Calculadora Concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base

✖La concentración de equilibrio térmico se define como la concentración de portadores en un amplificador.ⓘ Concentración de equilibrio térmico [n_po]			+10% -10%
✖El voltaje base-emisor es el voltaje directo entre la base y el emisor del transistor.ⓘ Voltaje base-emisor [V_BE]			+10% -10%
✖El voltaje térmico es el voltaje producido dentro de la unión pn.ⓘ Voltaje Térmico [V_t]			+10% -10%

✖La concentración de e- inyectada del emisor a la base es el número de electrones que pasan del emisor a la base.ⓘ Concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base [N_p]

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Fórmula

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Concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base

Fórmula

`"N"_{"p"} = "n"_{"po"}*e^("V"_{"BE"}/"V"_{"t"})`

Ejemplo

`"3E^18/m³"="1e18/m³"*e^("5.15V"/"4.7V")`

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Concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Concentración de e- Inyectado de Emisor a Base = Concentración de equilibrio térmico*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)
N_p = n_po*e^(V_BE/V_t)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variables

Constantes utilizadas

e - la constante de napier Valor tomado como 2.71828182845904523536028747135266249

Variables utilizadas

Concentración de e- Inyectado de Emisor a Base - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de e- inyectada del emisor a la base es el número de electrones que pasan del emisor a la base.
Concentración de equilibrio térmico - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de equilibrio térmico se define como la concentración de portadores en un amplificador.
Voltaje base-emisor - (Medido en Voltio) - El voltaje base-emisor es el voltaje directo entre la base y el emisor del transistor.
Voltaje Térmico - (Medido en Voltio) - El voltaje térmico es el voltaje producido dentro de la unión pn.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Concentración de equilibrio térmico: 1E+18 1 por metro cúbico --> 1E+18 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Voltaje base-emisor: 5.15 Voltio --> 5.15 Voltio No se requiere conversión
Voltaje Térmico: 4.7 Voltio --> 4.7 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

N_p = n_po*e^(V_BE/V_t) --> 1E+18*e^(5.15/4.7)

Evaluar ... ...

N_p = 2.99140949952878E+18

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

2.99140949952878E+18 1 por metro cúbico --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

2.99140949952878E+18 ≈ 3E+18 1 por metro cúbico <-- Concentración de e- Inyectado de Emisor a Base

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 10+ Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Capacitancia de la unión de la base del colector

Vamos Capacitancia de la unión de la base del colector = Capacitancia de unión colector-base a voltaje 0/(1+(Voltaje de polarización inversa/Voltaje incorporado))^Coeficiente de calificación

Frecuencia de transición de BJT

Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector))

Ancho de banda de ganancia unitaria de BJT

Vamos Ancho de banda de ganancia unitaria = Transconductancia/(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)

Concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base

Vamos Concentración de e- Inyectado de Emisor a Base = Concentración de equilibrio térmico*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)

Capacitancia de difusión de señal pequeña de BJT

Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*(Colector de corriente/Voltaje de umbral)

Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria

Vamos Concentración de equilibrio térmico = ((Densidad de portador intrínseco)^2)/Dopaje Concentración de Base

Carga de electrones almacenados en la base de BJT

Vamos Carga de electrones almacenada = Constante del dispositivo*Colector de corriente

Capacitancia de difusión de señal pequeña

Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*Transconductancia

Frecuencia de transición de BJT dado dispositivo constante

Vamos Frecuencia de transición = 1/(2*pi*Constante del dispositivo)

Capacitancia de unión base-emisor

Vamos Capacitancia de unión base-emisor = 2*Capacitancia base-emisor

Concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base Fórmula

Concentración de e- Inyectado de Emisor a Base = Concentración de equilibrio térmico*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)
N_p = n_po*e^(V_BE/V_t)

¿Cómo se distribuyen los portadores de cargos minoritarios en BJT?

El funcionamiento físico del BJT se puede mejorar considerando la distribución de portadores de carga minoritarios en la base y el emisor. Los perfiles de concentración de electrones en la base y huecos en el emisor de un transistor NPN que opera en modo activo. Observe que dado que la concentración de dopaje en el emisor, ND, es mucho mayor que la concentración de dopaje en la base, NA, la concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base, n

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