unión base-emisor Fórmula

Capacitancia de unión base-emisor = 2*Capacitancia base-emisor
C = 2*C_eb

¿Qué es BJT y sus tipos?

Un transistor bipolar (transistor de unión bipolar: BJT) consta de tres regiones semiconductoras que forman dos uniones. Hay dos tipos de estructura: NPN y PNP. Hay disponibles productos con NPN hasta 800 V y PNP hasta -600 V. Además, también hay transistores integrados con resistencias de polarización (BRT).

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