Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido
k'p = μp*Cox
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Mobilidade de Furos no Canal - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade dos buracos no canal depende de vários fatores, como a estrutura cristalina do material semicondutor, a presença de impurezas, a temperatura,
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Mobilidade de Furos no Canal: 2.66 Metro quadrado por volt por segundo --> 2.66 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância de Óxido: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
k'p = μp*Cox --> 2.66*0.0008
Avaliando ... ...
k'p = 0.002128
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.002128 Siemens -->2.128 Millisiemens (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
2.128 Millisiemens <-- Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

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Criado por Payal Priya LinkedIn Logo
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
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Verificado por Urvi Rathod LinkedIn Logo
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Aprimoramento do Canal P Calculadoras

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS
​ LaTeX ​ Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)
Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd
​ LaTeX ​ Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte
Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS
​ LaTeX ​ Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2
Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov
​ LaTeX ​ Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2

Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS Fórmula

​LaTeX ​Vai
Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido
k'p = μp*Cox

Para que é usado um MOSFET?

O transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) é um dispositivo semicondutor amplamente utilizado para fins de comutação e para a amplificação de sinais eletrônicos em dispositivos eletrônicos.

Quais são os tipos de MOSFETs?

Existem duas classes de MOSFETs. Existe um modo de esgotamento e um modo de aprimoramento. Cada classe está disponível como canal n ou p, dando um total de quatro tipos de MOSFETs. O modo de esgotamento vem em um N ou um P e um modo de realce vem em um N ou um P

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