Calculadora Capacitancia de difusión de señal pequeña de BJT

✖El valor de una constante de dispositivo se define una vez y se puede hacer referencia a ella muchas veces a lo largo de un programa.ⓘ Constante del dispositivo [𝛕_F]			+10% -10%
✖La corriente de colector es una corriente de salida amplificada de un transistor de unión bipolar.ⓘ Colector de corriente [I_c]			+10% -10%
✖El voltaje de umbral del transistor es el voltaje mínimo de puerta a fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre la fuente y los terminales de drenaje.ⓘ Voltaje de umbral [V_th]			+10% -10%

✖La capacitancia emisor-base es la capacitancia entre el emisor y la base.ⓘ Capacitancia de difusión de señal pequeña de BJT [C_eb]

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Fórmula

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Capacitancia de difusión de señal pequeña de BJT

Fórmula

`"C"_{"eb"} = "𝛕"_{"F"}*("I"_{"c"}/"V"_{"th"})`

Ejemplo

`"1818.182μF"="2s"*("5mA"/"5.50V")`

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Capacitancia de difusión de señal pequeña de BJT Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*(Colector de corriente/Voltaje de umbral)
C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Capacitancia base-emisor - (Medido en Faradio) - La capacitancia emisor-base es la capacitancia entre el emisor y la base.
Constante del dispositivo - (Medido en Segundo) - El valor de una constante de dispositivo se define una vez y se puede hacer referencia a ella muchas veces a lo largo de un programa.
Colector de corriente - (Medido en Amperio) - La corriente de colector es una corriente de salida amplificada de un transistor de unión bipolar.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral del transistor es el voltaje mínimo de puerta a fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre la fuente y los terminales de drenaje.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Constante del dispositivo: 2 Segundo --> 2 Segundo No se requiere conversión
Colector de corriente: 5 Miliamperio --> 0.005 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Voltaje de umbral: 5.5 Voltio --> 5.5 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th) --> 2*(0.005/5.5)

Evaluar ... ...

C_eb = 0.00181818181818182

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.00181818181818182 Faradio -->1818.18181818182 Microfaradio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

1818.18181818182 ≈ 1818.182 Microfaradio <-- Capacitancia base-emisor

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 10+ Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Capacitancia de la unión de la base del colector

Vamos Capacitancia de la unión de la base del colector = Capacitancia de unión colector-base a voltaje 0/(1+(Voltaje de polarización inversa/Voltaje incorporado))^Coeficiente de calificación

Frecuencia de transición de BJT

Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector))

Ancho de banda de ganancia unitaria de BJT

Vamos Ancho de banda de ganancia unitaria = Transconductancia/(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)

Concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base

Vamos Concentración de e- Inyectado de Emisor a Base = Concentración de equilibrio térmico*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)

Capacitancia de difusión de señal pequeña de BJT

Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*(Colector de corriente/Voltaje de umbral)

Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria

Vamos Concentración de equilibrio térmico = ((Densidad de portador intrínseco)^2)/Dopaje Concentración de Base

Carga de electrones almacenados en la base de BJT

Vamos Carga de electrones almacenada = Constante del dispositivo*Colector de corriente

Capacitancia de difusión de señal pequeña

Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*Transconductancia

Frecuencia de transición de BJT dado dispositivo constante

Vamos Frecuencia de transición = 1/(2*pi*Constante del dispositivo)

Capacitancia de unión base-emisor

Vamos Capacitancia de unión base-emisor = 2*Capacitancia base-emisor

Capacitancia de difusión de señal pequeña de BJT Fórmula

Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*(Colector de corriente/Voltaje de umbral)
C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th)

¿Cuál es la diferencia entre la capacitancia de transición y la capacitancia de difusión?

La capacitancia de transición es básicamente el cambio de carga almacenado en la región de agotamiento con respecto a un cambio de voltaje. Y la capacitancia de difusión es la capacitancia causada por el movimiento de los portadores de carga entre el ánodo y el cátodo en el modo de polarización directa.

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