Parametro di transconduttanza di processo di PMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Parametro di transconduttanza di processo in PMOS = Mobilità dei fori nel canale*Capacità di ossido
k'p = μp*Cox
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Parametro di transconduttanza di processo in PMOS - (Misurato in Siemens) - Il parametro di transconduttanza di processo in PMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Mobilità dei fori nel canale - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità dei fori nel canale dipende da vari fattori come la struttura cristallina del materiale semiconduttore, la presenza di impurità, la temperatura,
Capacità di ossido - (Misurato in Farad) - La capacità dell'ossido è un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Mobilità dei fori nel canale: 2.66 Metro quadrato per Volt al secondo --> 2.66 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Capacità di ossido: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
k'p = μp*Cox --> 2.66*0.0008
Valutare ... ...
k'p = 0.002128
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.002128 Siemens -->2.128 Millisiemens (Controlla la conversione qui)
RISPOSTA FINALE
2.128 Millisiemens <-- Parametro di transconduttanza di processo in PMOS
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

14 Miglioramento del canale P Calcolatrici

Corrente di scarico complessiva del transistor PMOS
Partire Assorbimento di corrente = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2*(1+Tensione tra Drain e Source/modulus(Tensione iniziale))
Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS
Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*((Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))*Tensione tra Drain e Source-1/2*(Tensione tra Drain e Source)^2)
Effetto corporeo in PMOS
Partire Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))
Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd
Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(modulus(Tensione effettiva)-1/2*Tensione tra Drain e Source)*Tensione tra Drain e Source
Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS
Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2
Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico
Partire Assorbimento di corrente = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale)
Parametro effetto backgate in PMOS
Partire Parametro effetto backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentrazione dei donatori)/Capacità di ossido
Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS
Partire Carica dello strato di inversione = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio-Tensione tra Drain e Source)
Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov
Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione effettiva)^2
Corrente nel canale di inversione del PMOS
Partire Assorbimento di corrente = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Velocità di deriva dell'inversione)
Carica dello strato di inversione in PMOS
Partire Carica dello strato di inversione = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio)
Corrente nel canale di inversione del PMOS data la mobilità
Partire Velocità di deriva dell'inversione = Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale
Tensione di overdrive del PMOS
Partire Tensione effettiva = Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio)
Parametro di transconduttanza di processo di PMOS
Partire Parametro di transconduttanza di processo in PMOS = Mobilità dei fori nel canale*Capacità di ossido

Parametro di transconduttanza di processo di PMOS Formula

Parametro di transconduttanza di processo in PMOS = Mobilità dei fori nel canale*Capacità di ossido
k'p = μp*Cox

A cosa serve un MOSFET?

Il transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) è un dispositivo a semiconduttore ampiamente utilizzato per scopi di commutazione e per l'amplificazione di segnali elettronici in dispositivi elettronici.

Quali sono i tipi di MOSFET?

Esistono due classi di MOSFET. C'è la modalità di esaurimento e c'è la modalità di miglioramento. Ogni classe è disponibile come canale n o p, per un totale di quattro tipi di MOSFET. La modalità esaurimento è disponibile in una N o una P e una modalità di miglioramento è disponibile in una N o una P

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