Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS Calculadora

✖A mobilidade dos buracos no canal depende de vários fatores, como a estrutura cristalina do material semicondutor, a presença de impurezas, a temperatura,ⓘ Mobilidade de Furos no Canal [μ_p]			+10% -10%
✖A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.ⓘ Capacitância de Óxido [C_ox]			+10% -10%

✖O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.ⓘ Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS [k'_p]

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Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido
k'_p = μ_p*C_ox
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Mobilidade de Furos no Canal - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade dos buracos no canal depende de vários fatores, como a estrutura cristalina do material semicondutor, a presença de impurezas, a temperatura,
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Mobilidade de Furos no Canal: 2.66 Metro quadrado por volt por segundo --> 2.66 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância de Óxido: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

k'_p = μ_p*C_ox --> 2.66*0.0008

Avaliando ... ...

k'_p = 0.002128

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.002128 Siemens -->2.128 Millisiemens (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

2.128 Millisiemens <-- Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

LaTeX Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

LaTeX Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte

Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

LaTeX Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2

Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

LaTeX Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2

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Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS Fórmula

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Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido
k'_p = μ_p*C_ox

Para que é usado um MOSFET?

O transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) é um dispositivo semicondutor amplamente utilizado para fins de comutação e para a amplificação de sinais eletrônicos em dispositivos eletrônicos.

Quais são os tipos de MOSFETs?

Existem duas classes de MOSFETs. Existe um modo de esgotamento e um modo de aprimoramento. Cada classe está disponível como canal n ou p, dando um total de quatro tipos de MOSFETs. O modo de esgotamento vem em um N ou um P e um modo de realce vem em um N ou um P

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