Carga de electrones almacenados en la base de BJT Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Carga de electrones almacenada = Constante del dispositivo*Colector de corriente
Qn = 𝛕F*Ic
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Carga de electrones almacenada - (Medido en Culombio) - La carga de electrones almacenados generalmente la realiza un capacitor, compuesto por dos placas separadas por un material aislante delgado conocido como dieléctrico.
Constante del dispositivo - (Medido en Segundo) - El valor de una constante de dispositivo se define una vez y se puede hacer referencia a ella muchas veces a lo largo de un programa.
Colector de corriente - (Medido en Amperio) - La corriente de colector es una corriente de salida amplificada de un transistor de unión bipolar.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Constante del dispositivo: 2 Segundo --> 2 Segundo No se requiere conversión
Colector de corriente: 5 Miliamperio --> 0.005 Amperio (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Qn = 𝛕F*Ic --> 2*0.005
Evaluar ... ...
Qn = 0.01
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.01 Culombio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.01 Culombio <-- Carga de electrones almacenada
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

10+ Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Capacitancia de la unión de la base del colector
​ Vamos Capacitancia de la unión de la base del colector = Capacitancia de unión colector-base a voltaje 0/(1+(Voltaje de polarización inversa/Voltaje incorporado))^Coeficiente de calificación
Frecuencia de transición de BJT
​ Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector))
Ancho de banda de ganancia unitaria de BJT
​ Vamos Ancho de banda de ganancia unitaria = Transconductancia/(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)
Concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base
​ Vamos Concentración de e- Inyectado de Emisor a Base = Concentración de equilibrio térmico*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)
Capacitancia de difusión de señal pequeña de BJT
​ Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*(Colector de corriente/Voltaje de umbral)
Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria
​ Vamos Concentración de equilibrio térmico = ((Densidad de portador intrínseco)^2)/Dopaje Concentración de Base
Carga de electrones almacenados en la base de BJT
​ Vamos Carga de electrones almacenada = Constante del dispositivo*Colector de corriente
Capacitancia de difusión de señal pequeña
​ Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*Transconductancia
Frecuencia de transición de BJT dado dispositivo constante
​ Vamos Frecuencia de transición = 1/(2*pi*Constante del dispositivo)
Capacitancia de unión base-emisor
​ Vamos Capacitancia de unión base-emisor = 2*Capacitancia base-emisor

Carga de electrones almacenados en la base de BJT Fórmula

Carga de electrones almacenada = Constante del dispositivo*Colector de corriente
Qn = 𝛕F*Ic

¿Cómo se almacenan los electrones?

Los electrones se recolectan y almacenan rutinariamente en un anillo de almacenamiento de electrones. Consiste en un conjunto de elementos magnéticos, principalmente dipolos para doblar las partículas en un anillo y cuadrupolos para mantener los electrones bien enfocados.

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