Концентрация электронов, инжектированных из эмиттера в базу Калькулятор

✖Концентрация теплового равновесия определяется как концентрация носителей в усилителе.ⓘ Тепловая равновесная концентрация [n_po]			+10% -10%
✖Напряжение база-эмиттер — это прямое напряжение между базой и эмиттером транзистора.ⓘ Напряжение база-эмиттер [V_BE]			+10% -10%
✖Тепловое напряжение — это напряжение, возникающее внутри p-n-перехода.ⓘ Тепловое напряжение [V_t]			+10% -10%

✖Концентрация электронов, инжектированных из эмиттера в базу, равна числу электронов, перешедших из эмиттера в базу.ⓘ Концентрация электронов, инжектированных из эмиттера в базу [N_p]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Концентрация электронов, инжектированных из эмиттера в базу

Формула

`"N"_{"p"} = "n"_{"po"}*e^("V"_{"BE"}/"V"_{"t"})`

Пример

`"3E^18/m³"="1e18/m³"*e^("5.15V"/"4.7V")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать БЮТ формула PDF

Концентрация электронов, инжектированных из эмиттера в базу Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Концентрация электронной инжекции от эмиттера к базе = Тепловая равновесная концентрация*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
N_p = n_po*e^(V_BE/V_t)
В этой формуле используются 1 Константы, 4 Переменные

Используемые константы

e - постоянная Нейпира Значение, принятое как 2.71828182845904523536028747135266249

Используемые переменные

Концентрация электронной инжекции от эмиттера к базе - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация электронов, инжектированных из эмиттера в базу, равна числу электронов, перешедших из эмиттера в базу.
Тепловая равновесная концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация теплового равновесия определяется как концентрация носителей в усилителе.
Напряжение база-эмиттер - (Измеряется в вольт) - Напряжение база-эмиттер — это прямое напряжение между базой и эмиттером транзистора.
Тепловое напряжение - (Измеряется в вольт) - Тепловое напряжение — это напряжение, возникающее внутри p-n-перехода.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Тепловая равновесная концентрация: 1E+18 1 на кубический метр --> 1E+18 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Напряжение база-эмиттер: 5.15 вольт --> 5.15 вольт Конверсия не требуется
Тепловое напряжение: 4.7 вольт --> 4.7 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

N_p = n_po*e^(V_BE/V_t) --> 1E+18*e^(5.15/4.7)

Оценка ... ...

N_p = 2.99140949952878E+18

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

2.99140949952878E+18 1 на кубический метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

2.99140949952878E+18 ≈ 3E+18 1 на кубический метр <-- Концентрация электронной инжекции от эмиттера к базе

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » БЮТ » Аналоговая электроника » Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель » Концентрация электронов, инжектированных из эмиттера в базу

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 10+ Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Калькуляторы

Емкость перехода коллектор-база

Идти Емкость перехода коллектор-база = Емкость перехода коллектор-база при нулевом напряжении/(1+(Напряжение обратного смещения/Встроенное напряжение))^Коэффициент оценки

Концентрация электронов, инжектированных из эмиттера в базу

Идти Концентрация электронной инжекции от эмиттера к базе = Тепловая равновесная концентрация*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Частота перехода BJT

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база))

Пропускная способность Unity-Gain BJT

Идти Единство усиления пропускной способности = крутизна/(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база)

Диффузионная емкость слабого сигнала BJT

Идти Емкость эмиттер-база = Константа устройства*(Коллекторный ток/Пороговое напряжение)

Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда

Идти Тепловая равновесная концентрация = ((Внутренняя плотность несущей)^2)/Легирующая концентрация основания

Сохраненный электронный заряд в базе BJT

Идти Сохраненный электронный заряд = Константа устройства*Коллекторный ток

Диффузионная емкость слабого сигнала

Идти Емкость эмиттер-база = Константа устройства*крутизна

Частота перехода BJT с заданной константой устройства

Идти Частота перехода = 1/(2*pi*Константа устройства)

Емкость перехода база-эмиттер

Идти Емкость перехода база-эмиттер = 2*Емкость эмиттер-база

Концентрация электронов, инжектированных из эмиттера в базу формула

Концентрация электронной инжекции от эмиттера к базе = Тепловая равновесная концентрация*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
N_p = n_po*e^(V_BE/V_t)

Как неосновные носители заряда распределены в БЮТ?

Физическая работа BJT может быть улучшена, если учесть распределение неосновных носителей заряда в базе и эмиттере. Профили концентрации электронов в базе и дырок в эмиттере NPN-транзистора, работающего в активном режиме. Обратите внимание на то, что поскольку концентрация легирования в эмиттере, ND, намного выше, чем концентрация легирования в базе, NA, концентрация электронов, инжектированных от эмиттера к базе, n

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!