Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido
k'p = μp*Cox
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Mobilidade de Furos no Canal - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade dos buracos no canal depende de vários fatores, como a estrutura cristalina do material semicondutor, a presença de impurezas, a temperatura,
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Mobilidade de Furos no Canal: 2.66 Metro quadrado por volt por segundo --> 2.66 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância de Óxido: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
k'p = μp*Cox --> 2.66*0.0008
Avaliando ... ...
k'p = 0.002128
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.002128 Siemens -->2.128 Millisiemens (Verifique a conversão aqui)
RESPOSTA FINAL
2.128 Millisiemens <-- Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

14 Aprimoramento do Canal P Calculadoras

Corrente de drenagem geral do transistor PMOS
Vai Drenar Corrente = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2*(1+Tensão entre Dreno e Fonte/modulus(Tensão inicial))
Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS
Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)
Efeito corporal em PMOS
Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))
Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd
Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte
Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS
Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2
Parâmetro de efeito Backgate em PMOS
Vai Parâmetro do Efeito Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido
Corrente de dreno da fonte para o dreno
Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal)
Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS
Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar-Tensão entre Dreno e Fonte)
Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov
Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2
Corrente no canal de inversão do PMOS
Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Velocidade de deriva da inversão)
Carga da Camada de Inversão em PMOS
Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar)
Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade
Vai Velocidade de deriva da inversão = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal
Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS
Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido
Tensão Overdrive do PMOS
Vai Tensão efetiva = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar)

Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS Fórmula

Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido
k'p = μp*Cox

Para que é usado um MOSFET?

O transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) é um dispositivo semicondutor amplamente utilizado para fins de comutação e para a amplificação de sinais eletrônicos em dispositivos eletrônicos.

Quais são os tipos de MOSFETs?

Existem duas classes de MOSFETs. Existe um modo de esgotamento e um modo de aprimoramento. Cada classe está disponível como canal n ou p, dando um total de quatro tipos de MOSFETs. O modo de esgotamento vem em um N ou um P e um modo de realce vem em um N ou um P

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